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铁氧体陶瓷
数据表
E32/6/20
平面E型磁芯
产品speci fi cation
取代1997年11月数据
在铁氧体陶瓷文件， MA01
1999年12月23日
飞利浦元件
产品speci fi cation
平面E型磁芯
磁芯
一组E型磁芯的有效核心参数
符号
Σ （ I / A）
V
e
I
e
A
e
m
参数
核心因子（C1）的
有效容积
有效长度
有效面积
核心质量的一半
价值
0.323
5380
41.7
129
≈13
单位
mm
1
mm
3
mm
mm
2
g
R0.25 （典型值） 。
手册， halfpage
E32/6/20
31.75
±0.64
24.9分钟。
6.35
±0.13
3.18
±0.2
6.35
±0.13
20.32
±0.41
R0.64参考。 （典型值） 。
CBW407
尺寸（mm） 。
图1 E32 / 6/20 。
一个E / PLT组合的有效核心参数
符号
Σ （ I / A）
V
e
I
e
A
e
m
参数
核心因子（C1）的
有效容积
有效长度
有效面积
板质量
价值
0.278
4560
35.9
129
≈10
单位
mm
1
mm
3
mm
mm
2
g
手册， halfpage
31.75
±0.64
3.18
±0.13
订购信息板
GRADE
3C90
3C94
3C96
3F3
3F4
类型编号
PLT32/20/3-3C90
PLT32/20/3-3C94
PLT32/20/3-3C96
PLT32/20/3-3F3
PLT32/20/3-3F4
R0.64参考。 （典型值） 。
CBW408
20.32
±0.41
尺寸（mm） 。
图2 PLT32 / 20/3 。
1999年12月23日
2
飞利浦元件
产品speci fi cation
平面E型磁芯
E32/6/20
半磁心组合使用的E芯
A
L
结合测定用不带气隙的铁芯一半，夹紧力为甲
L
测量， 30
±10
N,
除非另有说明。
GRADE
3C90
A
L
（ NH）
160
±3%
(1)
250
±3%
(1)
315
±3%
400
±5%
630
±8%
6425
±25%
3C94
160
±3%
(1)
250
±3%
(1)
315
±3%
400
±5%
630
±8%
6425
±25%
3C96
3F3
6425
±25%
160
±3%
(1)
250
±3%
(1)
315
±3%
400
±5%
630
±8%
5900
±25%
3F4
160
±3%
(1)
250
±3%
(1)
315
±3%
400
±5%
630
±8%
3200
±25%
记
1.测量结合的平等跳空E磁芯的一半，锁模力为一
L
测量， 30
±10
N.
e
≈41
≈64
≈81
≈103
≈162
≈1650
≈41
≈64
≈81
≈103
≈162
≈1650
≈1650
≈41
≈64
≈81
≈103
≈162
≈1520
≈41
≈64
≈81
≈103
≈162
≈820
AIR GAP
(m)
≈1200
≈700
≈550
≈450
≈260
≈0
≈1200
≈700
≈550
≈450
≈260
≈0
≈0
≈1200
≈700
≈550
≈450
≈260
≈0
≈1200
≈700
≈550
≈450
≈260
≈0
类型编号
E32/6-3C90-E160-E
E32/6-3C90-E250-E
E32/6-3C90-A315-E
E32/6-3C90-A400-E
E32/6-3C90-A630-E
E32/6/20-3C90
E32/6-3C94-E160-E
E32/6-3C94-E250-E
E32/6-3C94-E315-E
E32/6-3C94-E400-E
E32/6-3C94-E630-E
E32/6/20-3C94
E32/6/20-3C96
E32/6-3F3-E160-E
E32/6-3F3-E250-E
E32/6-3F3-A315-E
E32/6-3F3-A400-E
E32/6-3F3-A630-E
E32/6/20-3F3
E32/6-3F4-E160-E
E32/6-3F4-E250-E
E32/6-3F4-A315-E
E32/6-3F4-A400-E
E32/6-3F4-A630-E
E32/6/20-3F4
1999年12月23日
3
飞利浦元件
产品speci fi cation
平面E型磁芯
结合使用半磁心用板（ PLT）的
A
L
结合测定用板（PLT），夹紧力为甲
L
测量， 30
±10
N.
GRADE
3C90
A
L
（ NH）
160
±3%
250
±3%
315
±3%
400
±5%
630
±8%
7350
±25%
3C94
160
±3%
250
±3%
315
±3%
400
±5%
630
±8%
7350
±25%
3C96
3F3
7350
±25%
160
±3%
250
±3%
315
±3%
400
±5%
630
±8%
6780
±25%
3F4
160
±3%
250
±3%
315
±3%
400
±5%
630
±8%
3700
±25%
e
≈35
≈55
≈69
≈87
≈138
≈1610
≈35
≈55
≈69
≈87
≈138
≈1610
≈1610
≈35
≈55
≈69
≈87
≈138
≈1490
≈35
≈55
≈69
≈87
≈138
≈810
AIR GAP
(m)
≈1200
≈700
≈550
≈450
≈260
≈0
≈1200
≈700
≈550
≈450
≈260
≈0
≈0
≈1200
≈700
≈550
≈450
≈260
≈0
≈1200
≈700
≈550
≈450
≈260
≈0
E32/6/20
类型编号
E32/6-3C90-A160-P
E32/6-3C90-A250-P
E32/6-3C90-A315-P
E32/6-3C90-A400-P
E32/6-3C90-A630-P
E32/6/20-3C90
E32/6-3C94-A160-P
E32/6-3C94-A250-P
E32/6-3C94-A315-P
E32/6-3C94-A400-P
E32/6-3C94-A630-P
E32/6/20-3C94
E32/6/20-3C96
E32/6-3F3-A160-P
E32/6-3F3-A250-P
E32/6-3F3-A315-P
E32/6-3F3-A400-P
E32/6-3F3-A630-P
E32/6/20-3F3
E32/6-3F4-A160-P
E32/6-3F4-A250-P
E32/6-3F4-A315-P
E32/6-3F4-A400-P
E32/6-3F4-A630-P
E32/6/20-3F4
1999年12月23日
4
飞利浦元件
产品speci fi cation
平面E型磁芯
功率条件下性能
B （MT ）
at
CORE
组合
H = 250 A /平方米;
F = 10 kHz的;
T = 100
°C
≥320
≥320
≥320
≥320
≥320
≥320
≥320
≥320
≥250
≥250
F = 25 kHz的;
= 200吨;
B
T = 100
°C
≤0.65
≤0.55
磁芯损耗（ W）
at
F = 100千赫;
B = 100 mT的;
T = 100
°C
≤0.65
≤0.55
≤0.48
≤0.41
≈0.35
≈0.29
≤0.59
≤0.50
E32/6/20
F = 100千赫;
B = 200 mT的;
T = 100
°C
≈2.30
≈2.00
≈1.60
≈1.40
E+E32-3C90
E+PLT32-3C90
E+E32-3C94
E+PLT32-3C94
E+E32-3C96
E+PLT32-3C96
E+E32-3F3
E+PLT32-3F3
E+E32-3F4
E+PLT32-3F4
功率条件下属性（续）
B （MT ）
at
CORE
组合
H = 250 A /平方米;
F = 10 kHz的;
T = 100
°C
≥320
≥320
≥320
≥320
≥320
≥320
≥320
≥320
≥250
≥250
F = 400千赫;
B = 50 mT的;
T = 100
°C
≈1.00
≈0.87
≈0.70
≈0.60
≤1.00
≤0.85
磁芯损耗（ W）
at
F = 1兆赫;
B = 30 mT的;
T = 100
°C
≤1.60
≤1.36
F = 3 MHz的;
B = 10毫乇;
T = 100
°C
≤2.00
≤1.70
E+E32-3C90
E+PLT32-3C90
E+E32-3C94
E+PLT32-3C94
E+E32-3C96
E+PLT32-3C96
E+E32-3F3
E+PLT32-3F3
E+E32-3F4
E+PLT32-3F4
1999年12月23日
5
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428H4B
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4612S-106-2222DAB
407T15EM
4711-12
448UB3501CDN
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