【43.5-46.5 GHz的砷化镓MMIC功率放大器2005年4月 - 修订版01 -APR- 05】,IC型号44MPA0478,44MPA0478 PDF资料,44MPA0478经销商,ic,电子元器件-51电子网

43.5-46.5 GHz的砷化镓MMIC

功率放大器

2005年4月 - 修订版01 -APR- 05

44MPA0478

芯片设备布局

特点

优秀的饱和输出级

平衡的设计提供了良好的输入/输出匹配

14.0分贝小信号增益

+29 dBm的P1dB压缩点

100 ％的晶片RF ， DC和输出功率测试

100 ％目视检查，以MIL -STD- 883

方法2010

概述

MIMIX宽带的三段均衡43.5 - 46.5

GHz的砷化镓MMIC功率放大器有一个小信号

14.0 dB的增益有29.0 dBm的P1dB的输出

压缩点。该装置还包括朗格

耦合器，以实现良好的输入和输出回波

损失。这MMIC采用MIMIX宽带的0.15

砷化镓

PHEMT器件的模型技术，并基于

电子束光刻，以确保高

重复性和均匀性。该芯片具有表面

钝化保护，并提供一个坚固的部分与

通孔和镀金允许擦屁股

无论是导电环氧树脂或共晶焊死

重视过程。这个装置是非常适合

毫米波点至点收音机， LMDS ，卫星通信

和VSAT应用。

电气特性（环境温度T = 25

参数

频率范围（ F）

输入回波损耗（ S11 ）

输出回波损耗（ S22 ）

小信号增益（ S21 ）

增益平坦度（ ΔS21 ）

反向隔离（ S12 ）

输出功率的1dB压缩（ P1dB为）

漏极偏置电压（ Vd1,2,3 ）

栅极偏置电压（ Vg1,2,3 ）

电源电流（ ID）（ VD = 5.0V ， V G = -0.5V典型）

（ 2 ）使用恒定电流测量。

电源电压（ VD）

电源电流（ID）

栅极偏置电压（ VG）

输入功率（Pin ）

存储温度（ TSTG ）

工作温度（Ta ）

通道温度（ TCH）

分钟。

43.5

-1.0

绝对最大额定值

+6.0伏

2360毫安

+0.3 VDC

+23 dBm的

-65 + 165

-55到MTTF表

MTTF表

（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是

建议保持通道温度低至

可能的最大生命值。

单位

GHz的

DBM

VDC

典型值。

25.0

14.0

+/-1.0

45.0

+29.0

+5.0

-0.5

1440

TIO

马克斯。

46.5

+5.5

0.0

2160

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。

2005

MIMIX宽带公司

出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受

他们有义务要符合美国的出口法律。

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功率放大器

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44MPA0478

功率放大器的测量

44MPA0478 VD = 5V ，ID1的Id2 = = 360毫安， ID3 = 720毫安

-2

-4

-6

-8

-10

-12

-14

-16

-18

-20

-22

-24

-26

-28

-30

-32

-34

30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

频率（GHz ）

44MPA0478 VD = 5V ，ID1的Id2 = = 360毫安， ID3 = 720毫安

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

-65

-70

-75

-80

反向隔离度（dB ）

30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

频率（GHz ）

44MPA0478 VD = 5V ，ID1的Id2 = = 360毫安， ID3 = 720毫安

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

输入和输出回波损耗（dB ）

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

44MPA0478 VD = 5V ，ID1的Id2 = = 360毫安， ID3 = 720毫安

32.5

31.5

30.5

PoutCorr

29.5

28.5

27.5

26.5

25.5

42.8

43.2

43.4

43.6

30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

频率（GHz ）

0478_wafer扫：噘VS频率在引脚= 20dBm的

30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

频率（GHz ）

43.8

频率（千兆赫）

44.2

44.4

44.6

44.8

45.2

增益（ dB）的

TIO

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44MPA0478

0.937

(0.037)

1.438

(0.057)

1.937

2.337

(0.076) (0.092)

2.936

(0.116)

3.538

(0.139)

机械制图

2.490

(0.098)

1.549

(0.061)

TIO

0.0

0.937

(0.037)

1.438

(0.057)

1.937 2.337

(0.076) (0.092)

0.933

(0.037)

（注：工程代号是44MPA0478 ）

焊盘＃ 1 （ RF输入）

焊盘＃ 2 （ Vg1A ）

焊盘＃ 3 （ Vd1A ）

焊盘＃ 4 （ Vg2A ）

Vg1,2

单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。

厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ），背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金

所有的DC接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ）。所有RF接合焊盘是0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ）

接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。

切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ）。大约重量： 6.680毫克。

焊盘＃ 5 （ Vd2A ）

焊盘＃ 6 （ Vg3A ）

焊盘＃ 7 （ Vd3A ）

焊盘＃ 8 （ RF输出）

焊盘＃ 9 （ Vd3B ）

焊盘＃ 10 （ Vg3B ）

焊盘＃ 11 Vd2B ）

焊盘＃ 12 （ Vg2B ）

焊盘＃ 13 （ Vd1B ）

焊盘＃ 14 （ Vg1B ）

偏置安排

Vg3

2.936

(0.116)

3.538

(0.139)

4.330

(0.170)

旁路电容

- 参见应用笔记[ 2 ]

Vg1,2

Vg3

在RF

RF OUT

在RF

RF OUT

Vd1,2

Vd3

Vd1,2

Vd3

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应用笔记[1]偏置

建议通过Vd3的单独偏置每个放大器级Vd1的在Vd的（ 1,2,3） = 5.0V与为Id1的Id2 = = 360毫安，并

44MPA0478

应用笔记[2]偏置安排

对于个人级的偏置（推荐饱和的应用程序） - 每个DC垫（ Vd1,2,3和Vg1,2,3 ）需要有DC旁路电容

（ 100-200粉煤）作为靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。所有的DC垫被捆绑

一起在芯片上，并且可以从任一侧被偏置。

MTTF表（ TBD）

背板

温度

55度摄氏

75度摄氏

95度摄氏

通道

温度

165.2度摄氏

191.4度摄氏

217.1度摄氏

RTH

分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。

平均无故障时间

VD3A

R = 16欧姆

FITS

78.5 C / W

82.8 C / W

87.0 C / W

VD2A

R = 15欧姆

3.65E+06

3.89E+05

5.48E+04

2.74E+02

2.57E+03

9.13E+03

设备原理图

VG1A

VD1A

VG2A

R = 20欧姆

R = 16欧姆

偏置条件：

VD = 5V ，ID1的Id2 = = 360 mA时， ID3 = 720毫安

VG3A

R = 20欧姆

RFIN

R = 16欧姆

R = 50欧姆

R = 20欧姆

R = 16欧姆

R = 20欧姆

R = 16欧姆

VG1B

VD1B

VG2B

VD2B

VG3B

VD3B

TIO

R = 50欧姆

对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的漏或栅焊盘DC旁路

电容器（ 100-200粉煤）可以组合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）也建议所有的DC或组合（如门或

直流偏置垫水渠连接在一起）。所有的DC焊盘已连接在一起的芯片，并且可以从任一侧被偏置。

RF OUT

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ID3 = 720毫安。单独的偏置，建议如果放大器是在高水平的饱和度，其中栅极精馏将改变要使用的

有效的栅极控制电压。对于非关键应用是可能的平行所有阶段和调整公共栅极电压，共漏极

电流Id （总） = 1440毫安。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这

给出了最可重复的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路可以是一个

单个晶体管或低功率运算放大器，具有串联地用于感测电流的漏极供给的低值电阻。的栅极

所述的pHEMT被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.5V 。通常情况下，

栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压

可施加正的漏极供应之前。

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搬运和装配信息

注意！

- MIMIX宽带MMIC产品含有砷化镓（GaAs ），这是很危险的

人体和环境。为安全起见，请遵循以下步骤：

勿摄取。

不改变本产品通过燃烧的形式转化为气体，粉末或液体，粉碎，或化学

处理这些副产品是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。

遵守政府的法律和丢弃本产品时，公司的规定。该产品必须是

丢弃按照适用的有害废物的程序所指定的方法。

引线键合

- 窗的表面钝化上面键合焊盘被提供，以允许金属丝键合到

模的金结合垫。推荐使用引线键合过程使用0.076毫米X 0.013毫米（ 0.003" X

0.0005" ） 99.99 ％的纯金丝带0.5-2 ％的伸长率，以减少RF端口债券电感。黄金0.025毫米

（ 0.001" ）直径楔形或球的债券是可以接受的直流偏置连接。铝线应

避免使用。热压粘合建议虽然热超声键合，可以使用提供

债券的超声波含量最小化。粘结力，时间和超声波都是至关重要的参数。

键应当在管芯的封装或基板上而制成的键合焊盘。所有债券应尽可能短

成为可能。

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芯片连接

- 从MIMIX宽带砷化镓产品有0.100毫米（ 0.004" ）厚，并通过与有孔

擦屁股使接地电路。微带基片应使尽可能靠近模具作为

可能。安装面应洁净，平整。如果使用导电环氧树脂，环氧树脂推荐的

Ablestick 84-1LMI或84-1LMIT固化在每个制造商的固化时间为氮气气氛。适用于环氧树脂

谨慎，以避免对于模具的顶表面上得到任何。环氧角应是总周围可见

死亡边缘。若共晶的安装是优选的，然后无焊剂的金 - 锡（金锡）预型件，约0.001

厚，置于模具和安装面之间应使用。一个贴片机，它利用热

夹头和提供擦洗作用，以确保总的润湿，以防止在氮气氛中形成空隙

值得推荐。金 - 锡共晶（80％金20％ Sn）的具有约280℃ （注意，熔点：金

锗应避免）。该工作站的温度应该是310℃

10℃暴露于这些

极端的温度应保持在最低限度。套爪应加热，并在模具预加热，以避免

过度的热冲击。空中桥梁和影响力的是避免放置过程中是至关重要的。

ESD

- 砷化镓（GaAs ）器件易受静电和机械损伤。模具供应

抗静电容器，应在无尘室条件下开于适当接地的防

静态工作站。设备需要采用正确的设计夹头，真空或皮卡，小心小心处理，

锋利的镊子。

生命支持政策

- MIMIX宽带的产品不得用于生命支持应用的关键组件

没有总裁兼总法律顾问MIMIX的明确书面许可，设备或系统

宽带。特此说明：（ 1 ）生命支持设备或系统指：（a ）打算通过设备或系统

外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，而其不履行时的正确使用

按照标示中提供的使用说明，可合理预期会导致在

显著的伤害到用户。（ 2 ）关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件

不履行可以合理预期造成的生命支持设备或系统故障，或

影响其安全性或有效性。

TIO