4N38M ， H11D1男， H11D2M ， H11D3M ， MOC8204M - 高电压光电晶体管光耦合器
2009年9月
4N38M ， H11D1M ， H11D2M ， H11D3M ， MOC8204M
高压光电晶体管光耦合器
特点
■
高电压：
概述
该4N38M ， H11DXM和MOC8204M是光电
晶体管型光耦合光隔离器。一种氮化镓
砷化镓红外发光二极管被加上一个高
电压NPN硅光电晶体管。该设备被抑制
合股在一个标准的塑料六针的双列直插式封装。
- MOC8204M ， BV
CER
= 400V
- H11D1M ， H11D2M ， BV
CER
= 300V
- H11D3M ， BV
CER
= 200V
■
高绝缘电压：
– 7500 V
AC
高峰，1次
■
美国保险商实验室（ UL）的认可
文件＃ E90700 ，第2卷
■
IEC 60747-5-2批准（订购选项V）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
概要
包装纲要
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
N / C 3
4发射器
2007仙童半导体公司
4N38M ， H11D1男， H11D2M ， H11D3M ， MOC8204M版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
4N38M ， H11D1男， H11D2M ， H11D3M ， MOC8204M - 高电压光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度（波峰焊）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
正向直流电流
(1)
反向输入电压
(1)
正向电流 - 峰值（ 1μs的脉冲， 300pps ）
(1)
LED功耗@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
设备
所有
所有
所有
所有
价值
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
260
3.5
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
所有
所有
所有
所有
80
6.0
3.0
150
1.41
探测器
P
D
V
CER
功率耗散@ T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
集电极到发射极电压
(1)
MOC8204M
H11D1M ， H11D2M
H11D3M
4N38M
V
CBO
集电极 - 基极电压
(1)
MOC8204M
H11D1M ， H11D2M
H11D3M
4N38M
V
ECO
发射极到集电极的电压
(1)
H11D1M ， H11D2M ，
H11D3M,
MOC8204M
所有
所有
300
4.0
400
300
200
80
400
300
200
80
7
V
V
mW
毫瓦/°C的
V
I
C
集电极电流（连续）
100
mA
注意：
1.参数达到或超过JEDEC注册数据（ 4N38M只） 。
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2
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电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
V
F
T
A
BV
R
C
J
I
R
正向电压
(2)
正向电压
温度。 COEF网络cient
反向击穿
电压
结电容
反向漏
当前
(2)
击穿电压
集电极到发射极
(2)
I
R
= 10A
V
F
= 0V ， F = 1MHz的
V
F
= 1V ， F = 1MHz的
V
R
= 6V
所有
I
F
= 10毫安
所有
所有
所有
所有
6
1.15
-1.8
25
50
65
0.05
10
1.5
V
毫伏/°C的
V
pF
pF
A
特征
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
探测器
BV
CER
R
BE
= 1M
, I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
MOC8204M
H11D1M/2M
H11D3M
BV
首席执行官
BV
CBO
收藏家基地
(2)
不RBE ，我
C
= 1.0毫安
I
C
= 100μA ，我
F
= 0
4N38M
MOC8204M
H11D1M/2M
H11D3M
4N38M
BV
EBO
BV
ECO
I
CER
发射器基
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
(2)
(R
BE
= 1M
)
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 300V ，我
F
= 0, T
A
= 25°C
V
CE
= 300V ，我
F
= 0, T
A
= 100°C
V
CE
= 200V ，我
F
= 0, T
A
= 25°C
V
CE
= 200V ，我
F
= 0, T
A
= 100°C
V
CE
= 100V ，我
F
= 0, T
A
= 25°C
V
CE
= 100V ，我
F
= 0, T
A
= 100°C
I
首席执行官
没有R
BE
, V
CE
= 60V ，我
F
= 0,
T
A
= 25°C
4N38M
H11D3M
H11D1M/2M
4N38M
所有
MOC8204M
400
300
200
80
400
300
200
80
7
7
10
100
250
100
250
100
250
50
V
V
nA
A
nA
A
nA
A
nA
V
V
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
辐射源
CTR
电流传输
比，集电极
辐射源
饱和电压
(2)
特征
测试条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V,
R
BE
= 1M
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
F
= 10毫安，我
C
= 0.5毫安，
R
BE
= 1M
I
F
= 20mA时，我
C
= 4毫安
设备
H11D1M/2M/3M,
MOC8204M
4N38M
H11D1M/2M/3M,
MOC8204M
4N38M
所有
所有
分钟。
2 (20)
2 (20)
TYP 。 *
马克斯。
单位
MA（ ％ ）
V
CE （ SAT ）
0.1
0.40
1.0
V
开关时间
t
ON
t
关闭
非饱和
开启时间
打开-O FF时间
V
CE
= 10V ，我
CE
= 2毫安，
R
L
= 100
5
5
s
s
*在T所有典型值
A
= 25°C
注意：
2.参数达到或超过JEDEC注册数据（ 4N38M只） 。
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DC电气特性
（续） （T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
F = 1MHz的
设备
所有
所有
所有
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
V
AC
PEAK
0.2
pF
*在T所有典型值
A
= 25°C
安全性和绝缘等级
按照IEC 60747-5-2 ，这是光电耦合器适用于仅在安全限制数据“安全的电气绝缘” 。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110安装分类网络阳离子/ 1.89
表1
额定主电压< 150Vrms
额定电压主要< 300Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
55/100/21
2
175
1594
V
PEAK
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试
用TM = 1秒，局部放电< 5PC
输入到输出的测试电压，方法a ，
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品测试
用TM = 60秒，局部放电< 5PC
1275
V
PEAK
V
IORM
V
IOTM
马克斯。工作绝缘电压
最高允许过电压
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
850
6000
7
7
0.5
10
9
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
RIO
在TS ，V绝缘电阻
IO
= 500V
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典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
T
A
= -55C
1.3
T
A
= 25C
1.2
1.1
1.0
1
T
A
= 100C
10
100
图。 2归一化输出特性
归一化我
CER
=输出电流
标准化为：
V
CE
= 10V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
I
F
= 50毫安
1
I
F
= 10毫安
V
F
- 正向电压（ V）
10
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- LED FORWARDCURRENT （MA ）
V
CE
- 集电极电压（ V）
图。 3归一化输出电流与LED的输入电流
归一化我
CER
=输出电流
归一化我
CER
=输出电流
10
标准化为：
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
1
图。 4归一化输出电流与温度的关系
标准化为：
V
CE
= 10V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
I
F
= 20mA下
I
F
= 10毫安
1
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
1
10
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
- LED输入电流（mA）
T
A
=环境温度（℃）
归一化我
CBO
- 集电极 - 基极电流
图。 5归暗电流与环境温度
归一化我
CER
- 暗电流
标准化为：
V
CE
= 100V
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
V
CE
= 300V
图。 6归集电极 - 基极电流与温度的关系
10
9
8
I
F
= 50毫安
7
6
5
4
3
2
1
0
-60
I
F
= 5毫安
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
= 10毫安
标准化为：
V
CE
= 10V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
10000
1000
100
V
CE
= 100V
10
1
V
CE
= 50V
0.1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
T
A
=环境温度（℃）
T
A
=环境温度（℃）
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5
QQ：2881677436 复制
