产品speci fi cation
PE4271
产品说明
该PE4271是一个高隔离开关设计用于CATV
应用程序，从DC附近覆盖很宽的频率范围
高达3000兆赫。此单电源SPST开关提供
与业界领先的CTB单针CMOS控制接口
性能。它也提供了低插入损耗，高隔离度
和极低的偏置要求，同时在操作
单3伏电源。在一个典型的CATV应用中， PE4271
提供了一种具有成本效益和制造的溶液与
机械继电器。
该PE4271制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
图2.封装类型
6引线DFN
RF1
RF2
SPST CATV的UltraCMOS 开关
直流 - 3000兆赫
特点
综合0.25瓦特终端
90 dBc的CTB的表现
高隔离度： 85分贝5兆赫， 60分贝
在1000兆赫
低插入损耗： 0.5分贝在5 MHz ，
0.70分贝在1000兆赫
高输入IP2 ： >80 dBm的
CMOS / TTL的单引脚控制
单+ 3伏电源供电
极低的偏置： 8
A
@ 3 V
采用6引线DFN封装
75
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ℃，
(Z
S
= Z
L
= 75
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离
回波损耗
输入1 dB压缩
2,4
CTB / CSO
输入IP2
2
输入IP3
2
视频馈通
3
开关时间
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz 。
2.测在50
系统。
3.衡量一个1纳秒的上升时间， 0/3 V脉冲和500 MHz的带宽。
表3 4.注意绝对最大额定值。
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2
DC - 50 MHz的
1000兆赫
DC - 50 MHz的
1000兆赫
直流 - 1000兆赫
V
CNTL
= 3.0V
1000兆赫
77 & 110道;
PO = 44 dBmV的
1000兆赫
1000兆赫
80
50
15
80
58
15
30
条件
最低
DC
典型
0.50
0.70
85
60
16
33
-90
最大
3000
0.65
0.85
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
dBc的
DBM
DBM
mV
pp
S
PE4271
产品speci fi cation
图3.引脚配置
V
DD
GND
RF1
1
2
3
裸露
焊盘
（底部）
表4.直流电特定网络阳离子
参数
民
2.7
典型值
3.0
8
最大
3.3
20
5
0.3xV
DD
单位
V
A
V
V
6
5
4
RF2
GND
V
DD
电源
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CTRL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
0.7xV
DD
0
CTRL
图4.典型应用框图
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
额外费用
通道
滤波器
PE4271
针
名字
V
DD
GND
RF1
CTRL
GND
RF2
描述
标称3V电源连接。
接地连接。
2
RF端口。
1
CATVin
2-way
分离器
PE4271
CATVout
表5.控制逻辑真值表
控制电压（ CTRL ）
高
1
低
CMOS或TTL逻辑电平：
高RF1 = RF2到信号路径
低RF1 = RF2从隔离
接地连接。
3
RF端口。
1
信号路径（ RF1到RF2 ）
ON
关闭
注：1 。
CTRL接受CMOS和TTL电压导线。
注：1。两个RF引脚必须在0 V举行
DC
或需要外部DC
隔直电容
2.暴露焊盘必须焊接到接地平面为
正确的开关性能。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与其他使用相同的注意事项
ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的额定值。
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
参数/条件
电源电压
在CTRL输入电压
储存温度
工作温度
输入功率（ 50Ω ） ，
CTRL=1/CTRL=0
ESD电压
（人体模型）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
5.5
150
85
33/24
500
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
设备描述
该
PE4271
高隔离度单刀单掷开关CATV是
设计为支持CATV应用如
付费频道服务的连接/断开开关
块。这个功能通常是由膨松执行
和昂贵的机械开关。高
隔离特性（60分贝1千兆赫， 85分贝
5兆赫） ，高压缩点，和一个集成
75
(0.25
瓦）输入端接使
PE4271
一个理想的，低成本的解决方案。
该控制逻辑输入引脚（ CTRL ）通常驱动
由一个3伏的CMOS逻辑电平信号，并具有一个
第V的50 ％的阈值
DD
。为了提高灵活性，以支持
有5伏的控制逻辑驱动器的系统中，
控制逻辑输入端被设计为处理一个5-
伏逻辑高电平信号。 （A最小电流将
源出的V
DD
当引脚控制逻辑
输入电压电平超过V
DD.
)
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
绝对最大额定值是列出的值
在上面的表中。超过这些值可能
会造成永久性损坏设备。实用
操作应限制在DC的极限
电气规格表。暴露在绝对
长时间最大额定值可能会影响
器件的可靠性。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
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PE4271
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典型性能数据@ -40 ° C至85°C （除非另有说明）
(75
阻抗标明的除外）
图5.插入损耗 - RF1到RF2
图6. 1dB压缩& 3
rd
订单
截取点（T = 25°C ）
图7.隔离 - RF1到RF2
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典型性能数据@ -40 ° C至85°C （除非另有说明）
（ 75欧姆阻抗）
图8. RF1回波损耗（开关= ON）
图9. RF1回波损耗（开关= OFF）
图10. RF2回波损耗（开关= ON）
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4271
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评估套件
该
PE4271
EK板的目的是要缓解
客户评价Peregrine的高
性能SPST CATV MOSFET开关。 RF1
通过75连接
经由传输线
左上角F连接， J1 。 RF2连接
通过75
经由右上传输线
F接头， J2 。 A 75
通过传输线
可通过F连接器J3和J4 。这
传输线可以被用来估计损失
印刷电路板在环境条件下的
被评估。 V
DD
通过J6-2供给，而
控制逻辑电压通过J5-2供给。这是
对客户的责任确定
适当的电源去耦为他们设计
应用程序。已经观察到，通过
从评估板移除C1和C2
未示出，以降低RF性能。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。该
底部层提供地面为射频
传输线。传输线是
利用具有共面波导模型设计
迹宽度为0.021 “ ，追查0.030的差距” ，
介质厚度0.028 “ ，金属厚度
0.0021 “和
ε
r
4.6 。需要注意的是占主导地位的
模式对这些传输线是共面
波导具有一个接地平面。
图11.评估板布局
百富勤规格101/0167 （使用F连接器）
图12.评估板电路图
百富勤规格102/0245
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