4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
接口与普通逻辑系列
输入输出耦合电容<为0.5pF
行业标准的双列直插6引脚封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179004
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
应用
交流电源检测
干簧继电器驱动
开关电源的反馈
电话振铃检测
逻辑接地隔离
高频噪声抑制耦合逻辑
这些隔离进程和威世ISO9001
质量计划结果中最高的隔离perfor-
曼斯可用于商用塑料phototrans-
iStor的光电耦合器。
该器件还率先形成config-可用
uration适合表面安装，并可用
可无论是在磁带和卷轴，或在标准管
海运集装箱。
注意：
有关更多的设计信息，请参阅应用
注45归一化曲线
订购信息
部分
4N25
4N26
4N27
4N28
4N25-X006
4N25-X007
4N25-X009
4N26-X006
4N26-X007
4N26-X009
4N27-X007
4N27-X009
4N28-X009
备注
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 10 ％ ， DIP- 6
CTR > 10 ％ ， DIP- 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 10 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 10 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 10 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该4N25系列是一种工业标准单人间常用信
NEL光电晶体管Coupler.This系列包括
4N25 / 4N26 / 4N27 / 4N28 。每个光耦组成
砷化镓红外发光二极管和硅NPN
光电晶体管。
这些耦合器是美国保险商实验室（ UL ）
上市遵从5300 V
RMS
隔离测试电压
年龄。这种隔离性能来实现
通过特殊的Vishay制造工艺。
符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN
60747-5-5挂起的局部放电隔离specifi-
阳离子可通过订购选项1 。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83725
修订版1.4 26 -JAN- 05
www.vishay.com
1
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
吨< 10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极电流
收藏家Currrent
功耗
吨< 1.0毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
漏电起痕指数
绝缘电阻
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
最大10 S，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
mm
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2
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4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
1)
1)
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.3
0.1
25
最大
1.5
100
单位
V
A
pF
反向电流
1)
表示JEDEC注册的价值观
产量
参数
集电极 - 基极击穿
电压
1)
集电极 - 发射极击穿
电压
1)
发射极 - 集电极击穿
电压
1)
I
首席执行官
（ DARK ）
1)
V
CE
= 10 V ， （基地开）
4N25
4N26
4N27
4N28
I
CBO
（ DARK ）
1)
集电极 - 发射极电容
1)
测试条件
I
C
= 100
A
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 100
A
部分
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECO
民
70
30
7.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
5.0
5.0
5.0
10
2.0
C
CE
6.0
50
50
50
100
20
nA
nA
nA
nA
nA
pF
V
CB
= 10 V ， （发射极开路）
V
CE
= 0
表示JEDEC注册的价值观
耦合器
参数
隔离电压
1)
测试条件
高峰， 60赫兹
部分
4N25
4N26
4N27
4N28
符号
V
IO
V
IO
V
IO
V
IO
V
CE （ SAT ）
R
IO
C
IO
民
2500
1500
1500
500
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
饱和电压，集电极 -
辐射源
电阻，输入输出
1)
电容（输入输出）
1)
I
CE
= 2.0毫安，我
F
= 50毫安
V
IO
= 500 V
F = 1.0 MHz的
0.5
100
0.5
V
G
pF
表示JEDEC注册的价值观
电流传输比
参数
直流电流传输比
1)
测试条件
V
CE
= 10 V，I
F
= 10毫安
部分
4N25
4N26
4N27
4N28
1)
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
民
20
20
10
10
典型值。
50
50
30
30
最大
单位
%
%
%
%
表示JEDEC注册的值
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4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
接口与普通逻辑系列
输入输出耦合电容<为0.5pF
行业标准的双列直插6引脚封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179004
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
应用
交流电源检测
干簧继电器驱动
开关电源的反馈
电话振铃检测
逻辑接地隔离
高频噪声抑制耦合逻辑
这些隔离进程和威世ISO9001
质量计划结果中最高的隔离perfor-
曼斯可用于商用塑料phototrans-
iStor的光电耦合器。
该器件还率先形成config-可用
uration适合表面安装，并可用
可无论是在磁带和卷轴，或在标准管
海运集装箱。
注意：
有关更多的设计信息，请参阅应用
注45归一化曲线
订购信息
部分
4N25
4N26
4N27
4N28
4N25-X006
4N25-X007
4N25-X009
4N26-X006
4N26-X007
4N26-X009
4N27-X007
4N27-X009
4N28-X009
备注
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 10 ％ ， DIP- 6
CTR > 10 ％ ， DIP- 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 10 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 10 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 10 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该4N25系列是一种工业标准单人间常用信
NEL光电晶体管Coupler.This系列包括
4N25 / 4N26 / 4N27 / 4N28 。每个光耦组成
砷化镓红外发光二极管和硅NPN
光电晶体管。
这些耦合器是美国保险商实验室（ UL ）
上市遵从5300 V
RMS
隔离测试电压
年龄。这种隔离性能来实现
通过特殊的Vishay制造工艺。
符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN
60747-5-5挂起的局部放电隔离specifi-
阳离子可通过订购选项1 。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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修订版1.4 26 -JAN- 05
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4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
吨< 10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极电流
收藏家Currrent
功耗
吨< 1.0毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
漏电起痕指数
绝缘电阻
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
最大10 S，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
mm
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修订版1.4 26 -JAN- 05
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
1)
1)
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.3
0.1
25
最大
1.5
100
单位
V
A
pF
反向电流
1)
表示JEDEC注册的价值观
产量
参数
集电极 - 基极击穿
电压
1)
集电极 - 发射极击穿
电压
1)
发射极 - 集电极击穿
电压
1)
I
首席执行官
（ DARK ）
1)
V
CE
= 10 V ， （基地开）
4N25
4N26
4N27
4N28
I
CBO
（ DARK ）
1)
集电极 - 发射极电容
1)
测试条件
I
C
= 100
A
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 100
A
部分
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECO
民
70
30
7.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
5.0
5.0
5.0
10
2.0
C
CE
6.0
50
50
50
100
20
nA
nA
nA
nA
nA
pF
V
CB
= 10 V ， （发射极开路）
V
CE
= 0
表示JEDEC注册的价值观
耦合器
参数
隔离电压
1)
测试条件
高峰， 60赫兹
部分
4N25
4N26
4N27
4N28
符号
V
IO
V
IO
V
IO
V
IO
V
CE （ SAT ）
R
IO
C
IO
民
2500
1500
1500
500
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
饱和电压，集电极 -
辐射源
电阻，输入输出
1)
电容（输入输出）
1)
I
CE
= 2.0毫安，我
F
= 50毫安
V
IO
= 500 V
F = 1.0 MHz的
0.5
100
0.5
V
G
pF
表示JEDEC注册的价值观
电流传输比
参数
直流电流传输比
1)
测试条件
V
CE
= 10 V，I
F
= 10毫安
部分
4N25
4N26
4N27
4N28
1)
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
民
20
20
10
10
典型值。
50
50
30
30
最大
单位
%
%
%
%
表示JEDEC注册的值
文档编号83725
修订版1.4 26 -JAN- 05
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