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4AK17
硅N沟道功率MOS FET阵列
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
≤
0.045 , V
GS
= 10 V,I
D
= 10 A
R
DS ( ON)
≤
0.065 , V
GS
= 4 V,I
D
= 10 A
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
高速开关
高密度安装
适用于电机驱动器,螺线管驱动器和灯驱动
4AK17
概要
SP-10
3
D
4
G
2G
5
D
6
G
7
D
8
G
9
D
12
34
56
78
9 10
1S
S 10
1, 10.
来源
2 ,4,6 , 8,门
3,5 ,7, 9,漏极
绝对最大额定值
( TA = 25℃) ( 1组)
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.4设备操作
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
等级
60
±20
10
40
10
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
PCH ( TC = 25 ° C) *
2
28
4
150
-55到+150
2
4AK17
电气特性
( TA = 25℃) ( 1组)
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
民
60
±20
—
—
1.0
—
—
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意:
1.脉冲测试
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.033
0.04
17
1400
720
220
15
95
300
170
1.05
110
最大
—
—
±10
250
2.0
0.045
0.065
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 10 A,V
GS
= 0
I
F
= 10 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A / μs的
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V*
1
I
D
= 10 A
V
GS
= 4 V*
1
I
D
= 10 A
V
DS
= 10 V*
1
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 3
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
3
4AK17
最大通道损耗曲线
6
通道耗散P沟(W)的
5
4
3
2
1
工况情况:散热频道
每个模具是一样的
4设备操作
3设备操作
2设备操作
1设备操作
最大通道损耗曲线
30
通道耗散P沟(W)的
条件:散热频道
每个模具是一样的
4设备操作
3设备操作
2设备操作
1设备操作
20
10
0
25
75
50
100 125
环境温度Ta (C )
150
0
50
100 125
25
75
案例温度T
C
(°C)
150
最高安全工作区
100
10
s
典型的输出特性
50
10 V
8V
6V
4.5 V
4.0 V
脉冲测试
3.5 V
漏电流I
D
(A)
10
3
1.0
0.3
PW
=
漏电流I
D
(A)
30
ar
ea
40
0
10
O
每
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
DS
(o
n)
s
10
30
m
s
1
m
s
TA = 25°C
0.1
0.1
0.3
1.0
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
D
C
pe
O
ra
TIO
n
(T
C
=
(1
sh
o
20
3.0 V
t)
10
V
GS
= 2.5 V
25
°C
)
0
6
2
4
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
4
4AK17
典型的传输特性
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
75°C
T
C
= 25°C
–25°C
漏极至源极饱和电压
与门源电压
5
4
脉冲测试
40
漏电流I
D
(A)
30
3
I
D
= 50 A
20
2
10
1
20 A
10 A
0
3
1
2
4
栅极至源极电压V
GS
(V)
5
0
6
2
4
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极静阻力
R
DS
(上)( Ω )
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
0.5
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
静态漏源导通状态
电阻与温度
0.10
脉冲测试
I
D
= 20 A
10 A
V
GS
= 4 V
10 A
0.2
V
GS
= 4 V
0.08
0.1
0.05
10 V
0.06
20 A 5 A
0.04
5A
0.02
0.01
0.005
1
2
50
10
5
20
漏电流I
D
(A)
100
0.02
V
GS
= 10 V
0
–40
80
0
40
120
案例温度T
C
(°C)
160
5
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4AK17
PDF信息
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43879-0022
420AXW68M18X30
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