初步speci fi cation
PE42671 DIE
SP7T的UltraCMOS 2.75 V开关
100 - 3000兆赫， 68为dBM IIP3
图1.功能框图
特点
2 TX ，2个TRX ， 3 RX端口
三针CMOS逻辑控制
RX1
RX2
TRX1 （ WCDMA ， RX ）
RX3
TX1 （GSM / PCS）的
TRX2 （ WCDMA ， RX ）
CMOS
控制/驱动器
和ESD
V1
V2
V3
TX2 （GSM / PCS）的
积分解码器/驱动器
卓越的谐波性能：
2f
o
= -83 dBc的和3f
o
= -78 dBc的
低TX插入损耗0.65分贝
900兆赫， 0.75分贝在1900兆赫
TX - RX隔离47分贝900兆赫，
在1900兆赫40分贝
1500 V HBM ESD耐受的所有端口
+68 dBm的IIP3 @ 50
-111 dBm的IMD3
无需隔直电容
产品说明
图2.模具顶视图*
该PE42671是竖琴 - 增强SP7T
RF开关研制的的UltraCMOS
工艺技术。它涉及的具体
四频GSM手机的设计需求
天线开关模块市场中的使用
GSM / PCS / EDGE / WCDMA手机。该
开关由两个发送端口
可用于GSM / PCS / EDGE ，二
发送/接收端口（ TRX1和TRX2 ），该
可用于任一的WCDMA或作为接收
端口和三个对称的接收端口。导通
芯片CMOS解码逻辑方便三针
低压CMOS控制，而高ESD
在所有端口公差为1500V ，不堵
电容器的要求，以及片上的SAW滤波器
过电压保护装置，使这个
最终的整合和耐用性。
百富勤的竖琴技术
增强功能提供了高线性度和
卓越的谐波性能。它是一个
中的UltraCMOS的创新功能
过程中，以提供性能优越
砷化镓与经济和积分
传统的CMOS 。
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RX1
GND
TRX1
蚂蚁
RX2
GND
RX3
GND
TRX2
GND
1576
m
蚂蚁
GND
GND
TX2
TX1
GND
GND
GND V
DD
V1 GND V2 V3 GND
1156
m
*显示的尺寸绘制的芯片尺寸。
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PE42671
初步speci fi cation
表1.目标电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 2.75 V
参数
TX - 蚂蚁（ 850/900 ）
TX - 蚂蚁（一千九分之一千八百）
TRX - ANT （ 850 WCDMA ）
TRX - ANT （ WCDMA 2100 ）
RX - 蚂蚁（ 850/900 ）
RX - 蚂蚁（一千九分之一千八百）
在端口状态下的测试（ 850/900 ）
(1800 / 1900 / 2100)
TX - RX （ 850/900 ）
TX - RX （一千九分之一千八百）
德克萨斯州 - 德克萨斯州（ 850/900 ）
德克萨斯州 - 德克萨斯州（一千九分之一千八百）
TX - TRX （ 850/900 ）
TX - TRX （一千九分之一千八百）
TRX - RX （ 850 WCDMA ）
TRX - RX （ WCDMA 2100 ）
TX 850/900 MHz的+35 dBm的输出功率， 50
TX一千九百分之一千八兆赫， +33 dBm的输出功率， 50
TX 850/900 MHz的+35 dBm的输出功率， 50
TX一千九百分之一千八兆赫， +33 dBm的输出功率， 50
TRX1 / TRX2 ：测量温度为2.14 GHz的在ANT接口，输入+ 20dBm的CW
在1.76 GHz的1.95 GHz和-15 dBm的CW信号的信号
TRX1 / TRX2 ：测量温度为2.14 GHz的在ANT接口，输入+ 20dBm的CW
在1.76 GHz的1.95 GHz和-15 dBm的CW信号的信号
条件
典型值
0.65
0.75
0.6
0.75
0.95
1.0
20
15
47
40
33
27
36
29
40
31
-83
-82
-78
-78
-111
+68
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
DBM
插入损耗
1
回波损耗
隔离
二阶谐波
第三谐波
WCDMA 2100 IMD3
WCDMA 2100 IIP3
注：以最佳的阻抗匹配指定1.插入损耗。
表2.工作范围
参数
温度范围
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 2.75 V)
TX输入功率（VSWR
≤
3:1)
824-915兆赫
2
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
符号最小值典型值最大值单位
T
OP
V
DD
-40
2.65
2.75
+85
2.85
°C
V
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
TX输入功率（ 50
)
3,4
824-915兆赫
民
-0.3
-0.3
-65
最大
4.0
V
DD
+ 0.3
+150
+38
+36
单位
V
V
°C
T
ST
I
DD
13
50
A
+35
P
IN
+33
+31
DBM
TX输入功率
2
（ VSWR
≤
3:1)
1710年至1910年兆赫
TRX输入功率（VSWR
≤
3:1)
824 - 2170兆赫
RX输入功率
2
（ VSWR
=1:1)
控制电压高
TX输入功率（ 50
)
3,4
1710年至1910年兆赫
P
IN
(50
)
TRX输入功率（ 50
)
824 - 2170兆赫
RX输入功率（ 50
)
3,4
TX输入功率（ VSWR = （ ∞ ： 1 ）
3,4
824-915兆赫
DBM
P
IN
(∞:1)
TX输入功率（ VSWR = （ ∞ ： 1 ）
3,4
1710年至1910年兆赫
TRX输入功率（ VSWR = （ ∞ ： 1 ）
824 - 2170兆赫
V
ESD
电压ESD （HBM ， MIL_STD 883
方法3015.7 ）
DBM
+34
+23
+35
+33
+31
1500
V
DBM
P
IN
+20
V
IH
1.4
V
控制电压低
V
IL
0.4
V
注： 2.假设4620 RF输入周期
s
和占空比为50 ％的周期。
注： 3，假设4620 RF输入周期
s
和占空比为50 ％的周期。
4. V
DD
在工作范围内指定的表2中。
部分性能不低于上述担保
条件。暴露在绝对最大条件
对于延长的时间段可能不利地影响
可靠性。在超出最大应力
收视率可能会造成永久性的损害。
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
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PE42671
初步speci fi cation
表4.引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
引脚名称
蚂蚁
RX1
6
GND
5
TRX1
6
GND
5
蚂蚁
GND
5
TX1
6
图3.焊盘配置（顶视图）
描述
RX1
GND
TRX1
蚂蚁
2
3
4
1
RF通用 - 天线
多余的ANT引脚灵活的结合
RF I / O - RX1
地
RF I / O - TRX1
地
RF通用 - 天线
多余的ANT引脚灵活的结合
地
RF I / O - TX1
地
地
供应
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
地
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
开关控制输入端， CMOS逻辑电平
地
地
RF I / O - TX2
地
RF I / O - TRX2
地
RF I / O - RX3
地
RF I / O - RX2
24
23
22
21
20
RX2
GND
RX3
GND
TRX2
GND
蚂蚁
GND
5
6
7
PE42671
DIE
19
18
GND
TX2
TX1
GND
8
9
17
GND
GND
5
GND
5
V
DD
V1
GND
5
V2
V3
GND
5
GND
5
TX2
6
GND
5
TRX2
6
GND
5
RX3
6
GND
5
RX2
6
GND
10
11
12
13
14 15
16
V1
GND
V2
V3
表5.真值表
路径
TX1 - ANT
TX2 - ANT
TRX1 - ANT
TRX2 - ANT
RX1 - ANT
RX2 - ANT
RX3 - ANT
V3
0
0
0
1
0
1
1
V2
0
0
1
1
1
0
0
V1
0
1
0
0
1
0
1
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与其他使用相同的注意事项
ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
注释： 5.粘接线应是物理上短，并连接到
地平面以获得最佳性能。
6.隔直电容仅在需要时非零DC
电压存在。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
表6.订购信息
订货编号
42671-90
42671-99
42671-00
描述
PE42671-DIE-D
PE42671-DIE-400G
PE42671-DIE-1H
包
拍框
华夫格包
评估套件
送货方式
晶圆（建筑模/晶圆数量）
400骰子/华夫格包
1 /盒
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GND
V
DD
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美洲
Peregrine半导体公司
9450卡罗尔公园径
圣迭戈，加利福尼亚92121
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传真： 858-731-9499
北亚太区
Peregrine半导体株式会社
帝国酒店大楼10B- 6
1-1-1内幸町，千代田区
东京100-0011日本
联系电话： + 81-3-3502-5211
传真： + 81-3-3502-5213
欧洲
Peregrine半导体欧洲
BATIMENT缅因州
13-15 Rue万世嘉通风口
F- 92380加尔舍，法国
电话： + 33-1-47-41-91-73
传真： + 33-1-47-41-91-73
Peregrine半导体，韩国
＃ B- 2402 ，可隆的黎波里， ＃ 210
金谷洞，盆唐区，城南市
京畿道463-480韩国
电话： + 82-31-728-4300
传真： + 82-31-728-4305
南亚地区
Peregrine Semiconductor公司，中国
上海， 200040 ，中国P.R.
电话： + 86-21-5836-8276
传真： + 86-21-5836-7652
航天和国防产品
美洲：
联系电话： 858-731-9453
欧洲，亚太地区：
180街让·德· Guiramand
13852普罗旺斯地区艾克斯3 Cedex的法国
电话：+33 （ 0 ） 4 4239 3361
传真： +33 （ 0 ） 4 4239 7227
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数据表鉴定
超前信息
该产品是在一个阶段或设计阶段。数据
表中包含的设计目标规格产品
发展。规格和功能可能会改变
恕不另行通知方式。
本数据表中的信息被认为是可靠的。
不过，百富勤对使用这种不承担任何责任
信息。使用应完全由用户自己承担风险。
没有专利的权利或许可在此所述的任何电路
数据表中暗示或向任何第三方授予的。
Peregrine公司的产品并非设计用于或计划用于
装置或系统，用于外科植入物，或在其他
应用程序旨在支持或维持生命，或以任何
其中，百富勤的产品的故障可能应用
造成这样的局面中，可能发生的人身伤害或死亡。
百富勤不承担损害赔偿责任，包括
间接或附带损失，因使用的
其产品在这样的应用。
百富勤的名称，徽标和UT斯达康的注册商标。
和的UltraCMOS和竖琴是百富勤的商标
半导体公司
初步speci fi cation
该数据表包含的初步数据。其他数据
可在稍后的日期进行添加。百富勤保留权利
改变规格在任何时候，恕不另行通知，以
以提供更优秀的产品。
产品speci fi cation
该数据表包含最终数据。在百富勤事件
决定改变规格，百富勤将通知
的预期变化所发出DCN客户
（文件变更通知） 。
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