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产品speci fi cation
PE4305
产品说明
该PE4305是一款高线性度, 5位RF数字步进衰减器
( DSA ),包括0.5 dB步进15.5 dB的衰减范围,
并且引脚与PE430x系列兼容。这50欧姆RF
DSA提供两个平行(锁定或直接模式)和串行
CMOS控制接口,运行在一个单一的3伏电源和
在频率保持高衰减精度和
温度。它也有一个独特的控制接口,它允许
用户可以选择在开机后的初始衰减状态。该
PE4305表现出非常低的插入损耗和低功耗
消费。这种功能被输送在4×4毫米的QFN
足迹。
该PE4305是Peregrine公司的专利制造的超
薄硅( UTSI ) CMOS工艺,提供性能
砷化镓与经济一体化
常规
CMOS 。
图1.功能示意图
切换衰减器阵列
RF输入
RF输出
50
射频数字衰减器
5位为15.5分贝, DC - 4.0 GHz的
特点
衰减:0.5 dB步长,以15.5分贝
灵活的并行和串行编程
接口
锁定或直接模式
独特的开机状态选择
正CMOS控制逻辑
高衰减精度和线性
在整个温度范围和频率
非常低的功耗
单电源供电
50
阻抗
引脚PE430x系列兼容
封装采用20引脚4×4毫米QFN
图2.封装类型
采用4x4mm -20引脚QFN
并行控制
串行控制
电控制
6
3
控制逻辑接口
2
表1.电气规格@ + 25 ° C,V
DD
= 3.0 V
参数
工作频率
插入损耗
2
衰减精度
1 dB压缩
输入IP3
1, 2
回波损耗
开关速度
50%的控制0.5分贝
终值
3
测试条件
频率
最低
DC
典型
最大
4000
单位
兆赫
dB
dB
DBM
DBM
dB
s
DC - 2.2 GHz的
任何位或位
组合
DC - 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
两个音频输入
+18 dBm的
1兆赫 - 2.2 GHz的
DC - 2.2 GHz的
-
-
30
-
15
-
1.5
-
34
52
20
-
2.25
±(安泰信设置0.25 + 3 % )
不超过± 0.4分贝
-
-
-
1
注:1.线性器件将开始降低1MHz以下
2.见最大额定输入表2 &数字在页面上2 4跨频率数据。
3.注意绝对最大见表3 。
文件编号70 / 0159 02C
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
分页: 11 1
PE4305
产品speci fi cation
典型性能数据( 25 ° C,V
DD
=3.0 V)
图3.插入损耗
图4.衰减的主要步骤
0
20
-1
归一化的衰减量(dB )
15
15.5分贝
插入损耗(dB )
-2
10
8分贝
-3
插入损耗@ 25℃
插入损耗@ -40℃
插入损耗@ 85℃
5
4分贝
2分贝
1分贝
0.5分贝
-4
-5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率(MHz)
频率(MHz)
在主要图5.输入回波损耗
衰减步
0
在主要图6.输出回波损耗
衰减步
0
-10
-10
S11( dB)的
8分贝
-30
S22 ( dB)的
-20
-20
15.5分贝
-30
15.5分贝
-40
-40
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率(MHz)
频率(MHz)
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11 2
文件编号70 / 0159 02C
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4305
产品speci fi cation
典型性能数据( 25 ° C,V
DD
=3.0 V)
图7.衰减误差与频率
图8.衰减误差与衰减
设置在10 MHz和510 MHz的
0.6
0.2
0.4
0
0.2
-0.2
错误(分贝)
错误(分贝)
-0.4
0
10兆赫@ 25℃
510兆赫@ 25℃
10兆赫@ -40℃
510兆赫@ -40℃
10兆赫@ 85℃
510兆赫@ 85℃
15.5分贝
-0.6
-0.2
-0.8
-0.4
-1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
频率(MHz)
衰减状态(分贝)
图9.衰减误差与衰减
设置1010 MHz和1210 MHz的
0.6
图10.衰减误差与衰减
在设置
1510
MHz和2010 MHz的
0.6
0.4
0.4
0.2
错误(分贝)
错误(分贝)
0.2
0
0
-0.2
-0.4
1010兆赫@ 25℃
1010兆赫@ -40℃
1010兆赫@ 85℃
1210 MHZ @ 25℃
1210兆赫@ -40℃
1210兆赫@ 85℃
-0.2
-0.4
1510兆赫@ 25℃
1510兆赫@ -40℃
1510兆赫@ 85℃
2010兆赫@ 25℃
2010兆赫@ -40℃
2010兆赫@ 85℃
-0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
衰减状态(分贝)
衰减状态(分贝)
文件编号70 / 0159 02C
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11 3
PE4305
产品speci fi cation
典型性能数据( 25 ° C,V
DD
=3.0 V)
图11.衰减误差与衰减
在设置
2010 MHz和2510 MHz的
0.6
图12. 1 dB压缩与频率的关系
40
0.4
35
0.2
错误(分贝)
1 dB压缩( DBM)
0
2010兆赫@ 25℃
2510兆赫@ 25℃
2010兆赫@ -40℃
2510兆赫@ -40℃
2010兆赫@ 85℃
2510兆赫@ 85℃
30
-0.2
25
-0.4
0分贝
0.5分贝
1分贝
2分贝
-0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
20
1000
1500
2000
频率(MHz)
2500
3000
衰减状态(分贝)
图13.输入IP3与频率的关系
60
55
50
45
IP3 ( dBm的)
40
35
30
25
20
500
1000
1500
2000
2500
3000
0分贝
0.5分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
15.5分贝
频率(MHz)
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11 4
文件编号70 / 0159 02C
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4305
产品speci fi cation
图14.引脚配置(顶视图)
GND
C0.5
C1
C2
C4
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率( 50
)
静电放电电压(人体
模型)
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
24
500
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
20
19
18
17
16
C16
RF1
数据
时钟
LE
1
2
3
4
5
10
15
C8
RF2
P / S
VSS / GND
GND
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
20引脚QFN
4x4mm
裸露焊盘
14
13
12
11
6
7
8
9
表4.直流电特定网络阳离子
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
数字输入高
0.7xV
DD
0.3xV
DD
1
PUP1
PUP2
V
DD
V
DD
GND
2.7
典型值
3.0
最大
3.3
100
单位
V
A
V
V
A
表2.引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
引脚名称
N / C
RF1
数据
时钟
LE
V
DD
N / C
PUP2
V
DD
GND
GND
V
ss
/ GND
P / S
RF2
C8
C4
C2
GND
C1
C0.5
GND
描述
无连接。可以连接到任何
偏见。
RF端口(注1) 。
串行接口数据输入(注4 ) 。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入(注2 ) 。
电源引脚。
无连接。可以连接到任何
偏见。
开机选择位。
电源引脚。
接地连接。
接地连接。
负电源电压或接地
连接(注3)
并行/串行模式选择。
RF端口(注1) 。
衰减控制位,8个分贝。
衰减控制位,4分贝。
衰减控制位,2个分贝。
接地连接。
衰减控制位,1分贝。
衰减控制位,0.5分贝。
地正确操作
数字输入低电平
数字输入泄漏
裸露焊盘连接
上的底部裸露的焊盘
包装必须接地以正确的设备
操作。
静电放电( ESD )注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件,观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路,以保护其免受损坏,由于
ESD ,应采取预防措施,以避免
超过表3规定的费率。
闭锁避免
与传统的CMOS器件,的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
开关频率
该PE4305具有最大25 kHz的开关
率。
电阻上的引脚3
在输入引脚3一个10kΩ的电阻(见图
16 )将消除之间的共鸣包
射频输入引脚和数字输入。指定
错误的衰减与频率性能
依赖于这种情况。
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11个5
注1 :这两个射频端口必须在0 VDC举行或直流阻断用
外部串联电容。
2 :锁存使能( LE )内部有一个100 kΩ的电阻连接到VDD 。
3 :连接引脚12至GND ,使内部负电压
发电机。连接引脚12到VSS ( -VDD )绕过和禁用
内部负电压发生器。
4.将一个10 kΩ的电阻串联,尽量靠近引脚可
避免频共振。请参见“电阻通过引脚3 ”的段落。
文件编号70 / 0159 02C
www.psemi.com
产品speci fi cation
PE4305
产品说明
该PE4305是一款高线性度, 5位RF数字步进衰减器
( DSA ),包括0.5 dB步进15.5 dB的衰减范围,
并且引脚与PE430x系列兼容。这50欧姆RF
DSA提供两个平行(锁定或直接模式)和串行
CMOS控制接口,运行在一个单一的3伏电源和
在频率保持高衰减精度和
温度。它也有一个独特的控制接口,它允许
用户可以选择在开机后的初始衰减状态。该
PE4305表现出非常低的插入损耗和低功耗
消费。这种功能被输送在4×4毫米的QFN
足迹。
该PE4305是Peregrine公司的专利制造的超
薄硅( UTSI ) CMOS工艺,提供性能
砷化镓与经济一体化
常规
CMOS 。
图1.功能示意图
切换衰减器阵列
RF输入
RF输出
50
射频数字衰减器
5位为15.5分贝, DC - 4.0 GHz的
特点
衰减:0.5 dB步长,以15.5分贝
灵活的并行和串行编程
接口
锁定或直接模式
独特的开机状态选择
正CMOS控制逻辑
高衰减精度和线性
在整个温度范围和频率
非常低的功耗
单电源供电
50
阻抗
引脚PE430x系列兼容
封装采用20引脚4×4毫米QFN
图2.封装类型
采用4x4mm -20引脚QFN
并行控制
串行控制
电控制
6
3
控制逻辑接口
2
表1.电气规格@ + 25 ° C,V
DD
= 3.0 V
参数
工作频率
插入损耗
2
衰减精度
1 dB压缩
输入IP3
1, 2
回波损耗
开关速度
50%的控制0.5分贝
终值
3
测试条件
频率
最低
DC
典型
最大
4000
单位
兆赫
dB
dB
DBM
DBM
dB
s
DC - 2.2 GHz的
任何位或位
组合
DC - 2.2 GHz的
1兆赫 - 2.2 GHz的
两个音频输入
+18 dBm的
1兆赫 - 2.2 GHz的
DC - 2.2 GHz的
-
-
30
-
15
-
1.5
-
34
52
20
-
2.25
±(安泰信设置0.25 + 3 % )
不超过± 0.4分贝
-
-
-
1
注:1.线性器件将开始降低1MHz以下
2.见最大额定输入表2 &数字在页面上2 4跨频率数据。
3.注意绝对最大见表3 。
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分页: 11 1
PE4305
产品speci fi cation
典型性能数据( 25 ° C,V
DD
=3.0 V)
图3.插入损耗
图4.衰减的主要步骤
0
20
-1
归一化的衰减量(dB )
15
15.5分贝
插入损耗(dB )
-2
10
8分贝
-3
插入损耗@ 25℃
插入损耗@ -40℃
插入损耗@ 85℃
5
4分贝
2分贝
1分贝
0.5分贝
-4
-5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率(MHz)
频率(MHz)
在主要图5.输入回波损耗
衰减步
0
在主要图6.输出回波损耗
衰减步
0
-10
-10
S11( dB)的
8分贝
-30
S22 ( dB)的
-20
-20
15.5分贝
-30
15.5分贝
-40
-40
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率(MHz)
频率(MHz)
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11 2
文件编号70 / 0159 02C
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4305
产品speci fi cation
典型性能数据( 25 ° C,V
DD
=3.0 V)
图7.衰减误差与频率
图8.衰减误差与衰减
设置在10 MHz和510 MHz的
0.6
0.2
0.4
0
0.2
-0.2
错误(分贝)
错误(分贝)
-0.4
0
10兆赫@ 25℃
510兆赫@ 25℃
10兆赫@ -40℃
510兆赫@ -40℃
10兆赫@ 85℃
510兆赫@ 85℃
15.5分贝
-0.6
-0.2
-0.8
-0.4
-1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
频率(MHz)
衰减状态(分贝)
图9.衰减误差与衰减
设置1010 MHz和1210 MHz的
0.6
图10.衰减误差与衰减
在设置
1510
MHz和2010 MHz的
0.6
0.4
0.4
0.2
错误(分贝)
错误(分贝)
0.2
0
0
-0.2
-0.4
1010兆赫@ 25℃
1010兆赫@ -40℃
1010兆赫@ 85℃
1210 MHZ @ 25℃
1210兆赫@ -40℃
1210兆赫@ 85℃
-0.2
-0.4
1510兆赫@ 25℃
1510兆赫@ -40℃
1510兆赫@ 85℃
2010兆赫@ 25℃
2010兆赫@ -40℃
2010兆赫@ 85℃
-0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
衰减状态(分贝)
衰减状态(分贝)
文件编号70 / 0159 02C
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第11 3
PE4305
产品speci fi cation
典型性能数据( 25 ° C,V
DD
=3.0 V)
图11.衰减误差与衰减
在设置
2010 MHz和2510 MHz的
0.6
图12. 1 dB压缩与频率的关系
40
0.4
35
0.2
错误(分贝)
1 dB压缩( DBM)
0
2010兆赫@ 25℃
2510兆赫@ 25℃
2010兆赫@ -40℃
2510兆赫@ -40℃
2010兆赫@ 85℃
2510兆赫@ 85℃
30
-0.2
25
-0.4
0分贝
0.5分贝
1分贝
2分贝
-0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
20
1000
1500
2000
频率(MHz)
2500
3000
衰减状态(分贝)
图13.输入IP3与频率的关系
60
55
50
45
IP3 ( dBm的)
40
35
30
25
20
500
1000
1500
2000
2500
3000
0分贝
0.5分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
15.5分贝
频率(MHz)
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4305
产品speci fi cation
图14.引脚配置(顶视图)
GND
C0.5
C1
C2
C4
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率( 50
)
静电放电电压(人体
模型)
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
24
500
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
20
19
18
17
16
C16
RF1
数据
时钟
LE
1
2
3
4
5
10
15
C8
RF2
P / S
VSS / GND
GND
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
20引脚QFN
4x4mm
裸露焊盘
14
13
12
11
6
7
8
9
表4.直流电特定网络阳离子
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
数字输入高
0.7xV
DD
0.3xV
DD
1
PUP1
PUP2
V
DD
V
DD
GND
2.7
典型值
3.0
最大
3.3
100
单位
V
A
V
V
A
表2.引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
引脚名称
N / C
RF1
数据
时钟
LE
V
DD
N / C
PUP2
V
DD
GND
GND
V
ss
/ GND
P / S
RF2
C8
C4
C2
GND
C1
C0.5
GND
描述
无连接。可以连接到任何
偏见。
RF端口(注1) 。
串行接口数据输入(注4 ) 。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入(注2 ) 。
电源引脚。
无连接。可以连接到任何
偏见。
开机选择位。
电源引脚。
接地连接。
接地连接。
负电源电压或接地
连接(注3)
并行/串行模式选择。
RF端口(注1) 。
衰减控制位,8个分贝。
衰减控制位,4分贝。
衰减控制位,2个分贝。
接地连接。
衰减控制位,1分贝。
衰减控制位,0.5分贝。
地正确操作
数字输入低电平
数字输入泄漏
裸露焊盘连接
上的底部裸露的焊盘
包装必须接地以正确的设备
操作。
静电放电( ESD )注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件,观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路,以保护其免受损坏,由于
ESD ,应采取预防措施,以避免
超过表3规定的费率。
闭锁避免
与传统的CMOS器件,的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
开关频率
该PE4305具有最大25 kHz的开关
率。
电阻上的引脚3
在输入引脚3一个10kΩ的电阻(见图
16 )将消除之间的共鸣包
射频输入引脚和数字输入。指定
错误的衰减与频率性能
依赖于这种情况。
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11个5
注1 :这两个射频端口必须在0 VDC举行或直流阻断用
外部串联电容。
2 :锁存使能( LE )内部有一个100 kΩ的电阻连接到VDD 。
3 :连接引脚12至GND ,使内部负电压
发电机。连接引脚12到VSS ( -VDD )绕过和禁用
内部负电压发生器。
4.将一个10 kΩ的电阻串联,尽量靠近引脚可
避免频共振。请参见“电阻通过引脚3 ”的段落。
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