产品speci fi cation
PE4257
产品说明
该PE4257是一种高隔离度的UltraCMOS 开关设计
对于无线应用，覆盖一个宽的频率范围
从近DC至3000兆赫。此单电源SPDT
开关集成了两针CMOS控制接口。这也
提供了具有极低的偏置低插入损耗
的要求，同时工作在一个3伏电源。在一个
典型的无线应用中， PE4257提供
空前的孤立和整合。
该PE4257是Peregrine公司的专利制造的超
薄硅（ UTSI ） CMOS工艺，提供性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
图2.封装类型
RFC
50
SPDT吸收的UltraCMOS
DC - 3.0 GHz射频开关
特点
50
特性阻抗
综合50
0.25瓦特终端
高输入IP3 > +55 dBm的
高隔离64分贝在1000兆赫
低插入损耗：典型0.75分贝
在1000兆赫和0.95分贝2000兆赫
LV CMOS两针控制
单3伏电源供电
低电流消耗： 8
A
采用4x4mm 20引脚QFN
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL1 CTRL2
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3.0 V
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
工作频率
1
插入损耗
1000兆赫
2000兆赫
3000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
3000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
3000兆赫
5兆赫 - 1000兆赫
5兆赫 - 1000兆赫
1000兆赫
50％的CTRL键九十零分之一十RF
5兆赫 - 1000兆赫
50
29
61
46
40
57
54
42
条件
最低
DC
典型
0.75
0.95
1.2
64
50
44
63
60
48
80
55
31
2
最大
3000
0.95
1.15
1.4
单位
兆赫
dB
隔离输入到输出
dB
隔离输出到输出
输入IP2
输入IP3
输入1dB压缩
2
开关时间
视频馈通
3
dB
DBM
DBM
DBM
s
15
mV
pp
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz 。
在表3中2。注意绝对最大额定值。
3.衡量一个1纳秒的上升时间， 0/3 V脉冲和500 MHz带宽
文档编号70-0166-02
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第1页7
PE4257
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
18 VSS / GND
19 GND
CTRL1
CTRL2
VDD
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
参数/条件
电源电压
在CTRL输入电压
在RFC ， RF1 ， RF2射频功率
在端口/终止端口
储存温度
工作温度
ESD电压
（人体模型）
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
33/24
单位
V
V
DBM
°C
°C
V
20
17
16
GND
GND
RF1
GND ， RF1期限。
GND
1
GND
2
3
4
5
15 GND
14 GND
13
RF2
P
RF
T
ST
T
OP
V
ESD
-65
-40
1000
+150
+85
12 GND ， RF2期限。
11 GND
采用4x4mm 20引脚QFN
表2.引脚说明
号
1
2
3
1
4
5
6
7
8
1
9
10
11
12
13
1
14
15
16
2
17
2
18
3
19
20
PAD
注意事项：
1.射频引脚3,8 ，和13必须是在0伏。 RF引脚不需要DC
隔直电容才能正常工作，如果0 VDC要求得到满足。
2.在引脚16和17是在CMOS控制，设置了四个工作状态。
3.连接引脚18至GND ，使负电压发生器。连
引脚18至V
SS
（ -3 V）绕过和禁用内部-3 V电源发生器。看
款“的开关频率。 ”
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
表4.直流电气规格@ 25°C
参数
V
DD
电源
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
0.70 V
DD
0
0.30 V
DD
V
V
名字
GND
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
RFC
GND
GND
GND
GND
RF2
GND
GND
CTRL2
CTRL1
VSS / GND
GND
VDD
GND
射频地
射频地
RF I / O
射频地
射频地
射频地
射频地
射频共
射频地
射频地
射频地
射频地
RF I / O
射频地
射频地
控制2
控制1
描述
民
2.7
GND 10
6
7
8
RFC
GND
GND
GND
9
典型值
3.0
8
最大
3.3
20
单位
V
A
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
开关频率
该PE4257具有最大25 kHz的开关
率时，内部负电压发生器
被使用（销18 = GND）。的速率的
PE4257可以切换为仅限定于
切换时间如果外部-3 V电源
在（ pin18 = V提供
SS
).
文档编号70-0166-02
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
负电源选项
数字地
供应
射频地垫
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第2 7
PE4257
产品speci fi cation
表5.真值表
CTRL1
低
低
高
高
CTRL2
低
高
低
高
RFC - RF1
关闭
关闭
ON
不适用
1
RFC - RF2
关闭
ON
关闭
不适用
1
文档编号70-0166-02
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第3页7
PE4257
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25 ° C（除非另有说明）
（ 50欧姆阻抗）
图4.插入损耗 - 输入 - 输出
图5. RF1到RF2隔离
图6.隔离 - RFC到RF1 / RF2
图7.回波损耗
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第4 7
文档编号70-0166-02
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4257
产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板被设计
缓解PE4257 SPDT开关的客户评价。
射频公共端口是通过一个50连接
传输线的J2 。端口1和端口2顷
经过50连
输电线路J1和
J3 。 A到传输线连接SMA
连接器J4和J5 。该传输线可以是
用于估计PCB的损失在
环境条件进行评估。
该板构成的四个金属层FR4的
材料具有0.031的总厚度“ 。该
输电线路采用共面设计
波导与地平面（ 28万核心， 47.6万
宽度的30mil间隙） 。
注意围绕该装置中的通孔的数量
在图8中所示的布局，这些通孔是为关键
获得指定的隔离性能为
设备在本数据表中所示。
J6提供了一种装置，用于控制直流和数字
输入到设备中。所提供的跳线短接
封装引脚到地的逻辑低电平。当跳线
被移除时，该引脚被上拉至VDD为逻辑高。
当跳线到位，目前的3 μA会流向
通过1 MΩ的上拉电阻。这额外的电流
不应该归因于所述的要求
装置。
图8.评估板布局
百富勤规格101/0151
图9.评估板电路图
百富勤规格102/0198
文档编号70-0166-02
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第5页第7
QQ：2880707522 复制
