4N32/ 4N33
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，高增益，随着基地
连接
特点
非常高的电流传输比， 500 ％最小。
高绝缘电阻， 10
11
典型
标准塑料DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179005
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60065
e3
Pb
无铅
订购信息
部分
4N32
4N33
4N32-X007
4N32-X009
4N33-X007
4N33-X009
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该4N32 4N33和光学耦合隔离器
用砷化镓红外发光二极管和一个solicon
光电复合传感器。
切换可以在保持高的可达到
驾驶与负载电路之间的隔离度。
这些光电耦合器可以被用来代替簧片和
水银继电器，寿命长的优点，高
高速开关和消除磁场。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
线性降额
从55°C
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
www.vishay.com
1
4N32/ 4N33
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
收集器（负载）电流
功耗
线性降额
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
BV
ECO
I
C
P
DISS
价值
30
8.0
50
5.0
125
150
2.0
单位
V
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总功耗
线性降额
隔离测试电压（间
发射器和检测器，标准
气候： 23 ℃/ 50 ％ RH ， \\\\ nDIN
500 14)
泄漏通道
气路
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
Storange温度
工作温度
铅焊接时间
在260℃下
R
IO
R
IO
T
AMB
T
英镑
V
ISO
测试条件
符号
P
合计
价值
250
3.3
5300
单位
mW
毫瓦/ °
V
RMS
7.0
7.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mm最小。
mm最小。
°C
°C
s
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.5
100
单位
V
pF
www.vishay.com
2
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
4N32/ 4N33
威世半导体
包装尺寸以英寸（毫米）
对于4N32 / 33 .....看到包款DIL300-6包装尺寸。
对于产品的选项代号（如4N32 - X007或4N33 - X009 ） ......看到包款DIP -6封装尺寸。
DIL300-6封装尺寸
14770
DIP - 6封装尺寸
2
1
引脚1号
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
i178004
.048 (0.45)
.022 (0.55)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.300 (7.62)
典型值。
18°
.031 （ 0.80 ）分。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
3°–9°
.010 (.25)
典型值。
.300–.347
(7.62–8.81)
.114 (2.90)
.130 (3.0)
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
www.vishay.com
5
4N32/ 4N33
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，高增益，随着基地
连接
特点
非常高的电流传输比， 500 ％最小。
高绝缘电阻， 10
11
典型
标准塑料DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179005
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60065
e3
Pb
无铅
订购信息
部分
4N32
4N33
4N32-X007
4N32-X009
4N33-X007
4N33-X009
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该4N32 4N33和光学耦合隔离器
用砷化镓红外发光二极管和一个solicon
光电复合传感器。
切换可以在保持高的可达到
驾驶与负载电路之间的隔离度。
这些光电耦合器可以被用来代替簧片和
水银继电器，寿命长的优点，高
高速开关和消除磁场。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
线性降额
从55°C
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
www.vishay.com
1
4N32/ 4N33
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
收集器（负载）电流
功耗
线性降额
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
BV
ECO
I
C
P
DISS
价值
30
8.0
50
5.0
125
150
2.0
单位
V
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总功耗
线性降额
隔离测试电压（间
发射器和检测器，标准
气候： 23 ℃/ 50 ％ RH ， \\\\ nDIN
500 14)
泄漏通道
气路
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
Storange温度
工作温度
铅焊接时间
在260℃下
R
IO
R
IO
T
AMB
T
英镑
V
ISO
测试条件
符号
P
合计
价值
250
3.3
5300
单位
mW
毫瓦/ °
V
RMS
7.0
7.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mm最小。
mm最小。
°C
°C
s
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.5
100
单位
V
pF
www.vishay.com
2
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
4N32/ 4N33
威世半导体
包装尺寸以英寸（毫米）
对于4N32 / 33 .....看到包款DIL300-6包装尺寸。
对于产品的选项代号（如4N32 - X007或4N33 - X009 ） ......看到包款DIP -6封装尺寸。
DIL300-6封装尺寸
14770
DIP - 6封装尺寸
2
1
引脚1号
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
i178004
.048 (0.45)
.022 (0.55)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.300 (7.62)
典型值。
18°
.031 （ 0.80 ）分。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
3°–9°
.010 (.25)
典型值。
.300–.347
(7.62–8.81)
.114 (2.90)
.130 (3.0)
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
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5
4N32-X000/4N33-X000
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
特点
非常高的电流传输比， 500 ％以上。
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
高绝缘电阻， 10
11
Ω
典型
标准塑料DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
i179005
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 ; IEC60065
描述
该4N32 4N33和光学耦合隔离带
砷化镓红外发光二极管和一个solicon光电复合
传感器。
开关，同时保持高度的实现
驾驶与负载电路之间的隔离。
这些光电耦合器可以被用来代替簧片和
水银继电器具有寿命长，高速的优点
开关和消除磁性连接的视场中。
订购信息
部分
4N32-X000
4N33-X000
4N32-X007
4N32-X009
4N33-X007
4N33-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
功耗
线性降额
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
收集器（负载）电流
功耗
线性降额
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
从55°C
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
BV
ECO
I
C
P
DISS
30
8
50
5
125
150
2
文档编号： 81865
1.0版， 11 -MAR -08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
4N32-X000/4N33-X000
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
绝对最大额定值
参数
耦合器
总功耗
线性降额
隔离测试电压（发射极之间
和检测器，标准气候：
23 ℃/ 50 ％ RH ， \\\\ nDIN 500 14 ）
泄漏通道
气路
绝缘电阻
储存温度
工作温度
铅焊接时间
(2)
在260℃下
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
≥
V
ISO
P
合计
250
3.3
5300
7.0
7.0
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm最小。
mm最小。
Ω
Ω
°C
°C
s
(1)
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
(1)
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极发射极击穿电压
(2)
集电极基极击穿电压
(2)
发射极基极击穿电压
(2)
发射极集电极击穿
电压
(2)
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
耦合电容
V
CESAT
1.0
1.5
V
pF
I
C
= 100 A ，我
F
= 0
I
C
= 100 A ，我
F
= 0
I
C
= 100 A ，我
F
= 0
I
C
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
I
C
= 0.5毫安， V
CE
= 5.0 V
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
I
首席执行官
h
FE
13
30
50
8
5
10
1.0
100
V
V
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
V
F
I
R
C
O
1.25
0.1
25
1.5
100
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
(2)
表示JEDEC注册的值。
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
V
CE
= 10 V，I
F
= 10毫安
符号
CTR
分钟。
500
典型值。
马克斯。
单位
%
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
www.vishay.com
2
测试条件
V
CC
= 10 V，I
C
= 50毫安
I
F
= 200毫安，R
L
= 180
Ω
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
马克斯。
5.0
100
单位
s
s
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 81865
1.0版， 11 -MAR -08
4N32-X000/4N33-X000
光电耦合器，光电复合输出，
威世半导体
高增益，与基地连接
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度，
加强额定
标准DIP - 6
标准DIP - 6
400万DIP - 6
400万DIP - 6
符合IEC 60950 2.10.5.1
7
7
8
8
0.4
CTI
175
8000
890
700
400
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于仅在安全评级"safe电气insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.2
10
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 10毫安
T
A
= 25 °C
V
CE
= 5
V
归
要：
V
CE
= 5
V
1 I
F
= 10毫安
T
A
= 25 °C
0.1
V
CE
= 5
V
NCTR
CE
-
归
CTR
CE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
NI
CE
-
归
I
CE
V
CE
= 1
V
0.01
V
CE
= 1
V
0.0
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.1
i4n32-33_03
1
10
100
i4n32-33_02
I
F
- LED电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 1 - 归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图。 2 - 归非饱和与饱和集电极发射极
电流与LED电流
文档编号： 81865
1.0版， 11 -MAR -08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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3
4N32-X000/4N33-X000
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
10
20
t
PHL
- 高/低传播
DELAY （微秒）
NI
CB
-
归
I
CB
归
要：
V
CB
= 3.5
V
1
I
F
= 10毫安
T
A
= 25 °C
0.1
1 kΩ
15
T
A
= 25 °C
V
CC
= 5
V
V
TH
= 1.5
V
10
100
Ω
0.01
5
0.001
0.1
i4n32-33_04
1
10
100
0
0
i4n32-33_07
5
10
15
20
I
F
= LED电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 3 - 归集电极基光电流与
LED电流
图。 6 - 高到低传输延迟 -
集电极负载电阻和LED电流
10000
h
FE
- 正向传输增益
T
A
= 25 °C
8000
V
CE
= 5
V
IF
6000
4000
V
CE
= 1
V
2000
0
0.01
V
CC
RL
tD
tR
TPLH
V
TH=1.5
V
tF
IF
V
O
V
O
0.1
1
10
100
i4n32-33_08
的TPH1
tS
i4n32-33_05
I
b
- 基本电流（ μA ）
图。 4 - 非饱和与饱和
FE
与
基极电流
图。 7 - 开关波形和开关示意图
80
t
PLH
- 低/高传播
DELAY （微秒）
T
A
= 25 °C,
V
CC
= 5
V
V
TH
= 1.5
V
60
1 kΩ
40
220
Ω
470
Ω
20
100
Ω
0
0
5
10
15
20
i4n32-33_06
I
F
- LED电流（mA ）
图。 5 - 从低到高传输延迟 -
集电极负载电阻和LED电流
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4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 81865
1.0版， 11 -MAR -08
4N32-X000/4N33-X000
光电耦合器，光电复合输出，
威世半导体
高增益，与基地连接
包装尺寸
以毫米为单位
对于4N32 / 33 ....看在包款DIL300-6包装尺寸。
对于产品的选项代号（如4N32 - X007或4N33 - X009 ）......看到包款DIP -6封装尺寸。
DIL300-6封装尺寸
8.8
马克斯。
7.62 ± 0.1
0.3 A
4.2 ± 0.1
8.6
马克斯。
B
6.4最大。
0.5分钟。
3.3
0.58最大。
1.54
2.54喃。
A
6 5 4
5.08 NOM 。
重量：
约0.50克
爬电距离： > 6毫米
空气路径： > 6毫米
安装在后PC
板
0.3最大
9 ± 0.6
0.4 B
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
14770
1 2 3
DIP - 6封装尺寸
3
2
1
引脚1号
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00)
分钟。
0.048
(0.45)
0.300 (7.62)
典型值。
0.022 (0.55)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
4°
典型值。
0.031 （ 0.80 ）分。
0.031 (0.80)
0.018 (0.45)
0.022 (0.55)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
i178004
18 °
0.114 (2.90)
0.130 (3.0)
3 ° 9 °
0.010 (0.25)
典型值。
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.035 (0.90)
文档编号： 81865
1.0版， 11 -MAR -08
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5
4N32/ 4N33
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，高增益，随着基地
连接
特点
非常高的电流传输比， 500 ％最小。
高绝缘电阻， 10
11
典型
标准塑料DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179005
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60065
e3
Pb
无铅
订购信息
部分
4N32
4N33
4N32-X007
4N32-X009
4N33-X007
4N33-X009
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该4N32 4N33和光学耦合隔离器
用砷化镓红外发光二极管和一个solicon
光电复合传感器。
切换可以在保持高的可达到
驾驶与负载电路之间的隔离度。
这些光电耦合器可以被用来代替簧片和
水银继电器，寿命长的优点，高
高速开关和消除磁场。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
线性降额
从55°C
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
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1
4N32/ 4N33
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
收集器（负载）电流
功耗
线性降额
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
BV
ECO
I
C
P
DISS
价值
30
8.0
50
5.0
125
150
2.0
单位
V
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总功耗
线性降额
隔离测试电压（间
发射器和检测器，标准
气候： 23 ℃/ 50 ％ RH ， \\\\ nDIN
500 14)
泄漏通道
气路
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
Storange温度
工作温度
铅焊接时间
在260℃下
R
IO
R
IO
T
AMB
T
英镑
V
ISO
测试条件
符号
P
合计
价值
250
3.3
5300
单位
mW
毫瓦/ °
V
RMS
7.0
7.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mm最小。
mm最小。
°C
°C
s
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.5
100
单位
V
pF
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2
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
4N32/ 4N33
威世半导体
包装尺寸以英寸（毫米）
对于4N32 / 33 .....看到包款DIL300-6包装尺寸。
对于产品的选项代号（如4N32 - X007或4N33 - X009 ） ......看到包款DIP -6封装尺寸。
DIL300-6封装尺寸
14770
DIP - 6封装尺寸
2
1
引脚1号
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
i178004
.048 (0.45)
.022 (0.55)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.300 (7.62)
典型值。
18°
.031 （ 0.80 ）分。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
3°–9°
.010 (.25)
典型值。
.300–.347
(7.62–8.81)
.114 (2.90)
.130 (3.0)
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
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