UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
4N60
4安培， 600/650伏特
N沟道功率MOSFET
1
功率MOSFET
TO-220
描述
在UTC
4N60
是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用， PWM马达控制，高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
1
1
TO-220F
TO-220F1
特点
* R
DS （ ON）
= 2.5
@V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的15 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型8.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
1
TO-251
TO-252
符号
2.Drain
1
1
TO-263
TO-262
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
4N60L-x-TA3-T
4N60G-x-TA3-T
4N60L-x-TF1-T
4N60G-x-TF1-T
4N60L-x-TF3-T
4N60G-x-TF3-T
4N60L-x-TM3-T
4N60G-x-TM3-T
4N60L-x-TN3-R
4N60G-x-TN3-R
4N60L-x-T2Q-T
4N60G-x-T2Q-T
4N60L-x-TQ3-R
4N60G-x-TQ3-R
4N60L-x-TQ3-T
4N60G-x-TQ3-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-220F1
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-262
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
带盘
管
带盘
管
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2010 Unisonic技术有限公司
1第8
QW - R502-061 ，N
4N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
参数
4N60-A
漏源电压
4N60-B
栅源电压
雪崩电流（注2）
连续
漏电流
脉冲（注2）
符号
功率MOSFET
评级
单位
600
V
V
DSS
650
V
V
GSS
±30
V
I
AR
4.4
A
I
D
4.0
A
16
A
I
DM
4N60
260
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
雪崩能量
4N60-E
200
mJ
重复的（注2）
E
AR
10.6
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220/TO-262/TO-263
106
W
TO-220F/TO-220F1
36
W
功耗
P
D
TO-251
50
W
TO-252
50
W
结温
T
J
+150
°С
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 30mH ，我
AS
= 4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤4.4A,
的di / dt
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
包
TO-220/TO-262/TO-263
TO-220F/TO-220F1
TO-251
TO-252
TO-220/TO-262/TO-263
TO-220F/TO-220F1
TO-251
TO-252
符号
4N60-A
4N60-B
前锋
反向
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
符号
θ
JA
评级
62.5
62.5
83
83
1.18
3.47
2.5
2.5
单位
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
最小典型最大单位
600
650
10
100
-100
0.6
2.0
4.0
2.5
520
70
8
670
90
11
V
V
μA
nA
nA
V/°С
V
pF
pF
pF
结到外壳
θ
Jc
电气特性
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2第8
QW-R502-061,N
4N60
电气特性（续）
功率MOSFET
参数
符号
测试条件
最小典型最大
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
13 35
V
DD
= 300V ，我
D
= 4.0A ，R
G
= 25
开启上升时间
t
R
45 100
（注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
25 60
关断下降时间
t
F
35 80
总栅极电荷
Q
G
15 20
V
DS
= 480V ，我
D
= 4.0A ，V
GS
= 10 V
栅极 - 源电荷
Q
GS
3.4
（注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
7.1
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4 A
1.4
最大连续漏源二极管
I
S
4.4
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
17.6
正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4 A,
反向恢复时间
t
RR
250
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注1 ）
1.5
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
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3 8
QW-R502-061,N
4N60
测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
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4 8
QW-R502-061,N
4N60
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
图。 3A栅极电荷测试电路
图。 3B栅极电荷波形
L
V
DS
BV
DSS
I
AS
R
D
V
DD
D.U.T.
t
p
t
p
时间
V
DD
I
D（T）
V
DS （T ）
10V
图。 4A非钳位感应开关测试电路
图。 4B非钳位感应开关波形
5 8
QW-R502-061,N
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4N60
4安培， 600Volts
，
N沟道MOSFET
■
描述
该ET4N60 N沟道增强型硅栅
专为高电压，高速功率开关
应用，例如开关稳压器，开关转换器，
电磁线圈，电机驱动器，继电器驱动器
.
功率MOSFET是
■
特点
R
DS （ ON）
=2.50 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型值16nC ）
高耐用性
快速开关能力
较高的雪崩能量
改进的dv / dt能力
■
符号
■
绝对最大额定值
(T
c
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
栅源电压
排水Currenet
连续
漏电流脉冲
雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功耗
T
c
=25℃
减免上述25 °
重复
单脉冲
T
c
=25℃
T
c
=100℃
（注1 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
I
DP
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
104
0.83
符号
TO-220
V
DSS
V
GSS
I
D
评级
TO-220F
600
±30
TO-252
V
V
2.8
1.8
11.2
4.9
210
4.5
34
0.27
49
0.39
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
单位
4.0
2.4
16
10.4
180
4.0
＊
2.4
16
＊
＊
1
北京ESTEK ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
4N60
结温
储存温度
＊
T
J
T
英镑
+150
-55~+150
℃
℃
漏电流受最高结温。
■
热特性
参数
热阻结到环境
符号
TO-220
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
0.5
1.2
62.5
--
3.65
评级
TO-220F
TO-252
50
（110）
--
2.56
℃/W
＊
单位
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻结案件
■
电气特性
（T
J
= 25 ℃ ，除非另有说明。 ）
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
当前
前锋
BV
DSS
I
DSS
V
GS
=0V,I
D
=250A
V
DS
=600V,V
GS
=0V
V
DS
=480V,T
C
=125℃
I
GSS
ΔBV
DSS
/△T
J
V
GS
=30V,V
DS
=0V
V
GS
=-30V,V
DS
=0V
I
D
=250A
600
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.7
--
1
10
100
-100
--
V
A
A
nA
nA
V/℃
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的特性
漏源二极管正向
电压
连续漏 - 源电流
V
SD
V
GS
=0V
I
SD
=4.0A(TO220,TO220F)
I
SD
=2.8A(TO252)
TO-220,TO-220F
TO-252
脉冲漏源电流
反向恢复时间
I
SM
t
RR
TO-220,TO-220F
TO-252
I
SD
=4.0A,
dI
SD
/dt=100A/s
--
--
1.4
V
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DD
=300V,
I
D
=4.0A(TO220,TO220F)
I
D
=2.8A(TO252)
R
G
=25
（注4,5）
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
DS
=10V,
I
D
=2.0A(TO220,TO220F)
I
D
=1.4A(TO252)
2.0
--
--
2.0
4.0
2.5
V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V,V
GS
=0V,
f=1MH
Z
--
--
--
560
55
7
--
--
--
pF
pF
pF
--
--
--
--
--
--
--
10
40
40
50
16
2.5
6.5
--
--
--
--
--
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=480V,
I
D
=4.0A(TO220,TO220F)
I
D
=2.8A(TO252)
V
GS
=10V
（注4,5）
I
SD
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
300
2.0
4.0
2.8
16.0
11.2
--
--
A
A
ns
C
反向恢复电荷
Q
RR
（注4 ）
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 20 mH的，我
AS
= 4.0 A，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
Ω,
开始TJ = 25°C
3. I
SD
≤
4.0 A， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，开始TJ = 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
值班cycle≤ 2 ％
5.基本上是独立工作温度
2
北京ESTEK ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
4N60
■
典型特征
3
北京ESTEK ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
4N60
■
典型特征
（续）
图9-1 。最大安全工作区
为TO220
图9-2 。最大安全工作区
对于TO220F
TO220,TO220F
TO251,TO252
图9-3 。最大安全工作区
为TO251 ， TO252
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
4
北京ESTEK ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
4N60
■
典型特征
（续）
图11-1 。瞬态热响应曲线TO220
图11-2 。瞬态热响应曲线TO220F
图11-3 。瞬态热响应曲线TO252
5
北京ESTEK ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
4N60
4安培， 600伏
N沟道功率MOSFET
描述
与UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用， PWM马达控制，高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
1
TO-220
功率MOSFET
1
TO-220F
特点
* R
DS （ ON）
= 2.5 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的15 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型8.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
*无铅电镀产品编号： 4N60L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
4N60-TA3-T
4N60L-TA3-T
4N60-TF3-T
4N60L-TF3-T
包
TO-220
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
4N60L-TA3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ） T：管， R：带卷轴
（ 2 ） TA3 ： TO- 220 ， TF3 ： TO- 220F
（ 3）L ：无铅电镀空白：铅/锡
,
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2005 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-061,E
4N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
I
AR
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
600
V
栅源电压
±30
V
雪崩电流 - （注1）
4.4
A
T
C
= 25°C
4.0
A
I
D
连续漏电流
T
C
= 100°C
2.8
A
漏电流脉冲，T
P
限制T
JMAX
- （注1 ）
I
DM
16
A
雪崩能量，单脉冲（注2 ）
E
AS
260
mJ
雪崩能量，重复，限制T
JMAX
E
AR
10.6
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
功率耗散（T
C
= 25°C)
P
D
106
W
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
外壳到散热器
符号
θ
JA
θ
JC
θ
CS
民
典型值
最大
62.5
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
0.5
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
最小典型最大单位
600
10
100
100
-100
0.6
2.0
4.0
520
70
8
13
45
25
35
15
3.4
7.1
670
90
11
35
100
60
80
20
4.0
2.5
V
A
A
nA
nA
V/℃
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
DD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
V
DS
= 50 V，I
D
= 2.2 （注4 ）
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
V
DD
= 300V ，我
D
= 4.0 A，R
G
= 25
（注4,5）
V
DS
= 480V ，我
D
= 4.0A ，V
GS
= 10 V
（注4,5）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2第8
QW-R502-061,E
4N60
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4 A
最大连续漏源
I
S
二极管的正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注4 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，重复评级：脉冲宽度限制T
J
2， L = 25mH ，我
AS
= 4.4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
4.4A ， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
民
典型最大单位
1.4
4.4
17.6
250
1.5
V
A
A
ns
C
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 8
QW-R502-061,E
4N60
测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
P.W.
期
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复dv
/ DT
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 8
QW-R502-061,E
4N60
测试电路和波形（续）
R
L
V
DD
功率MOSFET
V
DS
V
GS
R
G
V
DS
90%
10V
脉冲宽度
≤
1μs
占空比
≤0.1%
D.U.T.
V
GS
10%
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
50kΩ
12V
0.2μF
0.3μF
同一类型
作为D.U.T.
10V
V
DS
Q
GS
Q
G
Q
GD
V
GS
DUT
3mA
V
G
收费
图。 3A栅极电荷测试电路
图。 3B栅极电荷波形
L
V
DS
BV
DSS
R
D
V
DD
D.U.T.
10V
t
p
I
AS
t
p
时间
图。 4A非钳位感应开关测试电路
图。 4B非钳位感应开关波形
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5 8
QW-R502-061,E
华晶分立器件
硅
概述
：
CS4N60FA9HD,
该
硅
N沟道
增强
VDMOSFETs ，通过自对准的平面技术得到
这减少了传导损耗，提高开关
性能和增强的雪崩能量。晶体管
可以为系统中的各种功率开关电路，用于
小型化和更高的效率。封装形式为
TO- 220F ，符合RoHS标准。
R
○
N沟道
功率MOSFET
CS4N60FA9HD
V
DSS
I
D
P
D
(T
C
=25℃)
R
DS （ ON）典型值
600
4
30
2.0
V
A
W
产品特点：
快速开关
ESD能力的改进
低栅电荷
（典型数据：为13nC ）
低反向传输电容
（典型： 4.2pF ）
100％的单脉冲雪崩能量测试
应用
：
适配器和充电器的功率开关电路。
绝对
“ TC ”
25 ℃除非另有规定）
：
符号
V
DSS
I
D
I
DM
a1
参数
漏极至源极电压
连续漏电流
连续漏电流T
C
= 100 °C
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
等级
600
4
2.9
16
±30
250
30
2.5
5.0
30
0.24
3000
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V / ns的
W
W/℃
V
V
GS
E
AS
E
AR
I
AR
a2
a1
单脉冲雪崩能量
雪崩能量，重复
雪崩电流
a1
a3
dv / dt的
P
D
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
降额系数高于25 ℃，
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5kΩ上）
工作结存储温度范围
MaximumTemperature焊锡
V
ESD （G -S ）
T
J
，T
英镑
T
L
150 ， -55至150
300
℃
℃
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
分页： 10 1
2 0 11
华晶分立器件
R
○
CS4N60FA9HD
电气特性
“ TC ”
25 ℃除非另有规定）
：
开关特性
符号
V
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
DSS
I
GSS （ F）
I
GSS （r）的
参数
漏源击穿电压
BVDSS温度系数
漏极至源极漏电流
门源正向漏
栅极至源极反向漏
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
ID=250uA,Reference25℃
V
DS
=600V, V
GS
= 0V,
T
a
= 25℃
V
DS
=480V, V
GS
= 0V,
T
a
= 25℃
V
GS
=+30V
V
GS
=-30V
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
s
V
V/℃
A
A
A
A
600
--
--
--
--
--
--
0.67
--
--
--
--
--
--
25
250
10
-10
基本特征
符号
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
参数
漏极 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
测试条件
V
GS
=10V,I
D
=2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
--
2.0
2.0
2.3
4.0
脉冲宽度tp≤380μs ， δ≤2 ％
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0V V
DS
= 25V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
=2A
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
S
pF
5.0
--
--
--
570
55
4.2
--
电阻开关特性
符号
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏（ “米勒” ）费
I
D
= 4A V
DD
=300V
V
GS
= 10V
I
D
= 4A V
DD
= 300V
R
G
=25
测试条件
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
--
--
--
--
--
--
--
9.5
4.9
28.5
9
13
3
5
--
--
--
--
nC
ns
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
P A G e 2的华氏度1 0
2 0 11
华晶分立器件
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
参数
连续源电流（体二极管）
最大脉冲电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
=4.0A,V
GS
=0V
I
S
=4.0A,T
j
= 25°C
dI
F
/dt=100A/us,
V
GS
=0V
R
○
CS4N60FA9HD
测试条件
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
A
A
V
ns
C
--
--
--
--
--
--
--
--
503
2.4
4
16
1.5
--
--
脉冲宽度tp≤380μs ， δ≤2 ％
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
参数
结到外壳
结到环境
典型值。
4.17
100
单位
℃/W
℃/W
门源稳压二极管
符号
V
GSO
参数
栅源击穿电压
测试条件
I
GS
= ± 1毫安（漏极开路）
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
20
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
a1
a2
*重复
评级;脉冲宽度有限的最高结温
：L=10mH,
I
D
= 7.1A ，启动T
J
=25℃
a3
：I
SD
=4A,di/dt
≤100A/us,V
DD
ΔBV
DS ，
启动T
J
=25℃
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
第10 3
2 0 11
华晶分立器件
特性曲线：
100
R
○
CS4N60FA9HD
40
PD ，功率耗散
沃茨
ID ，漏电流，安培
10
1ms
30
1
在这一领域
可能是有限的R
DS （ ON）
T
J
=最大额定
T
C
= 25℃时单脉冲
10ms
100ms
DC
20
0 .1
10
0 .0 1
1
0
10
100
V DS ，D RA的 - 到 - S环境允许的V LTA GE ，V LTS
1000
0
25
50
75
100
TC ，外壳温度，C
125
150
图1最高可正向偏置安全工作区
6
ID ，漏电流，安培
5
ID ，漏电流，安培
图2最高可功耗与外壳温度
6
脉冲持续时间为10μs =
占空比系数= 0.5 ％ MAX
TC = 25 ？
4.5
V
GS
=15V
4
3
2
1
0
0
25
75
100
125
50
TC，案例tem温度，C
150
V
GS
=7V
3
V
GS
=6.5V
V
GS
=6V
1.5
V
GS
=4.5V
V
GS
=5.5V
0
0
5
10
15
20
VDS ，漏极 - 源极电压，电压
25
图3最大连续漏极电流与外壳温度
1
热阻抗，归一化
50%
20%
图4典型的输出特性
0.1
10%
5%
2%
P
DM
0.01
单脉冲
t1
t2
1%
注意事项：
占空比
：D=t1/
t2
PEAK TJ = P
DM
*Z
thJC
*R
thJC
+T
C
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
矩形脉冲持续时间，秒
0.1
1
图5最大有效散热交流阻抗，结到外壳
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
第10 4
2 0 11
华晶分立器件
100
跨导可能会限制
当前在这一地区
R
○
CS4N60FA9HD
IDM ，峰值电流，安培
对于温度
在25℃以上降额峰值
当前，如下所示：
150
T
C
I
=
I
25
125
10
1
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
1.00E-02
t
，
脉冲宽度，秒
1.00E-01
1.00E+00
1.00E+01
9
ID ，漏电流，安培
7.5
6
4.5
3
1.5
0
2
-55℃
+25℃
+150℃
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DS
=30V
图6最高可峰值电流能力
6
RDS（ON） ，漏极至源开
电阻，欧姆
5
4
3
2
1
0
3
4
5
VGS ，门源电压，电压
6
脉冲持续时间为10μs =
占空比系数= 0.5 ％ MAX
TC = 25
℃
I
D
= 4A
I
D
= 2A
I
D
= 1A
图7典型的传输特性
3
RDS（ON） ，漏极至源开
电阻，欧姆
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
TC = 25
℃
6
8
10
12
14
VGS ，门源电压
，
伏
图8典型漏极至源极导通电阻VS栅极电压
和漏极电流
RDS（ON） ，漏极至源极导通电阻，
Nomalized
2.5
2.25
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
VGS = 10V ID = 2A
4
2.5
2
V
GS
=20V
1.5
1
0
2
3
ID ，漏电流，安培
图9典型漏极至源极导通电阻
VS漏电流
1
4
-50
0
50
100
TJ ，结温，C
150
图10典型Drian到源通电阻
VS结温
第10个5
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
2 0 11
华晶分立器件
硅
概述
：
CS4N60FA9HD,
该
硅
N沟道
增强
VDMOSFETs ，通过自对准的平面技术得到
这减少了传导损耗，提高开关
性能和增强的雪崩能量。晶体管
可以为系统中的各种功率开关电路，用于
小型化和更高的效率。封装形式为
TO- 220F ，符合RoHS标准。
R
○
N沟道
功率MOSFET
CS4N60FA9HD
V
DSS
I
D
P
D
(T
C
=25℃)
R
DS （ ON）典型值
600
4
30
2.0
V
A
W
产品特点：
快速开关
ESD能力的改进
低栅电荷
（典型数据：为13nC ）
低反向传输电容
（典型： 4.2pF ）
100％的单脉冲雪崩能量测试
应用
：
适配器和充电器的功率开关电路。
绝对
“ TC ”
25 ℃除非另有规定）
：
符号
V
DSS
I
D
I
DM
a1
参数
漏极至源极电压
连续漏电流
连续漏电流T
C
= 100 °C
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
等级
600
4
2.9
16
±30
250
30
2.5
5.0
30
0.24
3000
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V / ns的
W
W/℃
V
V
GS
E
AS
E
AR
I
AR
a2
a1
单脉冲雪崩能量
雪崩能量，重复
雪崩电流
a1
a3
dv / dt的
P
D
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
降额系数高于25 ℃，
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5kΩ上）
工作结存储温度范围
MaximumTemperature焊锡
V
ESD （G -S ）
T
J
，T
英镑
T
L
150 ， -55至150
300
℃
℃
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
分页： 10 1
2 0 11
华晶分立器件
R
○
CS4N60FA9HD
电气特性
“ TC ”
25 ℃除非另有规定）
：
开关特性
符号
V
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
DSS
I
GSS （ F）
I
GSS （r）的
参数
漏源击穿电压
BVDSS温度系数
漏极至源极漏电流
门源正向漏
栅极至源极反向漏
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
ID=250uA,Reference25℃
V
DS
=600V, V
GS
= 0V,
T
a
= 25℃
V
DS
=480V, V
GS
= 0V,
T
a
= 25℃
V
GS
=+30V
V
GS
=-30V
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
s
V
V/℃
A
A
A
A
600
--
--
--
--
--
--
0.67
--
--
--
--
--
--
25
250
10
-10
基本特征
符号
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
参数
漏极 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
测试条件
V
GS
=10V,I
D
=2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
--
2.0
2.0
2.3
4.0
脉冲宽度tp≤380μs ， δ≤2 ％
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0V V
DS
= 25V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
=2A
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
S
pF
5.0
--
--
--
570
55
4.2
--
电阻开关特性
符号
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏（ “米勒” ）费
I
D
= 4A V
DD
=300V
V
GS
= 10V
I
D
= 4A V
DD
= 300V
R
G
=25
测试条件
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
--
--
--
--
--
--
--
9.5
4.9
28.5
9
13
3
5
--
--
--
--
nC
ns
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
P A G e 2的华氏度1 0
2 0 11
华晶分立器件
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
参数
连续源电流（体二极管）
最大脉冲电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
=4.0A,V
GS
=0V
I
S
=4.0A,T
j
= 25°C
dI
F
/dt=100A/us,
V
GS
=0V
R
○
CS4N60FA9HD
测试条件
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
A
A
V
ns
C
--
--
--
--
--
--
--
--
503
2.4
4
16
1.5
--
--
脉冲宽度tp≤380μs ， δ≤2 ％
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
参数
结到外壳
结到环境
典型值。
4.17
100
单位
℃/W
℃/W
门源稳压二极管
符号
V
GSO
参数
栅源击穿电压
测试条件
I
GS
= ± 1毫安（漏极开路）
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
20
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
a1
a2
*重复
评级;脉冲宽度有限的最高结温
：L=10mH,
I
D
= 7.1A ，启动T
J
=25℃
a3
：I
SD
=4A,di/dt
≤100A/us,V
DD
ΔBV
DS ，
启动T
J
=25℃
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
第10 3
2 0 11
华晶分立器件
特性曲线：
100
R
○
CS4N60FA9HD
40
PD ，功率耗散
沃茨
ID ，漏电流，安培
10
1ms
30
1
在这一领域
可能是有限的R
DS （ ON）
T
J
=最大额定
T
C
= 25℃时单脉冲
10ms
100ms
DC
20
0 .1
10
0 .0 1
1
0
10
100
V DS ，D RA的 - 到 - S环境允许的V LTA GE ，V LTS
1000
0
25
50
75
100
TC ，外壳温度，C
125
150
图1最高可正向偏置安全工作区
6
ID ，漏电流，安培
5
ID ，漏电流，安培
图2最高可功耗与外壳温度
6
脉冲持续时间为10μs =
占空比系数= 0.5 ％ MAX
TC = 25 ？
4.5
V
GS
=15V
4
3
2
1
0
0
25
75
100
125
50
TC，案例tem温度，C
150
V
GS
=7V
3
V
GS
=6.5V
V
GS
=6V
1.5
V
GS
=4.5V
V
GS
=5.5V
0
0
5
10
15
20
VDS ，漏极 - 源极电压，电压
25
图3最大连续漏极电流与外壳温度
1
热阻抗，归一化
50%
20%
图4典型的输出特性
0.1
10%
5%
2%
P
DM
0.01
单脉冲
t1
t2
1%
注意事项：
占空比
：D=t1/
t2
PEAK TJ = P
DM
*Z
thJC
*R
thJC
+T
C
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
矩形脉冲持续时间，秒
0.1
1
图5最大有效散热交流阻抗，结到外壳
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
第10 4
2 0 11
华晶分立器件
100
跨导可能会限制
当前在这一地区
R
○
CS4N60FA9HD
IDM ，峰值电流，安培
对于温度
在25℃以上降额峰值
当前，如下所示：
150
T
C
I
=
I
25
125
10
1
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
1.00E-02
t
，
脉冲宽度，秒
1.00E-01
1.00E+00
1.00E+01
9
ID ，漏电流，安培
7.5
6
4.5
3
1.5
0
2
-55℃
+25℃
+150℃
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DS
=30V
图6最高可峰值电流能力
6
RDS（ON） ，漏极至源开
电阻，欧姆
5
4
3
2
1
0
3
4
5
VGS ，门源电压，电压
6
脉冲持续时间为10μs =
占空比系数= 0.5 ％ MAX
TC = 25
℃
I
D
= 4A
I
D
= 2A
I
D
= 1A
图7典型的传输特性
3
RDS（ON） ，漏极至源开
电阻，欧姆
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
TC = 25
℃
6
8
10
12
14
VGS ，门源电压
，
伏
图8典型漏极至源极导通电阻VS栅极电压
和漏极电流
RDS（ON） ，漏极至源极导通电阻，
Nomalized
2.5
2.25
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
VGS = 10V ID = 2A
4
2.5
2
V
GS
=20V
1.5
1
0
2
3
ID ，漏电流，安培
图9典型漏极至源极导通电阻
VS漏电流
1
4
-50
0
50
100
TJ ，结温，C
150
图10典型Drian到源通电阻
VS结温
第10个5
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
2 0 11
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
4N60
4A ， 600V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
4N60
是一个高压功率MOSFET和是
设计成具有更好的特性，如快速开关
时，低栅电荷，低通态电阻，并具有高
坚固耐用的雪崩特性。这种功率MOSFET通常是
在电源高速开关应用中使用，脉宽调制
电机控制装置，高效率的直流 - 直流转换器和桥
电路。
功率MOSFET
1
1
TO-220
TO-220F
1
1
TO-220F1
TO-220F2
特点
* R
DS （ ON）
= 2.5 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的15 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型8.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
1
TO-251
TO-252
符号
1
1
TO-263
TO-262
订购信息
订购数量
无铅
无卤
4N60L-TA3-T
4N60G-TA3-T
4N60L-TF1-T
4N60G-TF1-T
4N60L-TF2-T
4N60G-TF2-T
4N60L-TF3-T
4N60G-TF3-T
4N60L-TM3-T
4N60G-TM3-T
4N60L-TN3-R
4N60G-TN3-R
4N60L-TN3-T
4N60G-TN3-T
4N60L-T2Q-T
4N60G-T2Q-T
4N60L-TQ3-R
4N60G-TQ3-R
4N60L-TQ3-T
4N60G-TQ3-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-220F1
TO-220F2
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-252
TO-262
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
管
带盘
管
管
带盘
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-061,Q
4N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
600
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
4.4
A
4.0
A
连续
I
D
漏电流
脉冲（注2）
I
DM
16
A
260
mJ
单脉冲4N60
E
AS
（注3）
雪崩能量
4N60-E
200
mJ
重复的（注2）
E
AR
10.6
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220/TO-262/TO-263
106
TO-220F/TO-220F1
36
功耗
P
D
W
TO-220F2
38
TO- 251 / TO- 252
50
结温
T
J
+150
°С
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 30mH ，我
AS
= 4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤4.4A,
的di / dt
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
包
TO-220/TO-262/TO-263
TO-220F/TO-220F1
TO-220F2
TO- 251 / TO- 252
TO-220/TO-262/TO-263
TO-220F/TO-220F1
TO-220F2
TO- 251 / TO- 252
符号
θ
JA
评级
62.5
62.5
62.5
83
1.18
3.47
3.28
2.5
单位
°С/W
结到外壳
θ
Jc
°С/W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2第8
QW-R502-061,Q
4N60
电气特性
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
功率MOSFET
最小典型最大单位
600
V
10
μA
100 nA的
-100 nA的
V/°С
4.0
2.5
670
90
11
35
100
60
80
20
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
前锋
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
击穿电压温度系数
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
输出电容
C
OSS
F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 300V ，我
D
= 4.0A,
R
G
= 25Ω （注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 480V ，我
D
= 4.0A,
栅极 - 源电荷
Q
GS
V
GS
= 10V （注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 4.4A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
0.6
2.0
2.2
520
70
8
13
45
25
35
15
3.4
7.1
1.4
4.4
17.6
250
1.5
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 8
QW-R502-061,Q
4N60
测试电路和波形
+
V
DS
-
+
-
L
功率MOSFET
D.U.T.
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
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4 8
QW-R502-061,Q
4N60
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
V
DS
90%
V
GS
10%
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
切换测试电路
开关波形
V
GS
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
收费
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
BV
DSS
I
AS
I
D（T）
V
DD
V
DS （T ）
t
p
时间
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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5 8
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