【4AM17硅N / P沟道MOS FET高速电源开关ADE - 208-729 （ Z）1日。版19】,IC型号4AM17,4AM17 PDF资料,4AM17经销商,ic,电子元器件-51电子网

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4AM17

硅N / P沟道MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-729 （ Z）

1日。版

1999年2月

特点

低导通电阻

N沟道：

R

DS （ ON）

≤0.17 ,

V

GS

= 10 V，I

D

= 4 A

P沟道，R

DS （ ON）

≤

0.2

,

V

GS

= -10 V，I

D

= –4 A

4 V栅极驱动装置。

高密度安装

概要

SP-12

12

1

G

2

D

5

G

4

D

8

G

9

D

12

G

11

D

34

56

78

910

1112

S 3

S 6

S 7

S 10

1 ， 5，8， 12，门

2，第4 ，第9， 11，漏极

3 ，6，7 ， 10，源

4AM17

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

符号

评级

NCH

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.4设备操作

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH （TC = 25 ° C）

Note2

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

60

±20

8

32

8

PCH

–60

±20

–8

–32

–8

28

4.0

150

-55到+150

V

V

A

A

A

W

W

°C

°C

单位

2

4AM17

电气特性

（ TA = 25°C ）

（N通道）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

门串联电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

3.

脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Rg

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

60

±20

—

—

1.0

—

—

3.5

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

0.13

0.19

5.5

33

220

5.2

1.5

0.15

0.5

3.2

1.4

1.5

850

最大

—

—

±10

250

2.5

0.17

0.24

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

A

A

V

S

pF

pF

pF

k

ns

ns

ns

ns

V

ns

I

F

= 8 A，V

GS

= 0

I

F

= 8 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A /

s

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 50 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 4 A，V

GS

= 10 V

Note3

I

D

= 4 A，V

GS

= 4 V

Note3

I

D

= 4 A，V

DS

= 10 V

Note3

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= 10 V，I

D

= 4 A

R

L

= 7.5

3

4AM17

（ P沟道）

项

符号最小值

–60

±20

—

—

–1.0

—

—

3.5

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

0.15

0.2

6.0

17

460

1.2

3.2

0.6

2.1

12

5.8

–1.2

2.5

最大

—

—

±10

–250

–2.5

0.2

0.27

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

A

A

V

S

pF

pF

pF

k

ns

ns

ns

ns

V

ns

I

F

= -8 A ，V

GS

= 0

I

F

= -8 A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A /

s

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= –50 V, V

GS

= 0

V

DS

= -10 V，I

D

= -1毫安

I

D

= -4 A ，V

GS

= –10 V

Note3

I

D

= -4 A ，V

GS

= –4 V

Note3

I

D

= -4 A ，V

DS

= –10 V

Note3

V

DS

= –10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DS

= 0, V

GS

= 0，F = 1 MHz的

V

GS

= -10 V，I

D

= –4 A

R

L

= 7.5

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅极至源极击穿电压V

（ BR ） GSS

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

门串联电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

3.

脉冲测试

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Rg

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

4

4AM17

主要特点

最大通道损耗曲线

件（W）的

件（W）的

6

5

4

3

2

1

工况情况：散热频道

每个管芯是idetical

4设备操作

3设备操作

2设备操作

1设备操作

60

最大通道损耗曲线

工况情况：散热频道

每个管芯是idetical

4设备操作

3设备操作

2设备操作

1设备操作

集电极耗散功率

集电极耗散功率

20

10

0

25

50

75 100 125 150

环境温度锝（℃）

最高安全工作区

（ N沟道）

0

25

50

75 100 125

壳温度（ ° C）

最高安全工作区

（ P沟道）

150

50

I

D

(A)

I

D

(A)

20

10

5

D

C

–50

10

PW

10

=

0

s

–20

–10

–5

D

C

10

PW

10

=

1

10

m

m

s

0

s

s

1

s

sh

ot

10

漏电流

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.1

s

漏电流

m

s

m

s

(1

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

)

–2

–1

–0.5

–0.2

–0.1

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

(1

sh

ot

O

O

pe

ra

TIO

n

c

(T

=

n

TIO

ra

pe

(T

c

=

25

)

25

)

°C

°C

)

TA = 25℃

0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

TA = 25℃

–0.05

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

漏极至源极电压V

DS

(V)

5

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