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6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
产品特点:
4N2X系列: 4N25 , 4N26 , 4N27 , 4N28
4N3X系列: 4N35 , 4N36 , 4N37 , 4N38
H11AX系列: H11A1 , H11A2 , H11A3 , H11A4 , H11A5
输入和输出之间的高隔离电压
(维索= 5000 V有效值)
爬电距离>7.6毫米
工作温度可达+ 110℃
紧凑型双列直插式封装
无铅并符合RoHS标准。
UL认证( E214129号)
VDE认证( 132249号)
SEMKO批准悬而未决
NEMKO认可待定
DEMKO批准待定
FIMKO批准待定
CSA认证待定
4N2X系列
4N3X系列
H11AX系列
概要
描述
该4N2X , 4N3X , H11AX系列包含一个红外发射
二极管的光耦合到光电晶体管。它被封装在一个
6引脚DIP封装,并提供广泛的引线间距和SMD
选项。
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 717-044牧师0
1
HTTP : \\\\ www.everlight.com
2007年9月12日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
绝对最大额定值(T
a
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流( T = 10微秒)
输入
反向电压
功率耗散(T
A
= 25°C)
降额因子(高于100 ℃)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
产量
发射极 - 集电极电压
发射极 - 基极电压
功率耗散(T
A
= 25°C)
降额因子(高于100 ℃)
总功耗
隔离电压
*1
工作温度
储存温度
焊接温度
*2
V
ECO
V
EBO
P
C
符号
I
F
I
FM
V
R
P
D
4N2X系列
4N3X系列
H11AX系列
等级
50
1
6
70
3.8
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
mW
VRMS
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
CBO
80
80
7
7
150
9.0
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
200
5000
-55~+110
-55~+125
260
笔记
* 1交流电进行1分钟, RH = 40 60%RH下在该测试中,引脚1,2 & 3短接在一起,并且引脚4,5 & 6
被短接在一起。
* 2 10秒。
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 717-044牧师0
2
HTTP : \\\\ www.everlight.com
2007年9月12日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
电气特性(T
a
= 25C除非另有规定)
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
符号
V
F
I
R
C
in
分钟。
-
-
-
TYP 。 *
1.2
-
30
马克斯。
1.5
10
-
单位
V
A
pF
4N2X系列
4N3X系列
H11AX系列
条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6V
V = 0 , F = 1MHz的
产量
参数
集电极 - 基极暗电流
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
电容
*在T典型值
a
= 25°C
符号
I
CBO
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
BV
EBO
C
CE
分钟。
-
-
-
80
80
7
7
-
TYP 。 *
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
马克斯。
20
50
50
-
单位
nA
nA
V
V
V
V
pF
条件
V
CB
= 10V
V
CE
= 10V , IF = 0毫安
V
CE
= 60V , IF = 0毫安
I
c
=1mA
I
C
=0.1mA
I
E
=0.1mA
I
E
=0.1mA
VCE = 0V , F = 1MHz的
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 717-044牧师0
3
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2007年9月12日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
传输特性(T
a
= 25C除非另有规定)
参数
4N35, 4N36,
4N37
H11A1
当前
转让
H11A5
4N25, 4N26,
4N38,
H11A2 , H11A3
4N27, 4N28,
H11A4
4N25, 4N26,
4N27, 4N28
集电极 - 发射极
饱和
电压
4N35, 4N36,
4N37
H11A1,
H11A2,
H11A3,
H11A4,
H11A5
4N38
V
CE ( SAT )
-
-
0.4
CTR
20
-
-
符号
分钟。
100
50
30
TYP 。 *
-
-
-
马克斯。
-
-
-
%
单位
4N2X系列
4N3X系列
H11AX系列
条件
I
F
= 10毫安,V
CE
= 10V
10
-
-
-
-
-
-
0.5
0.3
V
I
F
= 10毫安,我
c
- 0.5毫安
I
F
= 50mA时我
c
= 2毫安
-
R
IO
C
IO
10
11
-
-
-
0.2
1.0
-
-
Ω
pF
I
F
= 20mA时,我
c
= 4毫安
V
IO
= 500V直流
V
IO
= 0中,f = 1MHz的
绝缘电阻
输入输出电容
4N25, 4N26,
4N27, 4N28,
H11A1,
H11A2,
H11A3,
开启时间
H11A4,
H11A5
4N35, 4N36,
4N37, 4N38
4N25, 4N26,
4N27, 4N28,
H11A1,
H11A2,
H11A3,
H11A4
4N35, 4N36,
4N37, 4N38
*在T典型值
a
= 25°C
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 717-044牧师0
-
3
10
s
V
CC
= 10V ,我
F
= 10毫安,
R
L
= 100Ω
参见图。 11
-
10
12
V
CC
= 10V ,我
C
= 2毫安,
R
L
= 100Ω ,见图。 11
V
CC
= 10V ,我
F
= 10毫安,
R
L
= 100Ω
参见图。 11
s
-
花花公子
-
3
10
打开-O FF时间
9
12
V
CC
= 10V ,我
C
= 2毫安,
R
L
= 100Ω ,见图。 11
4
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2007年9月12日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
典型性能曲线
4N2X系列
4N3X系列
H11AX系列
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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