产品speci fi cation
PE4272
产品说明
该PE4272射频开关是专为电视调谐器， PCTV ，设置
顶盒，数字电视，录像机和一般宽带应用。这
器件提供业界领先的宽带线性度， 1.5 kV的ESD
宽容和简单的CMOS接口。该器件提供了一个
简单的替代解决方案， PIN二极管和机械继电器
开关。
该PE4272 SPDT大功率射频开关制造上
百富勤公司的UltraCMOS 过程中，专利的变化
硅绝缘体（ SOI）技术在蓝宝石衬底上，
提供与经济的GaAs的性能，
整合传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
SPDT宽带的UltraCMOS
DC - 3 GHz的RF开关
特点
1.5 kV的高ESD耐受性
单针CMOS控制逻辑
低插入损耗：0.5分贝1000兆赫，
0.6分贝在2000兆赫
43 dB的隔离，在1000兆赫， 33.5分贝
在2000兆赫
典型输入1 dB压缩点
+32 dBm的
小型8引脚MSOP封装
图2.封装类型
8引脚MSOP
RF2
RF1
CMOS
控制
司机
V
DD
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 75
)
参数
工作频率
1
插入损耗
DC - 3000
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
50％的CTRL键0.1分贝终值， 2 GHz的
50 ％ CTRL 25 dB的隔离， 2 GHz的
41
31.5
41
32
0.5
0.6
43
33.5
43
34
19.5
16
500
500
<3
1000兆赫
1000兆赫， 20 dBm的输入功率
30
32
52
1000
1000
0.6
0.7
条件
民
典型值
最大
单位
兆赫
dB
隔离 - RFC到RF1 / RF2
dB
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
3
“OFF”开关时间
3
视频馈通
2,3
输入1 dB压缩
3
输入IP3
3
注意事项：
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
1.设备的线性度会开始降低低于5兆赫。
2.衡量一个1纳秒的上升时间， 0/3 V脉冲和500 MHz的带宽。
3.测量在50
系统。
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PE4272
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
表4.绝对最大额定值
符号
V
DD
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
输入功率（ 50
)
ESD电压（ HBM ， ML_STD
883方法3015.7 ）
民
-0.3
-0.3
-65
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
34
1500
单位
V
V
°C
DBM
V
V
DD
CTRL
GND
1
2
8
7
RF1
V
I
GND
GND
RF2
4272
3
4
6
5
T
ST
P
IN
V
ESD
RFC
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
V
DD
描述
标称+3 V电源连接。
CMOS逻辑电平：
高= RFC到RF1信号通路
低= RFC到RF2信号通路
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
常见的RF端口。
4
RF2端口。
4
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
RF1端口。
4
2
CTRL
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在工作范围表的限制。接触
长时间的绝对最大额定值
可能会影响器件的可靠性。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表4规定的额定值。
3
4
5
6
GND
RFC
RF2
GND
7
8
注意：
GND
RF1
4.所有RF引脚必须为直流阻断与外部
串联电容或为0V举行
DC
.
表3.工作范围
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3 V ， CTRL = 3V）
工作温度
范围
控制电压高
控制电压低
-40
0.7xV
DD
0.3xV
DD
民
2.7
典型值
3.0
8
最大
3.3
20
85
单位
V
A
°C
V
V
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│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4272
产品speci fi cation
表5.单引脚控制逻辑真值表
控制电压
引脚1 （V
DD
) = V
DD
引脚2 （ CTRL ） =高
引脚1 （V
DD
) = V
DD
引脚2 （ CTRL ） =低
控制逻辑输入
该PE4272是一款多功能射频CMOS开关
支持两种操作控制模式;单针
控制模式和互补引脚控制
模式。
单引脚控制模式
使开关
与单一控制引脚操作（引脚2 ）支持
一个+3伏的CMOS逻辑输入，并需要
专用+ 3伏的电源连接（引脚1 ） 。
这种操作模式可降低数
所需的控制线，并简化了开关
控制接口通常来自于一个CMOS
μprocessor
I / O端口。
互补引脚控制模式
允许
开关采用互补控制操作
CTRL引脚和V
DD
（引脚2 & 1 ），即可以是
由+3伏CMOS逻辑或合适的直接驱动
μprocessor
I / O端口。这使得PE4272到
操作在内部的正控制电压模式
PE4272经营的限制。
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
表6.互补引脚控制逻辑
真值表
控制电压
引脚1 （V
DD
） =低
引脚2 （ CTRL ） =高
引脚1 （V
DD
） =高
引脚2 （ CTRL ） =低
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
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PE4272
产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4272单刀双掷开关。射频常见的端口
通过75连接
传输线的
底部F接头， J2 。端口1和端口2顷
经过75连
输电线路两架F
连接器在黑板上， J1和J3的两侧。一
通过传输线连接F连接J4
和J5 。该传输线可以被用来
估计PCB的损失超过环境
条件进行评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。底部
层提供接地的RF传输线。
传输线是用一个专
共面波导与地平面模型使用
迹宽度为0.021 “ ，追查0.030的差距” ，
电介质的厚度为0.028 “时，铜的厚度
0.0021 “和
ε
r
4.3 。
d 6提供了用于控制所述直流输入到一个装置
该设备。右下脚（ J6-2 ）连接
到装置CTRL输入。右上脚（ J6-1 ）
连接到所述设备V
DD
输入。对于足迹
被设置在两个CTRL去耦电容
和V
DD
痕迹。它的责任
客户确定适当的电源去耦
其设计的应用程序。删除这些
从评估板部件一直没有
所示降解的RF性能。
图4.评估板布局
百富勤规格101/0243
图5.评估板电路图
百富勤规格102/0309
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PE4272
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典型性能数据
图6.插入损耗： RFC - RF1 @ 25°C
图7.插入损耗： RFC - RF1 （3 V）
图8.插入损耗： RFC - RF2 @ 25°C
图9.插入损耗： RFC - RF2 @ 3 V
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PE4272
产品说明
该PE4272射频开关是专为电视调谐器， PCTV ，设置
顶盒，数字电视，录像机和一般宽带应用。这
器件提供业界领先的宽带线性度， 1.5 kV的ESD
宽容和简单的CMOS接口。该器件提供了一个
简单的替代解决方案， PIN二极管和机械继电器
开关。
该PE4272 SPDT大功率射频开关制造上
百富勤公司的UltraCMOS 过程中，专利的变化
硅绝缘体（ SOI）技术在蓝宝石衬底上，
提供与经济的GaAs的性能，
整合传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
SPDT宽带的UltraCMOS
DC - 3 GHz的RF开关
特点
1.5 kV的高ESD耐受性
单针CMOS控制逻辑
低插入损耗：0.5分贝1000兆赫，
0.6分贝在2000兆赫
43 dB的隔离，在1000兆赫， 33.5分贝
在2000兆赫
典型输入1 dB压缩点
+32 dBm的
小型8引脚MSOP封装
图2.封装类型
8引脚MSOP
RF2
RF1
CMOS
控制
司机
V
DD
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 75
)
参数
工作频率
1
插入损耗
DC - 3000
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
50％的CTRL键0.1分贝终值， 2 GHz的
50 ％ CTRL 25 dB的隔离， 2 GHz的
41
31.5
41
32
0.5
0.6
43
33.5
43
34
19.5
16
500
500
<3
1000兆赫
1000兆赫， 20 dBm的输入功率
30
32
52
1000
1000
0.6
0.7
条件
民
典型值
最大
单位
兆赫
dB
隔离 - RFC到RF1 / RF2
dB
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
3
“OFF”开关时间
3
视频馈通
2,3
输入1 dB压缩
3
输入IP3
3
注意事项：
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
1.设备的线性度会开始降低低于5兆赫。
2.衡量一个1纳秒的上升时间， 0/3 V脉冲和500 MHz的带宽。
3.测量在50
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图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
表4.绝对最大额定值
符号
V
DD
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
输入功率（ 50
)
ESD电压（ HBM ， ML_STD
883方法3015.7 ）
民
-0.3
-0.3
-65
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
34
1500
单位
V
V
°C
DBM
V
V
DD
CTRL
GND
1
2
8
7
RF1
V
I
GND
GND
RF2
4272
3
4
6
5
T
ST
P
IN
V
ESD
RFC
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
V
DD
描述
标称+3 V电源连接。
CMOS逻辑电平：
高= RFC到RF1信号通路
低= RFC到RF2信号通路
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
常见的RF端口。
4
RF2端口。
4
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
RF1端口。
4
2
CTRL
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在工作范围表的限制。接触
长时间的绝对最大额定值
可能会影响器件的可靠性。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表4规定的额定值。
3
4
5
6
GND
RFC
RF2
GND
7
8
注意：
GND
RF1
4.所有RF引脚必须为直流阻断与外部
串联电容或为0V举行
DC
.
表3.工作范围
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3 V ， CTRL = 3V）
工作温度
范围
控制电压高
控制电压低
-40
0.7xV
DD
0.3xV
DD
民
2.7
典型值
3.0
8
最大
3.3
20
85
单位
V
A
°C
V
V
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第11 2
文档编号70-0173-03
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4272
产品speci fi cation
表5.单引脚控制逻辑真值表
控制电压
引脚1 （V
DD
) = V
DD
引脚2 （ CTRL ） =高
引脚1 （V
DD
) = V
DD
引脚2 （ CTRL ） =低
控制逻辑输入
该PE4272是一款多功能射频CMOS开关
支持两种操作控制模式;单针
控制模式和互补引脚控制
模式。
单引脚控制模式
使开关
与单一控制引脚操作（引脚2 ）支持
一个+3伏的CMOS逻辑输入，并需要
专用+ 3伏的电源连接（引脚1 ） 。
这种操作模式可降低数
所需的控制线，并简化了开关
控制接口通常来自于一个CMOS
μprocessor
I / O端口。
互补引脚控制模式
允许
开关采用互补控制操作
CTRL引脚和V
DD
（引脚2 & 1 ），即可以是
由+3伏CMOS逻辑或合适的直接驱动
μprocessor
I / O端口。这使得PE4272到
操作在内部的正控制电压模式
PE4272经营的限制。
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
表6.互补引脚控制逻辑
真值表
控制电压
引脚1 （V
DD
） =低
引脚2 （ CTRL ） =高
引脚1 （V
DD
） =高
引脚2 （ CTRL ） =低
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
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2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11 3
PE4272
产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4272单刀双掷开关。射频常见的端口
通过75连接
传输线的
底部F接头， J2 。端口1和端口2顷
经过75连
输电线路两架F
连接器在黑板上， J1和J3的两侧。一
通过传输线连接F连接J4
和J5 。该传输线可以被用来
估计PCB的损失超过环境
条件进行评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。底部
层提供接地的RF传输线。
传输线是用一个专
共面波导与地平面模型使用
迹宽度为0.021 “ ，追查0.030的差距” ，
电介质的厚度为0.028 “时，铜的厚度
0.0021 “和
ε
r
4.3 。
d 6提供了用于控制所述直流输入到一个装置
该设备。右下脚（ J6-2 ）连接
到装置CTRL输入。右上脚（ J6-1 ）
连接到所述设备V
DD
输入。对于足迹
被设置在两个CTRL去耦电容
和V
DD
痕迹。它的责任
客户确定适当的电源去耦
其设计的应用程序。删除这些
从评估板部件一直没有
所示降解的RF性能。
图4.评估板布局
百富勤规格101/0243
图5.评估板电路图
百富勤规格102/0309
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11 4
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│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4272
产品speci fi cation
典型性能数据
图6.插入损耗： RFC - RF1 @ 25°C
图7.插入损耗： RFC - RF1 （3 V）
图8.插入损耗： RFC - RF2 @ 25°C
图9.插入损耗： RFC - RF2 @ 3 V
文档编号70-0173-03
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