产品speci fi cation
PE4306
产品说明
该PE4306是一款高线性度， 5位RF数字步进衰减器
（ DSA ），包括在1dB步长31 dB的衰减范围，并
引脚与PE430x系列兼容。这50欧姆RF DSA
同时提供了并行（锁定或直接模式）和串行
CMOS控制接口，运行在一个单一的3伏电源和
在频率保持高衰减精度和
温度。它也有一个独特的控制接口，它允许
用户可以选择在开机后的初始衰减状态。该
PE4306表现出非常低的插入损耗和低功耗
消费。这种功能被输送在4×4毫米的QFN
足迹。
该PE4306是Peregrine公司的专利制造的超
薄硅（ UTSI ） CMOS工艺，提供性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能示意图
切换衰减器阵列
RF输入
RF输出
50
射频数字衰减器
5位31分贝， DC - 4.0 GHz的
特点
衰减1 dB步长为0-31 dB
灵活的并行和串行编程
接口
锁定或直接模式
独特的开机状态选择
正CMOS控制逻辑
高衰减精度和线性
在整个温度范围和频率
非常低的功耗
单电源供电
50
阻抗
引脚PE430x系列兼容
封装采用20引脚4×4毫米QFN
图2.封装类型
采用4x4mm -20引脚QFN
并行控制
串行控制
电控制
5
3
控制逻辑接口
2
表1.电气规格@ + 25 ° C，V
DD
= 3.0 V
参数
工作频率
插入损耗
2
衰减精度
1 dB压缩
输入IP3
1, 2
回波损耗
开关速度
50％的控制0.5分贝
3
测试条件
频率
DC - 2.2 GHz的
最低
DC
-
-
30
-
15
-
典型
1.5
-
34
52
20
-
最大
4000
2.25
±（安泰信设置0.3 + 3 ％ ）
±（安泰信设置0.3 + 5 ％ ）
-
-
-
1
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
s
任何位或位
组合
两个音频输入
+18 dBm的
DC
≤
1.0 GHz的
1.0 < 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
DC - 2.2 GHz的
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz
2.见最大额定输入表2 &数字在页面上2 4跨频率数据。
3.注意绝对最大见表3 。
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2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
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PE4306
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
= 3.0V，除非另有说明）
图3.插入损耗
图4.衰减的主要步骤
0
35
31分贝
30
-1
25
-2
归一化误差（分贝）
插入损耗（dB ）
20
16分贝
15
-3
插入损耗@ 25℃
插入损耗@ -40℃
插入损耗@ 85℃
10
8分贝
4分贝
2分贝
1分贝
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-4
5
-5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
频率（MHz）
频率（MHz）
在主要图5.输入回波损耗
衰减步
0
在主要图6.输出回波损耗
衰减步
0
-10
-10
-30
16分贝
S22 （ dB）的
-20
S11（ dB）的
-20
-30
-40
31分贝
31分贝
-40
16分贝
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
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第11 2
文件编号70 / 0160 02C
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4306
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
= 3.0V，除非另有说明）
图7.衰减误差与频率
图8.衰减误差与衰减
设置在10 MHz和510 MHz的
1.5
2
0
1
-2
错误（分贝）
错误（分贝）
0.5
31分贝
-4
0
-6
-0.5
-8
-1
10兆赫@ 25℃
510兆赫@ 25℃
10兆赫@ -40℃
510兆赫@ -40℃
10兆赫@ 85℃
510兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
-10
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-1.5
频率（MHz）
衰减状态（分贝）
图9.衰减误差与衰减
设置1010 MHz和1210 MHz的
1.5
图10.衰减误差与衰减
在设置
1510
MHz和2010 MHz的
1.5
1
1
0.5
错误（分贝）
错误（分贝）
0.5
0
0
-0.5
1210 MHZ @ 25℃
1210兆赫@ -40℃
1210兆赫@ 85℃
1010兆赫@ 25℃
1010兆赫@ -40℃
1010兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
-0.5
-1
-1
1510兆赫@ 25℃
2010兆赫@ 25℃
1510兆赫@ -40℃
2010兆赫@ -40℃
1510兆赫@ 85℃
2010兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
-1.5
-1.5
衰减状态（分贝）
衰减状态（分贝）
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第11 3
PE4306
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
= 3.0V，除非另有说明）
图11.衰减误差与衰减
在设置
2010 MHz和2510 MHz的
1.5
图12. 1 dB压缩与频率的关系
40
1
35
0.5
错误（分贝）
1 dB压缩（ DBM）
0
30
0分贝
1分贝
2分贝
31分贝
-0.5
-1
2210兆赫@ 25℃
2510兆赫@ 25℃
2210兆赫@ -40℃
2510兆赫@ -40℃
2210兆赫@ 85℃
2510兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
25
-1.5
20
1000
1500
2000
频率（MHz）
2500
3000
衰减状态（分贝）
图13.输入IP3与频率的关系
60
55
50
45
IP3 （ dBm的）
40
35
30
25
20
1000
1500
2000
频率（MHz）
2500
3000
0分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31分贝
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第11 4
文件编号70 / 0160 02C
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4306
产品speci fi cation
图14.引脚配置（顶视图）
GND
N / C
C1
C2
C4
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
模型）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
24
500
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
20
19
18
17
16
C16
RF1
数据
时钟
LE
1
2
3
4
5
10
15
C8
RF2
P / S
VSS / GND
GND
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
20-lead
QFN
4×4毫米
裸露焊盘
14
13
12
11
表4.直流电特定网络阳离子
6
7
8
9
PUP1
PUP2
V
DD
V
DD
GND
参数
V
DD
电源
电压
I
DD
电源电流
民
2.7
典型值
3.0
最大
3.3
100
单位
V
A
V
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
桨
针
名字
C16
RF1
数据
时钟
LE
V
DD
PUP1
PUP2
V
DD
GND
GND
V
ss
/ GND
P / S
RF2
C8
C4
C2
GND
C1
N / C
GND
描述
衰减控制位，16分贝（注4 ） 。
RF端口（注1） 。
串行接口数据输入（注4 ） 。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入（注2 ） 。
电源引脚。
开机选择位。
开机选择位。
电源引脚。
接地连接。
接地连接。
负电源电压或接地连接
（注3）
并行/串行模式选择。
RF端口（注1） 。
衰减控制位，8个分贝。
衰减控制位，4分贝。
衰减控制位，2个分贝。
接地连接。
衰减控制位，1分贝。
无连接。可以连接到任何偏差。
地正确操作
数字输入高
数字输入低电平
数字输入泄漏
0.7xV
DD
0.3xV
DD
1
V
A
裸露焊盘连接
上的底部裸露的焊盘
包装必须接地以正确的设备
操作。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的费率。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
开关频率
该PE4306具有最大25 kHz的开关
率。
电阻上的引脚1 & 3
在输入一个10 kΩ的电阻到引脚1 & 3 （见
图16 ），将消除共振包
之间的射频输入引脚和两个数字
输入。指定的衰减与错误
频性能取决于此
条件。
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11个5
注： 1 ：
这两个RF端口必须在0 V举行
DC
或DC阻断与
外部串联电容。
2 ：锁存使能（ LE ）内部有一个100 kΩ电阻到V
DD.
3 ：连接引脚12至GND ，使内部负电压
发电机。连接引脚12至V
SS
（ -VDD ）绕过和
禁用内部负电压发生器。
4.将一个10 kΩ的电阻串联，尽量靠近引脚放置
避免频共振。请参见“电阻上的引脚1 & 3 ”
段
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产品speci fi cation
PE4306
产品说明
该PE4306是一款高线性度， 5位RF数字步进衰减器
（ DSA ），包括在1dB步长31 dB的衰减范围，并
引脚与PE430x系列兼容。这50欧姆RF DSA
同时提供了并行（锁定或直接模式）和串行
CMOS控制接口，运行在一个单一的3伏电源和
在频率保持高衰减精度和
温度。它也有一个独特的控制接口，它允许
用户可以选择在开机后的初始衰减状态。该
PE4306表现出非常低的插入损耗和低功耗
消费。这种功能被输送在4×4毫米的QFN
足迹。
该PE4306制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能示意图
切换衰减器阵列
RF输入
RF输出
50
射频数字衰减器
5位31分贝， DC - 4.0 GHz的
特点
衰减1 dB步长为0-31 dB
灵活的并行和串行编程
接口
锁定或直接模式
独特的开机状态选择
正CMOS控制逻辑
高衰减精度和线性
在整个温度范围和频率
非常低的功耗
单电源供电
50
阻抗
引脚PE430x系列兼容
封装采用20引脚4×4毫米QFN
图2.封装类型
4×4毫米20引脚QFN封装
并行控制
串行控制
电控制
5
3
控制逻辑接口
2
表1.电气规格@ + 25 ° C，V
DD
= 3.0 V
参数
工作频率
插入损耗
2
衰减精度
1 dB压缩
3
输入IP3
1, 2
回波损耗
开关速度
50％的控制0.5分贝
终值
两个音频输入
+18 dBm的
任何位或位
组合
DC - 2.2 GHz的
DC
≤
1.0 GHz的
1.0 < 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
DC - 2.2 GHz的
测试条件
频率
最低
DC
-
-
30
-
15
-
典型
1.5
-
34
52
20
-
最大
4000
2.25
±（安泰信设置0.3 + 3 ％ ）
±（安泰信设置0.3 + 5 ％ ）
-
-
-
1
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
s
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz
2.见最大额定输入表3 &图在页面上2 4跨频率数据。
3.注意绝对最大见表3 。
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PE4306
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25 ° C，V
DD
= 3.0V，除非另有说明
图3.插入损耗
图4.衰减的主要步骤
0
35
31分贝
30
-1
25
-2
归一化误差（分贝）
插入损耗（dB ）
20
16分贝
15
-3
插入损耗@ 25℃
插入损耗@ -40℃
插入损耗@ 85℃
10
8分贝
4分贝
2分贝
1分贝
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-4
5
-5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
频率（MHz）
频率（MHz）
在主要图5.输入回波损耗
衰减步
0
在主要图6.输出回波损耗
衰减步
0
-10
-10
-30
16分贝
S22 （ dB）的
-20
S11（ dB）的
-20
-30
-40
31分贝
31分贝
-40
16分贝
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4306
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25 ° C，V
DD
= 3.0V，除非另有说明
图7.衰减误差与频率
图8.衰减误差与衰减
设置在10 MHz和510 MHz的
1.5
2
0
1
-2
错误（分贝）
错误（分贝）
0.5
31分贝
-4
0
-6
-0.5
-8
-1
10兆赫@ 25℃
510兆赫@ 25℃
10兆赫@ -40℃
510兆赫@ -40℃
10兆赫@ 85℃
510兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
-10
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-1.5
频率（MHz）
衰减状态（分贝）
图9.衰减误差与衰减
设置1010 MHz和1210 MHz的
1.5
图10.衰减误差与衰减
在设置
1510
MHz和2010 MHz的
1.5
1
1
0.5
错误（分贝）
错误（分贝）
0.5
0
0
-0.5
1210 MHZ @ 25℃
1210兆赫@ -40℃
1210兆赫@ 85℃
1010兆赫@ 25℃
1010兆赫@ -40℃
1010兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
-0.5
-1
-1
1510兆赫@ 25℃
2010兆赫@ 25℃
1510兆赫@ -40℃
2010兆赫@ -40℃
1510兆赫@ 85℃
2010兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
-1.5
-1.5
衰减状态（分贝）
衰减状态（分贝）
注：正衰减错误表示衰减比目标值高
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PE4306
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25 ° C，V
DD
= 3.0V，除非另有说明
图11.衰减误差与衰减
在设置
2010 MHz和2510 MHz的
1.5
图12. 1 dB压缩与频率的关系
40
1
35
0.5
错误（分贝）
1 dB压缩（ DBM）
0
30
0分贝
1分贝
2分贝
31分贝
-0.5
-1
2210兆赫@ 25℃
2510兆赫@ 25℃
2210兆赫@ -40℃
2510兆赫@ -40℃
2210兆赫@ 85℃
2510兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
25
-1.5
20
1000
1500
2000
频率（MHz）
2500
3000
衰减状态（分贝）
图13.输入IP3与频率的关系
60
55
50
45
IP3 （ dBm的）
40
35
30
25
20
1000
1500
2000
频率（MHz）
2500
3000
0分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31分贝
注：正衰减错误表示衰减比目标值高
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产品speci fi cation
图14.引脚配置（顶视图）
GND
N / C
C1
C2
C4
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
任何直流输入电压
存储温度范围
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
模型）
民
-0.3
-0.3
-65
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
+30
500
单位
V
V
°C
DBM
V
20
19
18
17
16
C16
RF1
数据
时钟
LE
1
2
3
4
5
10
15
C8
RF2
P / S
VSS / GND
GND
T
ST
P
IN
V
ESD
20-lead
QFN
4×4毫米
裸露焊盘
14
13
12
11
V
DD
V
DD
PUP1
PUP2
GND
超过绝对最大额定值可能会导致人员
永久性的损坏。操作应限制在
在工作范围表的限制。操作BE-
吐温工作范围最大和绝对马克西
妈妈长时间可能会降低可靠性。
6
7
8
9
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
桨
表4.工作范围
参数
描述
民
2.7
针
名字
C16
RF1
数据
时钟
LE
V
DD
PUP1
PUP2
V
DD
GND
GND
V
ss
/ GND
P / S
RF2
C8
C4
C2
GND
C1
N / C
GND
典型值
3.0
最大
3.3
100
单位
V
A
V
衰减控制位，16分贝（注4 ） 。
RF端口（注1） 。
串行接口数据输入（注4 ） 。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入（注2 ） 。
电源引脚。
开机选择位。
开机选择位。
电源引脚。
接地连接。
接地连接。
负电源电压或接地连接
（注3）
并行/串行模式选择。
RF端口（注1） 。
衰减控制位，8个分贝。
衰减控制位，4分贝。
衰减控制位，2个分贝。
接地连接。
衰减控制位，1分贝。
无连接。可以连接到任何偏差。
地正确操作
V
DD
电源
电压
I
DD
电源
当前
数字输入高
数字输入低电平
数字输入泄漏
输入功率
温度范围
0.7xV
DD
0.3xV
DD
1
+24
-40
85
V
A
DBM
°C
裸露焊盘连接
在封装的底面露出的焊盘
必须接地的器件正常工作。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 设备，观察
你将与其他使用相同的ESD防范措施
敏感的设备。虽然这个装置包含
电路，以保护其免受损坏，由于ESD ，
应采取预防措施，以避免超过
在表3规定的利率。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS DE-
罪恶是免疫的闩锁。
开关频率
该PE4306具有最大25 kHz的开关频率。
电阻上的引脚1 & 3
在输入一个10 kΩ的电阻到引脚1 & 3 （见图
16 ）将消除RF包之间的共振
输入引脚和两个数字输入。指定
错误的衰减与频率性能
依赖于这种情况。
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第11个5
注意事项： 1 ：两个射频端口必须在0 V举行
DC
或DC阻断与
外部串联电容。
2 ：锁存使能（ LE ）内部有一个100 kΩresistor到V
DD.
3 ：连接引脚12至GND ，使内部负电压
发电机。连接引脚12至V
SS
（ -VDD ）绕过和
禁用内部负电压发生器。
4.将10 kΩresistor串联，尽量靠近引脚放置
避免频共振。请参见“电阻上的引脚1 & 3 ”
段
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产品speci fi cation
PE4306
产品说明
该PE4306是一款高线性度， 5位RF数字步进衰减器
（ DSA ），包括在1dB步长31 dB的衰减范围，并
引脚与PE430x系列兼容。这50欧姆RF DSA
同时提供了并行（锁定或直接模式）和串行
CMOS控制接口，运行在一个单一的3伏电源和
在频率保持高衰减精度和
温度。它也有一个独特的控制接口，它允许
用户可以选择在开机后的初始衰减状态。该
PE4306表现出非常低的插入损耗和低功耗
消费。这种功能被输送在4×4毫米的QFN
足迹。
该PE4306是Peregrine公司的专利制造的超
薄硅（ UTSI ） CMOS工艺，提供性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能示意图
切换衰减器阵列
RF输入
RF输出
50
射频数字衰减器
5位31分贝， DC - 4.0 GHz的
特点
衰减1 dB步长为0-31 dB
灵活的并行和串行编程
接口
锁定或直接模式
独特的开机状态选择
正CMOS控制逻辑
高衰减精度和线性
在整个温度范围和频率
非常低的功耗
单电源供电
50
阻抗
引脚PE430x系列兼容
封装采用20引脚4×4毫米QFN
图2.封装类型
采用4x4mm -20引脚QFN
并行控制
串行控制
电控制
5
3
控制逻辑接口
2
表1.电气规格@ + 25 ° C，V
DD
= 3.0 V
参数
工作频率
插入损耗
2
衰减精度
1 dB压缩
输入IP3
1, 2
回波损耗
开关速度
50％的控制0.5分贝
3
测试条件
频率
DC - 2.2 GHz的
最低
DC
-
-
30
-
15
-
典型
1.5
-
34
52
20
-
最大
4000
2.25
±（安泰信设置0.3 + 3 ％ ）
±（安泰信设置0.3 + 5 ％ ）
-
-
-
1
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
s
任何位或位
组合
两个音频输入
+18 dBm的
DC
≤
1.0 GHz的
1.0 < 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
DC - 2.2 GHz的
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz
2.见最大额定输入表2 &数字在页面上2 4跨频率数据。
3.注意绝对最大见表3 。
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PE4306
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
= 3.0V，除非另有说明）
图3.插入损耗
图4.衰减的主要步骤
0
35
31分贝
30
-1
25
-2
归一化误差（分贝）
插入损耗（dB ）
20
16分贝
15
-3
插入损耗@ 25℃
插入损耗@ -40℃
插入损耗@ 85℃
10
8分贝
4分贝
2分贝
1分贝
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-4
5
-5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
频率（MHz）
频率（MHz）
在主要图5.输入回波损耗
衰减步
0
在主要图6.输出回波损耗
衰减步
0
-10
-10
-30
16分贝
S22 （ dB）的
-20
S11（ dB）的
-20
-30
-40
31分贝
31分贝
-40
16分贝
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
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第11 2
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│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4306
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
= 3.0V，除非另有说明）
图7.衰减误差与频率
图8.衰减误差与衰减
设置在10 MHz和510 MHz的
1.5
2
0
1
-2
错误（分贝）
错误（分贝）
0.5
31分贝
-4
0
-6
-0.5
-8
-1
10兆赫@ 25℃
510兆赫@ 25℃
10兆赫@ -40℃
510兆赫@ -40℃
10兆赫@ 85℃
510兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
-10
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-1.5
频率（MHz）
衰减状态（分贝）
图9.衰减误差与衰减
设置1010 MHz和1210 MHz的
1.5
图10.衰减误差与衰减
在设置
1510
MHz和2010 MHz的
1.5
1
1
0.5
错误（分贝）
错误（分贝）
0.5
0
0
-0.5
1210 MHZ @ 25℃
1210兆赫@ -40℃
1210兆赫@ 85℃
1010兆赫@ 25℃
1010兆赫@ -40℃
1010兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
-0.5
-1
-1
1510兆赫@ 25℃
2010兆赫@ 25℃
1510兆赫@ -40℃
2010兆赫@ -40℃
1510兆赫@ 85℃
2010兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
-1.5
-1.5
衰减状态（分贝）
衰减状态（分贝）
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第11 3
PE4306
产品speci fi cation
典型性能数据（ 25 ° C，V
DD
= 3.0V，除非另有说明）
图11.衰减误差与衰减
在设置
2010 MHz和2510 MHz的
1.5
图12. 1 dB压缩与频率的关系
40
1
35
0.5
错误（分贝）
1 dB压缩（ DBM）
0
30
0分贝
1分贝
2分贝
31分贝
-0.5
-1
2210兆赫@ 25℃
2510兆赫@ 25℃
2210兆赫@ -40℃
2510兆赫@ -40℃
2210兆赫@ 85℃
2510兆赫@ 85℃
0
5
10
15
20
25
30
35
25
-1.5
20
1000
1500
2000
频率（MHz）
2500
3000
衰减状态（分贝）
图13.输入IP3与频率的关系
60
55
50
45
IP3 （ dBm的）
40
35
30
25
20
1000
1500
2000
频率（MHz）
2500
3000
0分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
31分贝
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第11 4
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4306
产品speci fi cation
图14.引脚配置（顶视图）
GND
N / C
C1
C2
C4
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
模型）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
24
500
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
20
19
18
17
16
C16
RF1
数据
时钟
LE
1
2
3
4
5
10
15
C8
RF2
P / S
VSS / GND
GND
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
20-lead
QFN
4×4毫米
裸露焊盘
14
13
12
11
表4.直流电特定网络阳离子
6
7
8
9
PUP1
PUP2
V
DD
V
DD
GND
参数
V
DD
电源
电压
I
DD
电源电流
民
2.7
典型值
3.0
最大
3.3
100
单位
V
A
V
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
桨
针
名字
C16
RF1
数据
时钟
LE
V
DD
PUP1
PUP2
V
DD
GND
GND
V
ss
/ GND
P / S
RF2
C8
C4
C2
GND
C1
N / C
GND
描述
衰减控制位，16分贝（注4 ） 。
RF端口（注1） 。
串行接口数据输入（注4 ） 。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入（注2 ） 。
电源引脚。
开机选择位。
开机选择位。
电源引脚。
接地连接。
接地连接。
负电源电压或接地连接
（注3）
并行/串行模式选择。
RF端口（注1） 。
衰减控制位，8个分贝。
衰减控制位，4分贝。
衰减控制位，2个分贝。
接地连接。
衰减控制位，1分贝。
无连接。可以连接到任何偏差。
地正确操作
数字输入高
数字输入低电平
数字输入泄漏
0.7xV
DD
0.3xV
DD
1
V
A
裸露焊盘连接
上的底部裸露的焊盘
包装必须接地以正确的设备
操作。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的费率。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
开关频率
该PE4306具有最大25 kHz的开关
率。
电阻上的引脚1 & 3
在输入一个10 kΩ的电阻到引脚1 & 3 （见
图16 ），将消除共振包
之间的射频输入引脚和两个数字
输入。指定的衰减与错误
频性能取决于此
条件。
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11个5
注： 1 ：
这两个RF端口必须在0 V举行
DC
或DC阻断与
外部串联电容。
2 ：锁存使能（ LE ）内部有一个100 kΩ电阻到V
DD.
3 ：连接引脚12至GND ，使内部负电压
发电机。连接引脚12至V
SS
（ -VDD ）绕过和
禁用内部负电压发生器。
4.将一个10 kΩ的电阻串联，尽量靠近引脚放置
避免频共振。请参见“电阻上的引脚1 & 3 ”
段
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