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通过4N25 / D
GlobalOptoisolator
该4N25 ， 4N26 ， 4N27 4N28和设备包括一个砷化镓
红外发光二极管光耦合到一个单片硅光电晶体管
探测器。
最经济的光隔离器的选择中速，切换应用
符合或超过所有JEDEC规格注册
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备中，
后缀为“ V”必须包含在零件编号最后。 VDE 0884是一个测试选项。
应用
通用开关电路
不同的潜能和阻抗的接口和连接系统
I / O接口技术
固态继电器
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
输入LED
反向电压
正向电流 - 连续
LED功率耗散@ TA = 25℃
在检测器输出功率可忽略不计
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 基极电压
连续集电极电流 -
探测器功耗@ TA = 25℃
用可以忽略不计的输入LED
减免上述25℃
设备总
隔离浪涌电压（ 1 ）
（交流峰值电压， 60赫兹， 1秒持续时间）
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 10秒， 1/16“的情况下）
VISO
PD
TA
TSTG
TL
7500
250
2.94
- 55 + 100
- 55 + 150
260
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
VCEO
VECO
VCBO
IC
PD
30
7
70
150
150
1.76
伏
伏
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
VR
IF
PD
3
60
120
1.41
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
1
2
3
符号
价值
单位
4N25
4N26
4N27
4N28
6
1
标准通孔
概要
6
5
4
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
LED阳极
LED阴极
北卡罗来纳州
辐射源
集热器
BASE
1.隔离浪涌电压是内部设备绝缘击穿的评价。
1.
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 ， 5和6是常见的。
4N25 4N26 4N27 4N28
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
输入LED
正向电压（ IF = 10 mA）的
TA = 25°C
TA = -55°C
TA = 100℃
VF
—
—
—
—
—
1.15
1.3
1.05
—
18
1.5
—
—
100
—
伏
符号
民
典型值
(1)
最大
单位
反向漏电流（ VR = 3V）
电容（ V = 0 V ， F = 1兆赫）
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
（ VCE = 10 V ， TA = 25℃
（ VCE = 10 V ， TA = 100 ° C）
集电极 - 基极暗电流（ VCB = 10V）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1 mA）的
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 100
A)
发射极 - 集电极击穿电压（IE = 100
A)
直流电流增益（ IC = 2毫安， VCE = 5V）
集电极 - 发射极电容（ F = 1MHz时， VCE = 0 ）
集电极 - 基极电容（ F = 1MHz时， VCB = 0 ）
发射极 - 基极电容（ F = 1MHz时， VEB = 0 ）
再加
输出集电极电流（ IF = 10 mA时， VCE = 10 V）
4N25,26
4N27,28
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 2毫安， IF = 50 mA）的
导通时间（ IF = 10 mA时， VCC = 10V ， RL = 100
)
(3)
关断时间（ IF = 10 mA时， VCC = 10V ， RL = 100
)
(3)
上升时间（ IF = 10 mA时， VCC = 10V ， RL = 100
)
(3)
下降时间（ IF = 10 mA时， VCC = 10V ， RL = 100
)
(3)
隔离电压中（f = 60赫兹，吨= 1秒）（4）
隔离电阻（ V = 500伏）（4）
隔离电容（V = 0V中，f = 1 MHz）的（4）
1.
2.
3.
4.
4N25,26,27
4N28
所有器件
IR
CJ
A
pF
ICEO
ICEO
ICBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） ECO
的hFE
CCE
建行
CEB
集成电路（ CTR）， （2）
—
—
—
—
30
70
7
—
—
—
—
1
1
1
0.2
45
100
7.8
500
7
19
9
50
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
nA
A
nA
伏
伏
伏
—
pF
pF
pF
MA（ ％ ）
2 (20)
1 (10)
7 (70)
5 (50)
0.15
2.8
4.5
1.2
1.3
—
—
0.2
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
—
伏
s
s
s
s
VAC （ PK）
pF
VCE （ SAT ）
吨
花花公子
tr
tf
VISO
RISO
CISO
—
—
—
—
—
7500
1011
—
始终以设计规定的最小/最大电限（如适用） 。
电流传输比（ CTR） = IC / IF ×100％ 。
测试电路的设置和波形，参见图11 。
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 ， 5和6是常见的。
4NXXM ， H11AXM通用6引脚光电晶体管光耦合器
2007年3月
4N25M ， 4N26M ， 4N27M ， 4N28M ， 4N35M ， 4N36M ， 4N37M ，
H11A1M ， H11A2M ， H11A3M ， H11A4M ， H11A5M
通用6引脚光电晶体管光耦合器
特点
■
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
■
VDE认可（文件＃ 102497 ）
tm
描述
通用光电耦合器由一个镓
砷化镓红外发光二极管驱动硅光子
totransistor在一个6针的双列直插式封装。
- 添加选项V（例如， 4N25VM ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
功能框图
1
6
6
2
5
1
6
1
3
NC
4
6
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
1
2005仙童半导体公司
4NXXM ， H11AXM版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
4NXXM ， H11AXM通用6引脚光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
探测器
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
P
D
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
30
70
7
150
1.76
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
正向电流 - 峰值（ 300μS ， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
60
6
3
120
1.41
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
储存温度
工作温度
波峰焊温度（参见第8页的重新溢流焊锡廓）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
2.94
°C
°C
°C
mW
参数
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
I
R
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 基极暗电流
电容
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 100μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CB
= 10V
V
CE
= 0V中，f = 1 MHz的
8
30
70
7
100
120
10
1
50
20
V
V
V
nA
nA
pF
输入正向电压
反向漏电流
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0V
1.18
0.001
1.50
10
V
A
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒
V
我-O
= 500 VDC
V
我-O
= & ， F = 1MHz的
分钟。
7500
10
11
（典型值） *最大。
单位
VAC （ PK）
0.2
2
pF
*在T典型值
A
= 25°C
2005仙童半导体公司
4NXXM ， H11AXM版本1.0.0
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2
4NXXM ， H11AXM通用6引脚光电晶体管光耦合器
电气特性
（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
传输特性
符号
CTR
参数
电流传输比，
集电极到发射极
测试条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
设备
4N35M ， 4N36M ，
4N37M
H11A1M
H11A5M
4N25M ， 4N26M
H11A2M ， H11A3M
4N27M ， 4N28M
H11A4M
分钟。 （典型值） *最大。
100
50
30
20
10
40
40
0.5
0.3
0.4
单位
%
DC特性
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V,
T
A
= -55°C
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V,
T
A
= +100°C
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 2毫安，我
F
= 50毫安
I
C
= 0.5毫安，我
F
= 10毫安
4N35M ， 4N36M ，
4N37M
4N35M ， 4N36M ，
4N37M
4N25M ， 4N26M ，
4N27M ， 4N28M ，
4N35M ， 4N36M ，
4N37M
H11A1M ， H11A2M ，
H11A3M ， H11A4M ，
H11A5M
V
AC特性
T
ON
非饱和
开启时间
I
F
= 10毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
（图11）
4N25M ， 4N26M ，
4N27M ， 4N28M ，
H11A1M ， H11A2M ，
H11A3M ， H11A4 ，
H11A5M
4N35M ， 4N36M ，
4N37M
4N25M ， 4N26M ，
4N27M ， 4N28M ，
H11A1M ， H11A2M ，
H11A3M ， H11A4M ，
H11A5M
4N35M ， 4N36M ，
4N37M
2
s
I
C
= 2毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
（图11）
T
关闭
打开-O FF时间
I
F
= 10毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
（图11）
2
2
10
s
s
I
C
= 2毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
（图11）
*在T典型值
A
= 25°C
2
10
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4NXXM ， H11AXM版本1.0.0
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3
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典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.6
图2归CTR与正向电流
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25°C
归一
I
F
= 10毫安
1.7
1.4
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
1.2
1.5
归一化CTR
100
1.0
1.4
T
A
= -55°C
0.8
1.3
T
A
= 25°C
1.2
T
A
= 100°C
1.1
0.6
0.4
0.2
1.0
1
10
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.4
1.0
图。 4 CTR与RBE （不饱和）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
I
F
= 5毫安
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.0
I
F
= 20毫安
1.2
I
F
= 5毫安
归一化CTR
1.0
I
F
= 10毫安
0.8
0.6
I
F
= 20毫安
0.4
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
10
100
1000
T
A
- 环境温度（ ° C）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 5 CTR与RBE （饱和）
1.0
图。 6集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
100
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
V
CE
= 0.3 V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
0.001
0.01
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
T
A
= 25C
10
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
0.1
1
10
R
BE
- 基极电阻（K
)
I
C
- 集电极电流（毫安）
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图。 7开关速度与负载电阻
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10 V
T
A
= 25°C
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
图。 8归一吨
on
与
BE
开关速度 - （微秒）
100
10
T
关闭
T
f
T
on
1
T
r
0.1
0.1
1
10
100
归一吨
on
- (t
在（R
BE
)
/ t
（开）
)
V
CC =
10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
100
1000
10000
100000
R-负载电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻（K
)
图。 9归一吨
关闭
与
BE
1.4
1.3
图。 10暗电流与环境温度
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流（ NA）
10000
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
归一吨
关闭
- (t
关（R
BE
)
/ t
关（开）
)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
10
100
1000
10000
100000
V
CC =
10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
20
40
60
80
100
R
BE
- 基极电阻（K
)
T
A
- 环境温度（ ° C）
测试电路
V
CC
= 10V
波形
输入脉冲
I
F
输入
R
BE
I
C
R
L
10%
90%
t
r
t
on
我调整
F
制作我
C
= 2毫安
t
f
t
关闭
输出脉冲
产量
图11.开关时间测试电路和波形
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