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ISL6545 , ISL6545A
数据表
2006年11月15日
FN6305.3
5V或12V单同步降压
脉冲宽度调制(PWM )控制器
该ISL6545使简单的工作,从实施的
完整的控制和保护方案的DC / DC降压型
变频器驱动N沟道MOSFET同步降压
拓扑结构。因为它可与5V或12V电源工作,这
一个IC可以在各种各样的内一个应用程序中使用
系统。该ISL6545集成了控制,栅极驱动器,输出
调整,监控和保护功能集成到一个单一的8
LD SOIC或10 Ld的DFN封装。
该ISL6545提供了一个反馈回路,电压模式
控制,具有快速的瞬态响应。输出电压可以是
精确地调节到低至0.6V ,最大
公差为± 1.0 %,温度和电源电压
的变化。一个可选的固定频率振荡器( ISL6545为
300kHz的; ISL6545A为600kHz的)降低了设计的复杂性,
而均衡的典型应用成本和效率。
误差放大器具有20MHz的增益带宽
产品和9V / μs压摆率使高转换
带宽快速的瞬态性能。由此产生的
PWM占空比的范围从0 %到100% 。
保护从过电流条件被设置
监测第r
DS ( ON)
较低的MOSFET来抑制PWM的
操作适当。该方法简化了
执行和通过消除提高了效率
需要的电流检测电阻器。
特点
工作于+ 5V或+ 12V电源电压(偏置)
- 1.0V至12V V
IN
输入范围(高达20V可能的
限制;看到输入电压的注意事项)
- 0.6V至V
IN
输出范围
- 集成门极驱动器采用V
CC
( 5V至12V )
- 0.6V内部基准; ± 1.0 %的容差
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
- 驱动N沟道MOSFET
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0%至100%占空比
无损,可编程过流保护
- 使用低MOSFET的
DS ( ON)
在8 Ld的SOIC或10 Ld的DFN小尺寸转换器
- 为300kHz或600kHz的固定频率振荡器
- 固定内部软启动,有能力进入预偏置
负载
- 集成自举二极管
- 启用/ COMP / SD引脚关断功能
- 输出电流源出和吸收
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
电源微处理器或外围设备
- 个人电脑,嵌入式控制器,存储器电源
- DSP与核心通讯处理器供应
子系统电源
- PCI , AGP ,图形卡;数字电视
- SSTL - 2和DDR / DDR2 / DDR3 SDRAM总线
端接电源
电缆调制解调器,机顶盒和DSL调制解调器
工业电源;通用耗材
5V或12V ,输入DC / DC稳压器
引脚
ISL6545 ( SOIC )
顶视图
BOOT 1
UGATE 2
GND 3
LGATE / 4 OCSET
8相
7 COMP / SD
6 FB
5 VCC
ISL6545 ( 10 LD的3x3 DFN )
顶视图
低电压分布式电源
BOOT
UGATE
N / C
GND
LGATE / OCSET
1
2
3
4
5
GND
10相
9 COMP / SD
8
7
FB
N / C
6 VCC
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2006.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
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ISL6545 , ISL6545A
*
订购信息
产品型号
ISL6545CBZ * ( 300kHz的)
ISL6545ACBZ*(600kHz)
(注)
ISL6545IBZ * ( 300kHz的)
(注)
ISL6545AIBZ * ( 600kHz的)
(注)
ISL6545CRZ * ( 300kHz的)
(注)
ISL6545ACRZ * ( 600kHz的)
(注)
ISL6545IRZ * ( 300kHz的)
(注)
ISL6545AIRZ * ( 600kHz的)
(注)
ISL6545EVAL1
ISL6545AEVAL1
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类,可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
最热
6545 CBZ
6545 ACBZ
6545 IBZ
6545 AIBZ
545Z
45AZ
45IZ
5ARZ
评估板( SO - 8 )
评估板( SO - 8 )
温度。
范围(° C)
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC (无铅)
10 Ld的DFN (无铅)
10 Ld的DFN (无铅)
10 Ld的DFN (无铅)
10 Ld的DFN (无铅)
PKG 。 DWG 。 #
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
L10.3x3C
L10.3x3C
L10.3x3C
L10.3x3C
2
FN6305.3
2006年11月15日
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ISL6545 , ISL6545A
框图
VCC
D
BOOT
样品
HOLD
21.5μA
错误
AMP
0.6V
+
-
20kΩ
PWM
比较
+
-
抑制
控制
PWM逻辑
DIS
5V INT 。
20μA
0.4V
LGATE / OCSET
+
-
DIS
振荡器
FIXED 300 (或600 )千赫
GND
+
-
POR和
软启动
国内
调节器
5V INT 。
BOOT
UGATE
OC
比较
TO
LGATE / OCSET
VCC
FB
COMP / SD
典型用途
V
CC
5V或12V
V
IN
1V-12V
C
体积
C
HF
C
DCPL
VCC
5
ISL6545
COMP / SD
R
F
C
I
C
F
6
FB
II型
赔偿金
3
7
2
1
8
BOOT
C
BOOT
UGATE
L
OUT
+V
O
LGATE / OCSET
4
GND
R
OCSET
C
OUT
R
OFFSET
R
S
3
FN6305.3
2006年11月15日
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ISL6545 , ISL6545A
绝对最大额定值
电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V
启动电压,V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至36V
UGATE电压V
UGATE
. . . . . . . . V
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
LGATE / OCSET电压,V
LGATE / OCSET
GND - 0.3V至V
CC
+ 0.3V
相电压,V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
上部驱动器电源电压,V
BOOT
- V
. . . . . . . . . . . . .15V
钳位电压V
BOOT
- V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24V
FB , COMP / SD电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至6V
ESD分类, HBM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5KV
ESD分类, MM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150V
ESD分类,清洁发展机制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在1.0kV
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
DFN封装(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
44
5.5
最高结温
(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度
(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
( SOIC - 只会提示)
工作条件
电源电压,V
CC
。 。 。 。 + 5V ± 10 % , + 12V ± 20 % ,或6.5V至14.4V
环境温度范围
ISL6545C , ISL6545AC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
ISL6545I , ISL6545AI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量与安装在自由空气中高效热传导测试板的组成部分,与“直连”功能。看
技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
4.由设计保证;未经生产测试
电气规格
参数
V
CC
电源电流
输入偏置电源电流
上电复位
瑞星V
CC
POR阈值
V
CC
POR阈值迟滞
振荡器
开关频率
测试条件: V
CC
= 12V ,T
J
= 0 85 ° C,除非另有说明。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC
V
POR
V
CC
= 12V ;残
4
5.2
7
mA
3.9
0.30
4.1
0.35
4.3
0.40
V
V
f
OSC
f
OSC
ISL6545C
ISL6545I
ISL6545AC
ISL6545AI
270
240
540
510
300
300
600
600
1.5
330
330
660
660
千赫
千赫
千赫
千赫
V
P-P
斜坡幅度(注4 )
参考
参考电压容差
ΔV
OSC
ISL6545C
ISL6545I
-1.0
-1.5
-
-
0.600
+1.0
+1.5
%
%
V
标称参考电压
误差放大器器
DC增益(注4 )
增益带宽积(注4 )
压摆率(注4 )
栅极驱动器
上栅源阻抗
上栅漏阻抗
更低的栅极源阻抗
V
REF
收益
增益带宽积
SR
-
-
-
96
20
9
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
Ω
Ω
Ω
R
UG- SRCH
R
UG- SNKh
R
LG- SRCH
V
CC
= 14.5V ; I = 50毫安
V
CC
= 14.5V ; I = 50毫安
V
CC
= 14.5V ; I = 50毫安
-
-
-
3.0
2.7
2.4
-
-
-
4
FN6305.3
2006年11月15日
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ISL6545 , ISL6545A
电气规格
参数
更低的栅极漏阻抗
上栅源阻抗
上栅漏阻抗
更低的栅极源阻抗
更低的栅极漏阻抗
保护/禁用
OCSET电流源
I
OCSET
V
关闭
ISL6545C ; LGATE / OCSET = 0V
ISL6545I ; LGATE / OCSET = 0V
关断阈值( COMP / SD引脚)
19.5
18.0
0.375
21.5
21.5
0.400
23.5
23.5
0.425
μA
μA
V
测试条件: V
CC
= 12V ,T
J
= 0 85 ° C,除非另有说明。
(续)
符号
R
LG- SNKh
R
UG- SRCL
R
UG- SNKl
R
LG- SRCL
R
LG- SNKl
测试条件
V
CC
= 14.5V ; I = 50毫安
V
CC
= 4.25V ; I = 50毫安
V
CC
= 4.25V ; I = 50毫安
V
CC
= 4.25V ; I = 50毫安
V
CC
= 4.25V ; I = 50毫安
-
-
-
-
-
典型值
2.0
3.5
2.7
2.75
2.1
最大
-
-
-
-
-
单位
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
功能引脚说明( SOIC , DFN )
VCC (引脚SOIC 5 , DFN引脚6 )
该引脚提供偏置电源用于ISL6545 ,以及
较低的MOSFET的栅极和引导电压为
上MOSFET的栅极。内部5V稳压器将提供
如果偏差V
CC
上升到高于6.5V (但LGATE / OCSET和
BOOT仍将由VCC可提供) 。连接良好
脱钩5V或12V电源到该引脚。
COMP / SD ( SOIC引脚7引脚DFN 9 )
这是一个复用的引脚。在软启动和正常转换器
操作时,该引脚代表误差放大器的输出端。
使用COMP / SD ,与FB引脚的组合,以补偿
该转换器的电压控制反馈环路。
拉COMP / SD低(V
关闭
= 0.4V标称值)会
关闭(禁用)的控制器,它使
振荡器停振,对LGATE和UGATE产出举行
低,并且软启动电路以重新臂。外部上拉
下降器将首先需要克服最多的5毫安
COMP / SD输出电流。然而,一旦在IC处于关闭状态,
在COMP输出也会被禁止,所以只有20μA
电流源将继续吸取电流。
当下拉器件被释放时, COMP / SD引脚
将开始上升,在由20μA充电决定的速率
上来就COMP / SD引脚的电容。当
COMP / SD引脚上升到超过V
关闭
跳变点,则
ISL6545将开始一个新的初始化和软启动周期。
FB ( SOIC引脚6引脚DFN 8 )
该引脚是内部误差放大器的反相输入端。利用
FB ,与COMP / SD引脚的组合,以补偿
该转换器的电压控制反馈环路。一个电阻分压器
从输出到GND用于设定调节电压。
GND ( SOIC引脚3 ,引脚DFN 4)
该引脚表示为IC的信号和电源接地。
通过最低将此引脚连接到接地岛/平面
阻抗连接可用。对于DFN封装,引脚
4必须连接电气接地;金属垫
下包也应该连接到GND
平面热导率。
LGATE / OCSET (引脚SOIC 4 ,引脚DFN 5 )
将此引脚连接到下MOSFET的栅极;它提供
在PWM控制的栅极驱动器(从V
CC
) 。该引脚也
通过自适应贯通保护电路监控
确定当低端MOSFET已关闭。
在时间下面的上电复位短期内
( POR )或关机发布,该引脚也可用于
确定转换器的过电流阈值。
连接一个电阻(R
OCSET
)从这个引脚GND 。见
过电流保护
部分方程。一
过电流跳闸循环软启动功能,双后
虚软启动超时。一些描述文字
LGATE功能可以离开关名称的OCSET部分
当它是不相关的讨论。
PHASE ( SOIC 8引脚,引脚DFN 10 )
该引脚连接到上层MOSFET的源极和
下MOSFET的漏极。它被用作信宿的
UGATE驱动程序,并监控跨越的电压降
过电流保护低端MOSFET 。该引脚也
通过自适应贯通保护电路监测
以确定何时上部MOSFET已关闭。
UGATE ( SOIC引脚2 ,引脚DFN 2)
将此引脚连接到上层MOSFET的栅极;它提供
在PWM控制的栅极驱动。它也被监视的
自适应贯通保护电路来确定
当上部MOSFET已关闭。
N / C ( DFN只;引脚3 ,引脚7 )
这两个引脚DFN封装的无连接。
BOOT ( SOIC引脚1 ,引脚DFN 1)
该引脚提供接地参考偏置电压上
MOSFET驱动器。一个自举电路,用于产生一个电压
合适的用于驱动一个N沟道MOSFET (等于V
CC
片内BOOT二极管的压降) ,相对于相。
5
FN6305.3
2006年11月15日
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