ICS501A
LOCO PLL时钟乘法器
时钟乘法器
外部元件
去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC，该
ICS501A必须从系统的电源分离
噪音进行优化。
0.01μF的去耦电容必须连接
之间的VDD和GND 。必须紧密相连
到ICS501A ，以尽量减少引线电感。没有
外部电源滤波所需的
ICS501A.
并联谐振，基本模式晶体应该是
使用。该器件晶振连接应包括
垫，用于小电容从X1到地面，并从
X 2接地。这些电容器用于调节
电路板的寄生电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中，要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线（无孔）
晶体和器件之间。水晶电容，如果
需要的话，必须从各个销X1的连接
和X2接地。
这些水晶瓶盖应等于的值（单位为pF ） （C
L
-12 pF的）* 2 。在这个方程，C
L
=晶体负载电容
单位为pF 。例如：对于具有16 pF负载晶体
电容，每个电容的晶体将8 pF的
[(16-12) x 2 = 8].
系列终端电阻
一个33Ω终端电阻，可以使用旁边的CLK
引脚走线长度超过一英寸。
晶体负载电容
芯片上的总电容约为12pF的。一
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS501A永久性损坏。这些评价，
这对于IDT商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
-40至+ 85°C
-65到+ 150°C
260° C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
分钟。
0
+3.0
典型值。
马克斯。
+70
+3.6
单位
°
C
V
IDT / ICS
LOCO PLL时钟乘法器
3
ICS501A
F版051310
ICS501A
LOCO PLL时钟乘法器
时钟乘法器
包装外形和包装尺寸
（ 8引脚SOIC ， 150密耳窄体）
包装尺寸保持当前与JEDEC出版物号95
8
MILLIMETERS
符号
民
最大
英寸
民
最大
E
指数
区域
H
1 2
D
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
α
1.35
1.75
0.10
0.25
0.33
0.51
0.19
0.25
4.80
5.00
3.80
4.00
1.27 BASIC
5.80
6.20
0.25
0.50
0.40
1.27
0
°
8
°
高x 45
.0532
.0688
.0040
.0098
.013
.020
.0075
.0098
.1890
.1968
.1497
.1574
0.050 BASIC
.2284
.2440
.010
.020
.016
.050
0
°
8
°
A
A1
C
-C-
e
B
座位
飞机
L
.10 (.004)
C
订购信息
零件/订单号
501AMLF
501AMLFT
501AMILF
501AMILFT
501A-DWF
501A-DPK
记号
501AMLF
501AMLF
501AIML
501AIML
-
-
运输包装
管
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
死在完整无缺，晶圆探测
在华夫包装测试裸片
包
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
温度
0到+ 70℃
0到+ 70℃
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
0到+ 70℃
0到+ 70℃
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应用程序。任何其他应用程序，如那些需要扩展级温度范围，高可靠性，或其他特殊
不是由IDT的推荐环保要求而无需额外的处理。 IDT公司保留更改任何的权利
电路或规格，恕不另行通知。 IDT不授权或担保任何IDT的产品用于生命支持设备或
关键的医疗器械。
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