【4AK16硅N沟道功率MOS FET阵列应用高速电源开关特点低导通电阻RDS （ ON）≤0.18 】,IC型号4AK16,4AK16 PDF资料,4AK16经销商,ic,电子元器件-51电子网

4AK16

硅N沟道功率MOS FET阵列

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

DS （ ON）

≤

0.18 , V

= 10 V，I

= 5 A

DS （ ON）

≤

0.25 , V

= 4 V，I

= 5 A

能够4 V栅极驱动

低驱动电流

高速开关

高密度安装

适用于电机驱动器，螺线管驱动器和灯驱动

4AK16

概要

SP-10

9 10

S 10

1, 10.

来源

2 ，4，6 ， 8，门

3，5 ，7， 9，漏极

绝对最大额定值

（ TA = 25℃）（ 1组）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.4设备操作

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

PCH *

总胆固醇

TSTG

等级

±20

单位

°C

PCH （ TC = 25 ° C） *

150

-55到+150

4AK16

电气特性

（ TA = 25℃）（ 1组）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

民

±20

—

1.0

—

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

注意：

1.脉冲测试

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

3.5

—

典型值

—

0.12

0.17

6.0

400

220

140

1.0

100

最大

—

±10

250

2.0

0.18

0.25

—

单位

= 5 A，V

= 0

= 5 A，V

= 0

DIF / DT = 50 A / μs的

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±16

V, V

= 0

= 50 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

= 5 A

= 10 V*

= 5 A

= 4 V*

= 5 A

= 10 V*

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 5 A

= 10 V

= 6

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

GS （ OFF ）

DS （ ON）

4AK16

最大通道损耗曲线

通道耗散P沟（W）的

工况情况：散热频道

每个模具是一样的

4设备操作

3设备操作

2设备操作

1设备操作

最大通道损耗曲线

条件：散热频道

每个模具是一样的

4设备操作

3设备操作

2设备操作

1设备操作

100 125

环境温度Ta （C ）

150

100 125

案例温度T

(°C)

150

最高安全工作区

典型的输出特性

漏电流I

(A)

10 V

脉冲测试

漏电流I

(A)

每

在林

ITE离子

d。在

由次

R是

1.0

0.3

0.1

3.5 V

)

1 m

3.0 V

TIO

°C

)

2.5 V

= 2.0 V

TA = 25°C

0.05

0.1

0.3

1.0

100

漏极至源极电压V

(V)

漏极至源极电压V

(V)

4AK16

典型的传输特性

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

(V)

= 10 V

脉冲测试

漏极至源极饱和电压

与门源电压

2.0

1.6

10 A

脉冲测试

漏电流I

(A)

1.2

0.8

= 2 A

75°C

–25°C

= 25°C

0.4

1.0

栅极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

1.0

0.5

脉冲测试

= 4 V

静态漏源导通状态

电阻与温度

0.5

脉冲测试

= 10 A

= 4 V

0.4

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.5

10 V

0.3

0.2

0.1

= 10 V

10 A

1.0

漏电流I

(A)

–40

120

案例温度T

(°C)

160

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