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数据表
双双极运算放大器
概述
该AZ4559包括两个高性能
运算放大器。该IC具有高增益,低
等效输入噪声电压,优秀渠道
分离,宽范围工作电压和
内部频率补偿。
它可以与± 18V最大供电工作
电压或单电源高达36V 。
该AZ4559是提供DIP -8和SOIC- 8封装
老少皆宜。
AZ4559
特点
·
·
·
·
·
·
内部频率补偿
大信号电压增益:典型百分贝
增益和相位放大器器之间的匹配
增益带宽积(在10KHz ) :为6MHz
压摆率: 3V /μs的典型
引脚对引脚兼容MC1458
应用
·
·
音频的AC-3解码器系统
音频放大器器
SOIC-8
DIP-8
AZ4559图1.包装类型
2006年8月修订版1.2
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
双双极运算放大器
引脚配置
男包/ P封装
(SOIC-8/DIP-8)
输出1
输入1
输入1+
V
EE
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
输出2
输入2-
输入2+
AZ4559
图2. AZ4559的引脚配置(顶视图)
功能框图
V
CC
- 输入
+输入
产量
V
EE
图3. AZ4559的功能框图(每个放大器)
2006年8月修订版1.2
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
双双极运算放大器
订购信息
AZ4559
-
E1 :无铅
AZ4559
电路类型
M: SOIC - 8
P: DIP - 8
温度
范围
-40到85
o
C
-40到85
o
C
产品型号
铅锡
AZ4559M
AZ4559MTR
AZ4559P
无铅
AZ4559M-E1
AZ4559MTR-E1
AZ4559P-E1
空白:铅锡
TR :磁带和卷轴
空白:管
标记ID
铅锡
4559M
4559M
AZ4559P
无铅
4559M-E1
4559M-E1
AZ4559P-E1
包装类型
磁带&卷轴
SOIC-8
DIP-8
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
绝对最大额定值(注1 )
参数
电源电压
输入电压
差分输入电压
工作结温
存储温度范围
引线温度(焊接10秒)
功耗
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
ID
T
J
T
英镑
T
L
DIP
P
D
SOIC
价值
+20
-20
±15
±30
150
-65到150
260
800
500
mW
单位
V
V
V
V
o
C
o
C
o
C
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度范围
2006年8月修订版1.2
3
±2
-40
最大
±18
85
单位
V
o
C
BCD半导体制造有限公司
数据表
双双极运算放大器
电气特性
工作条件: V
CC
=
+
15V, V
EE
= -15V ,T
A
=25
o
C,除非另有规定ED 。
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
大信号电压增益
电源电压抑制比
电源电流
输入共模电压
范围
共模抑制比
输出电压摆幅
符号
V
IO
I
IO
I
IB
A
VD
SVR
I
CC
V
ICM
CMRR
V
O
R
S
≤10k
R
L
≥10k
R
L
≥2k
V
I
=
±
10V ,R
L
=2k,
C
L
= 100pF的,单位增益
V
I
=
±
为20mV ,R
L
=2k,
C
L
= 100pF的,单位增益
V
I
= ± 20mV的,R
L
=为2kΩ ,C
L
= 100pF的,统一
收益
0.3
V
CM
=0V
V
CM
=0V
R
L
=
2k,
V
O
=±10V
R
S
≤10k
所有放大器,空载
85
80
条件
典型值
0.5
10
70
100
95
2.5
5.0
最大
3
100
400
单位
mV
nA
nA
dB
dB
mA
V
95
dB
V
V/
s
AZ4559
±
12
70
±
12
±
10
±
14
±
13
3.0
0.25
9
0.7
45
压摆率
上升时间
输入阻抗
输出电阻
单位增益带宽
增益带宽积
总谐波失真加
噪音
等效输入噪声电压
密度
输出电流
SR
T
R
K
OV
R
I
R
O
B
增益带宽积
THD + N
e
N
I
SINK
I
来源
s
%
M
兆赫
兆赫
%
3.5
V
I
=
±
为10mV ,R
L
=2k,
C
L
= 100pF的, F = 10KHz的
F = 1kHz时,A
V
= 6分贝,R
L
=10k,
V
O
=1V
RMS
R
S
= 100Ω , F = 1KHz的
V-=1V, V+=0V, V
O
=2V
V+=1V, V-= 0V, V
O
=2V
6.0
0.002
10
65
nV
-
---------
Hz
mA
35
2006年8月修订版1.2
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
双双极运算放大器
典型性能特性
AZ4559
120
20
100
最大输出电压摆幅( V)
开环增益(dB )
15
80
60
10
V
CC
=+15V, V
EE
=-15V,
R
L
=2K
, THD + N<5 %
40
20
5
0
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
1
10
100
1k
10k
100k
1M
频率(Hz)
频率(Hz)
图4.开环电压增益与频率
图5.最大输出电压摆幅与频率的关系
16
3.2
12
最大输出电压摆幅( V)
3.0
8
P 2 O 5 sitive V LTA克(E S) W的克
电源电流(mA )
的Ne克略去V LTA克(E S) W的克
2.8
4
2.6
0
-4
2.4
-8
2.2
-12
2.0
1k
10k
-16
100
-40.0
-20.0
0.0
20.0
40.0
60.0
O
80.0
100.0
120.0
SISTA CE 1。·一D(
)
温度(℃)
图6.最大输出电压摆幅
和负载电阻
图7.电源电流与温度的关系
2006年8月修订版1.2
5
BCD半导体制造有限公司
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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