UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
4N65
4A ， 650V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
4N65
是一个高压功率MOSFET设计
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这是功率MOSFET通常用于高速
开关应用，包括电源， PWM马达
控制，高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。
1
功率MOSFET
1
TO-220
TO-220F
1
1
TO-220F1
TO-220F2
特点
* R
DS （ ON）
= 2.5 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的15 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型8.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
1
TO-251
TO-252
符号
1
1
TO-263
TO-262
订购信息
订购数量
无铅
无卤
4N65L-TA3-T
4N65G-TA3-T
4N65L- TF1 -T
4N65G-TF1-T
4N65L- TF2 -T
4N65G-TF2-T
4N65L- TF3 -T
4N65G-TF3-T
4N65L-TM3-T
4N65G-TM3-T
4N65L-TN3-R
4N65G-TN3-R
4N65L-TN3-T
4N65G-TN3-T
4N65L-T2Q-T
4N65G-T2Q-T
4N65L-TQ2-R
4N65G-TQ2-R
4N65L-TQ2-T
4N65G-TQ2-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-220F1
TO-220F2
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-252
TO-262
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
管
带盘
管
管
带盘
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-397.F
4N65
绝对最大额定值
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
650
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
4.4
A
4.0
A
连续
I
D
漏电流
脉冲（注2）
I
DM
16
A
260
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
10.6
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220/TO-262/TO-263
106
TO-220F/TO-220F1
36
功耗
P
D
W
TO-220F2
38
TO- 251 / TO- 252
50
结温
T
J
+150
°С
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 30mH ，我
AS
= 4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤4.4A,
的di / dt
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
包
TO-220/TO-262/TO-263
TO-220F/TO-220F1
TO-220F2
TO- 251 / TO- 252
TO-220/TO-262/TO-263
TO-220F/TO-220F1
TO-220F2
TO- 251 / TO- 252
符号
θ
JA
评级
62.5
62.5
62.5
83
1.18
3.47
3.28
2.5
单位
°С/W
结到外壳
θ
Jc
°С/W
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2第8
QW-R502-397.F
4N65
电气特性
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
功率MOSFET
最小典型最大单位
V
10
μA
100 nA的
-100 nA的
V/°С
4.0
2.5
670
90
11
35
100
60
80
20
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
前锋
I
GSS
反向
△
BV
DSS
/△T
J
击穿电压温度系数
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0V,
输出电容
C
OSS
F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 325V ，我
D
= 4.0A,
R
G
= 25Ω （注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 520V ，我
D
= 4.0A,
栅极 - 源电荷
Q
GS
V
GS
= 10V （注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0V时，我
S
= 4.4A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注： 1。脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
V
GS
= 0 V，I
D
= 250μA
650
V
DS
= 650 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
2.0
0.6
2.4
520
70
8
13
45
25
35
15
3.4
7.1
1.4
4.4
17.6
250
1.5
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3 8
QW-R502-397.F
4N65
测试电路和波形
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
功率MOSFET
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
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4 8
QW-R502-397.F
4N65
测试电路和波形（续）
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
功率MOSFET
10V
脉冲Width≤为1μs
值班Factor≤0.1 ％
D.U.T.
切换测试电路
开关波形
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
BV
DSS
I
AS
I
D（T）
V
DD
V
DS （T ）
t
p
非钳位感应开关测试电路
时间
非钳位感应开关波形
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