4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
接口与普通逻辑系列
输入输出耦合电容<为0.5pF
行业标准双列6行脚封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179004
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
保险商实验室文件＃ E52744
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
e3
Pb
无铅
应用
交流电源检测
干簧继电器驱动
开关电源的反馈
电话振铃检测
逻辑接地隔离
高频噪声抑制耦合逻辑
这些隔离进程和威世ISO9001
质量计划结果中最高的隔离perfor-
曼斯可用于COMMECIAL塑料phototransis-
光耦器。
该器件采用无铅形成的配置可
灰适于表面安装，并且可
无论是在磁带和卷轴，或在标准管船
容器。
注意：
数据表设计是盖在应用笔记45
订购信息
部分
4N35
4N36
4N37
4N38
4N35-X006
4N35-X007
4N35-X009
4N36-X007
4N36-X009
4N37-X006
4N37-X009
备注
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
本数据手册介绍了威世行业的五大家族
试着标准单通道光电晶体管Cou-
plers.These家庭包括4N35 / 4N36 / 4N37 /
4N38耦合器。
每个光耦合器由砷化镓基础设施
红色LED和硅NPN光电晶体管。
这些耦合器是美国保险商实验室（ UL ）
上市遵从5300 V
RMS
隔离测试电压
年龄。
这种隔离性能是通过完成
Vishay的双重注塑制造隔离亲
塞斯。 Comliance符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） /
DIN EN 60747-5-5未决的局部放电隔离
规范可以为这些家庭通过订购
选项1 。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83717
修订版1.5 27 -JAN- 05
www.vishay.com
1
4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极电流
(t
≤
1.0毫秒）
功耗
测试条件
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
最大。 10秒浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
mm
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2
文档编号83717
修订版1.5 27 -JAN- 05
4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
前锋
电压
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安，T
AMB
= - 55 °C
反向电流
1)
电容
1)
符号
V
F
V
F
I
R
C
O
民
0.9
典型值。
1.3
1.3
0.1
25
最大
1.5
1.7
10
单位
V
V
A
pF
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
表示JEDEC注册的值
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
1)
测试条件
I
C
= 1.0毫安
部分
4N35
4N36
4N37
4N38
符号
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
民
30
30
30
80
7.0
70
70
70
80
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
发射极 - 集电极击穿
电压
1)
集电极 - 基极击穿
电压
1)
I
E
= 100
A
I
C
= 100
A,
I
B
= 1.0
A
4N35
4N36
4N37
4N38
BV
CBO
BV
CBO
BV
CBO
BV
CBO
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
集电极 - 射极漏泄
当前
1)
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
4N35
4N36
5.0
5.0
5.0
50
50
50
50
500
500
500
nA
nA
nA
nA
A
A
A
A
pF
V
CE
= 10 V，I
F
=0
V
CE
= 60 V，I
F
= 0
V
CE
= 30 V，I
F
= 0, T
AMB
=
100 °C
4N37
4N38
4N35
4N36
4N37
V
CE
= 60 V，I
F
= 0, T
AMB
=
100 °C
集电极 - 发射极电容
1)
4N38
6.0
6.0
V
CE
= 0
表示JEDEC注册的值
耦合器
参数
电阻，输入到输出
1)
电容（输入输出）
1)
测试条件
V
IO
= 500 V
F = 1.0 MHz的
符号
R
IO
C
IO
民
10
11
典型值。
0.5
最大
单位
pF
表示JEDEC注册的值
文档编号83717
修订版1.5 27 -JAN- 05
www.vishay.com
3
4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
接口与普通逻辑系列
输入输出耦合电容<为0.5pF
行业标准双列6行脚封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179004
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
保险商实验室文件＃ E52744
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
e3
Pb
无铅
应用
交流电源检测
干簧继电器驱动
开关电源的反馈
电话振铃检测
逻辑接地隔离
高频噪声抑制耦合逻辑
这些隔离进程和威世ISO9001
质量计划结果中最高的隔离perfor-
曼斯可用于COMMECIAL塑料phototransis-
光耦器。
该器件采用无铅形成的配置可
灰适于表面安装，并且可
无论是在磁带和卷轴，或在标准管船
容器。
注意：
数据表设计是盖在应用笔记45
订购信息
部分
4N35
4N36
4N37
4N38
4N35-X006
4N35-X007
4N35-X009
4N36-X007
4N36-X009
4N37-X006
4N37-X009
备注
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
本数据手册介绍了威世行业的五大家族
试着标准单通道光电晶体管Cou-
plers.These家庭包括4N35 / 4N36 / 4N37 /
4N38耦合器。
每个光耦合器由砷化镓基础设施
红色LED和硅NPN光电晶体管。
这些耦合器是美国保险商实验室（ UL ）
上市遵从5300 V
RMS
隔离测试电压
年龄。
这种隔离性能是通过完成
Vishay的双重注塑制造隔离亲
塞斯。 Comliance符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） /
DIN EN 60747-5-5未决的局部放电隔离
规范可以为这些家庭通过订购
选项1 。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83717
修订版1.5 27 -JAN- 05
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1
4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极电流
(t
≤
1.0毫秒）
功耗
测试条件
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
最大。 10秒浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
mm
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2
文档编号83717
修订版1.5 27 -JAN- 05
4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
前锋
电压
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安，T
AMB
= - 55 °C
反向电流
1)
电容
1)
符号
V
F
V
F
I
R
C
O
民
0.9
典型值。
1.3
1.3
0.1
25
最大
1.5
1.7
10
单位
V
V
A
pF
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
表示JEDEC注册的值
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
1)
测试条件
I
C
= 1.0毫安
部分
4N35
4N36
4N37
4N38
符号
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
民
30
30
30
80
7.0
70
70
70
80
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
发射极 - 集电极击穿
电压
1)
集电极 - 基极击穿
电压
1)
I
E
= 100
A
I
C
= 100
A,
I
B
= 1.0
A
4N35
4N36
4N37
4N38
BV
CBO
BV
CBO
BV
CBO
BV
CBO
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
集电极 - 射极漏泄
当前
1)
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
4N35
4N36
5.0
5.0
5.0
50
50
50
50
500
500
500
nA
nA
nA
nA
A
A
A
A
pF
V
CE
= 10 V，I
F
=0
V
CE
= 60 V，I
F
= 0
V
CE
= 30 V，I
F
= 0, T
AMB
=
100 °C
4N37
4N38
4N35
4N36
4N37
V
CE
= 60 V，I
F
= 0, T
AMB
=
100 °C
集电极 - 发射极电容
1)
4N38
6.0
6.0
V
CE
= 0
表示JEDEC注册的值
耦合器
参数
电阻，输入到输出
1)
电容（输入输出）
1)
测试条件
V
IO
= 500 V
F = 1.0 MHz的
符号
R
IO
C
IO
民
10
11
典型值。
0.5
最大
单位
pF
表示JEDEC注册的值
文档编号83717
修订版1.5 27 -JAN- 05
www.vishay.com
3
4N35 -X 4N36 -X 4N37 -X 4N38
www.vishay.com
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压5000 V
RMS
接口与常用逻辑系列
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
输入输出耦合电容<为0.5pF
行业标准的双列直插6引脚封装
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
应用
交流电源检测
i179004-14
里德继电器驱动
开关模式电源的反馈
电话振铃检测
逻辑接地隔离
高频噪声抑制耦合逻辑
描述
该数据表介绍Vishay的产业五大家族
标准的单通道光电晶体管耦合器。这些
家庭包括4N35 ， 4N36 ， 4N37 ， 4N38耦合器。
每个光耦合器由砷化镓红外发光二极管
和硅NPN光电晶体管。
这些耦合器上市保险商实验室（ UL ）
符合5000 V
RMS
隔离测试电压。
这种隔离性能是通过Vishay的实现
双成型隔离的制造工艺。 Comliance
符合DIN EN 60747-5-5局部放电隔离规范
可以为这些家庭通过订购选项1 。
这些隔离进程和Vishay的ISO9001质量
方案成果的最高隔离性能提供
对于COMMECIAL塑料光电晶体管光耦合器。
该器件采用铅形成适合配置
表面安装，并在磁带和卷轴可用两种，
或标准管的海运集装箱。
记
对于额外的设计信息，请参阅应用笔记45
归一化曲线
机构认证
UL文件编号。 E52744 （待定）
cUL认证测试， CSA 22.2 5A公告
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5
（待定） ，可通过选项1
BSI ： EN 60065 ， EN 60950-1
FIMKO
CQC
订购信息
DIP-6
选6
4
N
3
x
-
X
0
#
#
T
TAPE
和
REEL
7.62 mm
选7
10.16 mm
选择9
产品型号
封装选项
> 8毫米
8毫米典型。
代理认证/ PACKAGE
UL ， CUL， BSI ， FIMKO
DIP-6
4N35-X000
DIP - 6 ， 400万，选择6
4N35-X006
SMD - 6 ，选7
4N35-X007T
(1)
SMD - 6 ，选择9
4N35-X009T
(1)
VDE ， UL ， CUL， BSI ， FIMKO
DIP-6
4N35-X001
DIP - 6 ， 400万，选择6
4N35-X016
SMD - 6 ，选7
4N35-X017T
(1)
SMD - 6 ，选择9
4N35-X019T
笔记
其他选项是可能的，请联系销售办事处。
(1)
也可在管;不要把T于结束。
修订版1.8 16 -JAN- 12
10毫安
≥
100
4N36-X000
-
4N36-X007
4N36-X009T
(1)
≥
100
-
-
-
-
CTR （ ％ ）
4N37-X000
4N37-X006
4N37-X007
4N37-X009
4N37-X001
-
-
-
20毫安
≥
20
4N38
-
4N38-X007T
(1)
4N38-X009T
≥
20
-
-
-
-
文档编号： 83717
1
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
4N35 -X 4N36 -X 4N37 -X 4N38
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威世半导体
测试条件
符号
V
R
I
F
t
≤
10 μs
I
FSM
P
DISS
V
首席执行官
V
EBO
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
I
CM
P
DISS
t=1s
V
ISO
价值
6
60
2.5
70
70
7
50
100
150
5000
≥
7
≥
7
≥
0.4
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
2毫米的情况下，
≤
10 s
T
SLD
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
单位
V
mA
A
mW
V
V
mA
mA
mW
V
RMS
mm
mm
mm
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
集电极电流峰值
输出功率耗散
耦合器
绝缘测试电压
爬电距离
间隙距离
发射极之间的隔离厚度
和检测器
漏电起痕指数
绝缘电阻
储存温度
工作温度
焊接温度
(1)
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波轮廓焊接condditions通过
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
(1)
反向电流
(1)
电容
产量
4N35
集电极发射极击穿
电压
(1)
发射极集电极击穿
电压
(1)
集电极基极击穿
电压
(1)
I
C
= 1毫安
4N36
4N37
4N38
I
E
= 100 μA
4N35
I
C
= 100 A ，我
B
= 1 μA
4N36
4N37
4N38
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
BV
CBO
BV
CBO
BV
CBO
30
30
30
80
7
70
70
70
80
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安，T
AMB
= - 55 °C
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
V
F
I
R
C
O
0.9
1.2
1.3
0.1
25
1.5
1.7
10
V
V
μA
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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2
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威世半导体
测试条件
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 60 V，I
F
= 0
部分
4N35
4N36
4N37
4N38
4N35
V
CE
= 30 V，I
F
= 0,
T
AMB
= 100 °C
V
CE
= 60 V，I
F
= 0,
T
AMB
= 100 °C
4N36
4N37
4N38
符号
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
R
IO
C
IO
10
11
0.5
6
6
分钟。
典型值。
5
5
5
马克斯。
50
50
50
50
500
500
500
单位
nA
nA
nA
nA
μA
μA
μA
μA
pF
Ω
pF
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
产量
集电极 - 发射极漏电流
(1)
集电极 - 发射极电容
耦合器
电阻，输入输出
(1)
电容输入输出
V
CE
= 0
V
IO
= 500 V
F = 1 MHz的
笔记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
(1)
表示JEDEC注册的值。
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
V
CE
= 10 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
F
= 20毫安
V
CE
= 10 V，I
F
= 10毫安，
T
A
= - 55 ° C至+ 100°C
记
(1)
表示JEDEC注册的值。
部分
4N35
4N36
4N37
I
C
/I
F (1)
4N38
4N35
4N36
4N37
4N38
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
分钟。
100
100
100
20
40
40
40
50
50
50
30
典型值。
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开启时间
(1)
打开-O FF时间
(1)
测试条件
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
10
10
马克斯。
单位
μs
μs
记
(1)
表示JEDEC注册的值。
I
F
0
0
I
C
100 %
90 %
t
p
t
I
F
+5V
I
F
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10804-3
示波器
R
L
= 1 MΩ
C
L
= 20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
R
L
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
图。 1 - 测试电路，非饱和运算
修订版1.8 16 -JAN- 12
图。 2 - 开关时间
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
1.8
1.7
T
AMB
= 0 °C
1.6
T
AMB
= - 25 °C
1.5
1.4
T
AMB
= - 40 °C
1.3
T = - 55°C
AMB
1.2
1.1
T
AMB
= 25 °C
1.0
T
AMB
= 50 °C
0.9
T
AMB
= 75 °C
0.8
0.7
T
AMB
= 100 °C
0.6
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
10 000
I
F
= 0毫安
I
CE0
- 漏电流（ nA的）
1000
V
CE
= 40 V
V
F
- 正向电压（ V）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
- 60 - 40 - 20
V
CE
= 24 V
V
CE
= 12 V
0
20
40
60
80 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 3 - 正向电压与正向电流
图。 6 - 漏电流与环境温度
60
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
40
I
F
= 20毫安
I
F
= 30毫安
1.2
CTR
规范
- 归CTR （ NS ）
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 60 - 40 - 20
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
30
I
F
= 15毫安
20
10
0
0
1
2
3
4
5
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
6
7
8
0
20
40
60
80 100
V
CE
- 集电极发射极电压（ NS ） （V ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 集电极电流与集电极发射极电压（ NS ）
图。 7 - 归CTR （ NS ）与环境温度
25
CTR
规范
- 归CTR （SAT）
I
F
= 25毫安
1.2
I
F
= 10毫安
V
CE
= 0.4 V
I
C
- 集电极电流（毫安）
20
15
I
F
= 10毫安
1.0
0.8
0.6
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
10
I
F
= 5毫安
0.4
0.2
0
- 60 - 40 - 20
5
I
F
= 1毫安
I
F
= 2毫安
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
CE
- 集电极发射极电压（SAT） （V ）
0
20
40
60
80 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 集电极电流与集电极发射极电压（SAT）
图。 8 - 归CTR （SAT）与环境温度
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威世半导体
1.2
CTR
规范
- 归CTR （ NS ）
V
CE
= 5 V
1000
V
CC
= 5 V
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 40 °C
T
AMB
= - 55 °C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
f
CTR
- CTR频率（kHz ）
100
T
AMB
= 50 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 100 °C
10
0
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 9 - 归CTR （ NS ）与正向电流
图。 12 - 点击率频率与集电极电流
1.2
CTR
规范
- 归CTR （SAT）
V
CE
= 0.4 V
1000
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 40 °C
T
AMB
= - 55 °C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
t
on
, t
关闭
-
开关
时间（μs ）
t
关闭
100
10
t
on
T
AMB
= 50 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 100 °C
1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
R
L
- 负载电阻值（kΩ ）
图。 10 - 归CTR （SAT）与正向电流
图。 13 - 开关时间与负载电阻
0
V
CE
= 5 V
- 20
- 40
相位（度）
- 60
- 80
- 100
- 120
- 140
- 160
1
10
100
1000
的F - 频率（KHz ）
图。 11 - 点击率频率与相位角
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