UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
4N70
4.4A ， 700V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
4N70
是一个高压功率MOSFET和是
设计成具有更好的特性，如快速开关
时，低栅电荷，低通态电阻和高的耐用
雪崩。这种高速开关功率MOSFET通常是
电源供应器， PWM马达控制，高效率的DC所使用
DC转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 2.8 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型值15nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型8.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
4N70L-TF1-T
4N70G-TF1-T
4N70L-TF3-T
4N70G-TF3-T
4N70L-TM3-T
4N70G-TM3-T
注：引脚分配： G：门
D：漏
包
TO-220F1
TO-220F
TO-251
S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
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版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-340.D
4N70
绝对最大额定值
(T
A
= 25° С ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
700
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
4.4
A
4.4
A
连续
I
D
漏电流
脉冲（注2）
I
DM
17.6
A
260
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
10.6
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220F/TO-220F1
36
功耗
P
D
W
TO-251
49
结温
T
J
+150
°С
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 26.9mH ，我
AS
= 4.4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
4.4A ， di / dt的
≤200A/μs,
V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
TO-220F/TO-220F1
结到环境
TO-251
TO-220F/TO-220F1
结到外壳
TO-251
符号
θ
JA
θ
Jc
评级
62.5
110
3.47
2.55
单位
°С/W
°С/W
电气特性
(T
A
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
最小典型最大单位
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
700
V
V
DS
= 700 V, V
GS
= 0 V
10
μA
100
前锋
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
-100
击穿电压温度系数
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
0.6
V/°С
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
2.0
4.0
V
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
2.6 2.8
动态特性
520 670 pF的
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
输出电容
C
OSS
70 90 pF的
F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
8
11 pF的
开关特性
13 35
ns
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
45 100纳秒
V
DD
= 350V ，我
D
= 4.4A,
R
G
= 25Ω （注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
25 60
ns
关断下降时间
t
F
35 80
ns
总栅极电荷
Q
G
15 20 NC
V
DS
= 560V ，我
D
= 4.4A,
栅极 - 源电荷
Q
GS
3.4
nC
V
GS
= 10V （注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
7.1
nC
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2 6
QW-R502-340.D
4N70
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4 A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4 A,
的di / dt = 100 A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
最小典型最大单位
1.4
4.4
17.6
250
1.5
V
A
A
ns
μC
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3 6
QW-R502-340.D
4N70
测试电路和波形
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
功率MOSFET
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
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4 6
QW-R502-340.D
4N70
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
切换测试电路
开关波形
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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5 6
QW-R502-340.D
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4N70
4安培， 700伏
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
4N70
是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
收费，低通态电阻和高雪崩坚固耐用。这
高速开关功率MOSFET的功率通常用
用品， PWM马达控制，高效率的直流 - 直流转换器
和桥电路。
功率MOSFET
1
TO-220F
特点
* R
DS （ ON）
= 2.8 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的15 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型8.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
TO-220F1
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
4N70L-TF1-T
4N70G-TF1-T
4N70L-TF3-T
4N70G-TF3-T
注：引脚分配： G：门D：漏极
包
TO-220F1
TO-220F
S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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2009 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-340.A
4N70
绝对最大额定值
（ TA = 25° С ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
700
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
4.4
A
连续
I
D
4.0
A
漏电流
16
A
脉冲（注2）
I
DM
单脉冲（注3 ）
E
AS
260
mJ
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
10.6
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
功耗
P
D
36
W
结温
T
J
+150
°С
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 30mH ，我
AS
= 4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
4.4A ， di / dt的
≤200A/μs,
V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
符号
θ
JA
θ
Jc
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
Δ
BV
DSS
T
J
评级
62.5
3.47
测试条件
单位
°С/W
°С/W
最小典型最大单位
700
10
100
-100
0.6
2.0
4.0
2.8
520
70
8
670
90
11
V
μA
nA
V/°С
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电气特性
（ TA = 25° С ，除非另有规定）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= 700 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
V
DD
= 350V ，我
D
= 4.0A ，R
G
= 25
（注1,2）
V
DS
= 560V ，我
D
= 4.0A ，V
GS
= 10 V
（注1,2）
13 35
45 100
25 60
35 80
15 20
3.4
7.1
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QW-R502-340.A
4N70
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4 A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4 A,
反向恢复时间
t
RR
的di / dt = 100 A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
最小典型最大单位
1.4
4.4
17.6
250
1.5
V
A
A
ns
μC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 6
QW-R502-340.A
4N70
测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
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4N70
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
图。 3A栅极电荷测试电路
图。 3B栅极电荷波形
图。 4A非钳位感应开关测试电路
图。 4B非钳位感应开关波形
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