产品speci fi cation
PE4244
单刀双掷的UltraCMOS 射频开关
产品说明
该PE4244的UltraCMOS 射频开关被设计为覆盖
广泛的应用范围从直流到3.0千兆赫。此开关
具有低电压集成主板上的CMOS控制逻辑
CMOS兼容控制输入。用+ 3伏额定功率
电源电压的+27 dBm的1 dB压缩点可以
实现的。该PE4244也表现出39分贝良好的隔离
在1.0 GHz和在一个小的8引脚MSOP封装。
该PE4244的UltraCMOS 射频开关是制造
百富勤公司的专利超薄硅（ UTSi ） CMOS
过程中，提供与经济的GaAs的性能
整合传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
特点
单+ 3.0伏电源
低插入损耗： 0.60分贝最多
2.0 GHz的
高隔离39分贝1.0 GHz的，
29分贝在2.0 GHz的
的+27 dBm的典型1 dB压缩
单针CMOS控制逻辑
封装采用8引脚MSOP
图2.封装类型
8引脚MSOP
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
注意事项：
2000兆赫
2000兆赫， 14dBm
1.设备的线性度会开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低切换到高或高到低的50
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
26
43
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 25 dB的隔离， 2 GHz的
条件
最低
DC
典型
0.60
0.60
39
29
36
28
20
25
200
90
15
27
45
最大
3000
0.75
0.75
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
37
27
34
26
19
22
文档编号70-0103-03
│
www.psemi.com
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第1页7
PE4244
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
V
DD
CTRL
1
2
8
7
RF1
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
ST
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
150
85
单位
V
V
°C
°C
GND
GND
4244
GND
RFC
3
4
6
5
T
OP
RF2
P
IN
V
ESD
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
30
1500
DBM
V
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
V
DD
描述
标称3V的电源连接。一个逐
通过电容（ 100 pF）的到地
飞机应放在尽可能接近POS-
CMOS逻辑电平：
高= RFC到RF1信号通路
2
CTRL
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
表4.直流电特定网络阳离子
3
GND
接地连接。走线应
物理上短，并连接到
对于开关（注1 ）常见的RF端口
RF2端口（注1 ）
接地连接。走线应
物理上短，并连接到
接地连接。走线应
物理上短，并连接到
RF1端口（注1 ）
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V
控制电压高
控制电压低
民
2.7
典型值
3.0
250
最大
3.3
500
单位
V
nA
V
4
5
6
RFC
RF2
GND
0.7xV
DD
0.3xV
DD
V
7
GND
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
表5.控制逻辑真值表
控制电压
CTRL = CMOS高
CTRL = CMOS低
8
RF1
注1 ：所有的RF引脚必须为直流阻断与外部
串联电容或为0V举行
DC
.
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
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│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4244
产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4244单刀双掷开关。射频常见的端口
通过50连接
传输线的
左上SMA连接器， J1 。端口1和端口2顷
经过50连
传输线顶端
2 SMA连接器的右侧板，
J3和J4 。 A到传输线连接
SMA连接器J6和J8 。该传输线
可以用来估计在PCB的损失在
环境条件进行评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。底部
层提供接地的RF传输线。
传输线是用一个专
共面波导与地平面模型使用
迹宽度为0.030 “ ，追查0.007的差距” ，
介质厚度0.028 “ ，金属厚度
0.0014 “和
ε
r
4.4 。
J2提供了一种装置，用于控制直流和数字
输入到设备中。从左下角脚开始，
第二销向右（ J2-3 ）是连接到
装置CTRL输入。第四针向右（ J2-7 ）
连接到所述设备V
DD
输入。去耦
电容（ 100pF的）被设置在两个CTRL并
V
DD
痕迹。它是顾客向责任
确定适当的电源去耦为他们设计
应用程序。删除从这些组件
评估板还没有被证明会降低RF
性能。
图4.评估板布局
百富勤规格101/0037
图5.评估板电路图
百富勤规格101/0147
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PE4244
产品speci fi cation
典型性能数据@ -40 ° C至85°C （除非另有说明）
图6.插入损耗 - RFC到RF1
图7.输入1 dB压缩点IIP3 &
0
60
60
-0.3
-40°C
50
50
1dB压缩点（ DBM）
插入损耗（dB ）
IIP3 （ dBm的）
-0.6
40
40
-0.9
85°C
25°C
30
30
-1.2
-1.5
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
20
0
500
1000
1500
2000
2500
20
3000
频率（MHz）
图8.插入损耗 - RFC到RF2
图9.隔离 - RFC到RF1
0
0
-0.3
-20
-40°C
插入损耗（dB ）
-0.6
隔离度（dB ）
-40
-0.9
85°C
25°C
-60
-1.2
-80
-1.5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
-100
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
频率（MHz）
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│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4244
产品speci fi cation
典型性能数据@ -40 ° C至85°C （除非另有说明）
图10.隔离 - RFC到RF2
图11.隔离 - RF1到RF2 ， RF2为RF1
0
0
-20
-25
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-40
-50
-60
-75
-80
-100
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
-100
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
图12.回波损耗 - RFC到RF1 ， RF2
图13.回波损耗 - RF1 ， RF2
0
0
-10
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-10
-20
RF1
RF1
-20
-30
RF2
-30
RF2
-40
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
-40
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
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PE4244
单刀双掷的UltraCMOS 射频开关
产品说明
该PE4244的UltraCMOS 射频开关被设计为覆盖
广泛的应用范围从直流到3.0千兆赫。此开关
具有低电压集成主板上的CMOS控制逻辑
CMOS兼容控制输入。用+ 3伏额定功率
电源电压的+27 dBm的1 dB压缩点可以
实现的。该PE4244也表现出39分贝良好的隔离
在1.0 GHz和在一个小的8引脚MSOP封装。
该PE4244的UltraCMOS 射频开关是制造
百富勤公司的专利超薄硅（ UTSi ） CMOS
过程中，提供与经济的GaAs的性能
整合传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
特点
单+ 3.0伏电源
低插入损耗： 0.60分贝最多
2.0 GHz的
高隔离39分贝1.0 GHz的，
29分贝在2.0 GHz的
的+27 dBm的典型1 dB压缩
单针CMOS控制逻辑
封装采用8引脚MSOP
图2.封装类型
8引脚MSOP
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
注意事项：
2000兆赫
2000兆赫， 14dBm
1.设备的线性度会开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低切换到高或高到低的50
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
26
43
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 25 dB的隔离， 2 GHz的
条件
最低
DC
典型
0.60
0.60
39
29
36
28
20
25
200
90
15
27
45
最大
3000
0.75
0.75
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
37
27
34
26
19
22
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产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
V
DD
CTRL
1
2
8
7
RF1
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
ST
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
存储温度范围
工作温度
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
150
85
单位
V
V
°C
°C
GND
GND
4244
GND
RFC
3
4
6
5
T
OP
RF2
P
IN
V
ESD
输入功率（ 50Ω ）
静电放电电压（人体
30
1500
DBM
V
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
V
DD
描述
标称3V的电源连接。一个逐
通过电容（ 100 pF）的到地
飞机应放在尽可能接近POS-
CMOS逻辑电平：
高= RFC到RF1信号通路
2
CTRL
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
表4.直流电特定网络阳离子
3
GND
接地连接。走线应
物理上短，并连接到
对于开关（注1 ）常见的RF端口
RF2端口（注1 ）
接地连接。走线应
物理上短，并连接到
接地连接。走线应
物理上短，并连接到
RF1端口（注1 ）
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V
控制电压高
控制电压低
民
2.7
典型值
3.0
250
最大
3.3
500
单位
V
nA
V
4
5
6
RFC
RF2
GND
0.7xV
DD
0.3xV
DD
V
7
GND
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
表5.控制逻辑真值表
控制电压
CTRL = CMOS高
CTRL = CMOS低
8
RF1
注1 ：所有的RF引脚必须为直流阻断与外部
串联电容或为0V举行
DC
.
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4244
产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4244单刀双掷开关。射频常见的端口
通过50连接
传输线的
左上SMA连接器， J1 。端口1和端口2顷
经过50连
传输线顶端
2 SMA连接器的右侧板，
J3和J4 。 A到传输线连接
SMA连接器J6和J8 。该传输线
可以用来估计在PCB的损失在
环境条件进行评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。底部
层提供接地的RF传输线。
传输线是用一个专
共面波导与地平面模型使用
迹宽度为0.030 “ ，追查0.007的差距” ，
介质厚度0.028 “ ，金属厚度
0.0014 “和
ε
r
4.4 。
J2提供了一种装置，用于控制直流和数字
输入到设备中。从左下角脚开始，
第二销向右（ J2-3 ）是连接到
装置CTRL输入。第四针向右（ J2-7 ）
连接到所述设备V
DD
输入。去耦
电容（ 100pF的）被设置在两个CTRL并
V
DD
痕迹。它是顾客向责任
确定适当的电源去耦为他们设计
应用程序。删除从这些组件
评估板还没有被证明会降低RF
性能。
图4.评估板布局
百富勤规格101/0037
图5.评估板电路图
百富勤规格101/0147
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PE4244
产品speci fi cation
典型性能数据@ -40 ° C至85°C （除非另有说明）
图6.插入损耗 - RFC到RF1
图7.输入1 dB压缩点IIP3 &
0
60
60
-0.3
-40°C
50
50
1dB压缩点（ DBM）
插入损耗（dB ）
IIP3 （ dBm的）
-0.6
40
40
-0.9
85°C
25°C
30
30
-1.2
-1.5
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
20
0
500
1000
1500
2000
2500
20
3000
频率（MHz）
图8.插入损耗 - RFC到RF2
图9.隔离 - RFC到RF1
0
0
-0.3
-20
-40°C
插入损耗（dB ）
-0.6
隔离度（dB ）
-40
-0.9
85°C
25°C
-60
-1.2
-80
-1.5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
-100
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
频率（MHz）
2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4244
产品speci fi cation
典型性能数据@ -40 ° C至85°C （除非另有说明）
图10.隔离 - RFC到RF2
图11.隔离 - RF1到RF2 ， RF2为RF1
0
0
-20
-25
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-40
-50
-60
-75
-80
-100
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
-100
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
图12.回波损耗 - RFC到RF1 ， RF2
图13.回波损耗 - RF1 ， RF2
0
0
-10
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-10
-20
RF1
RF1
-20
-30
RF2
-30
RF2
-40
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
-40
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
文档编号70-0103-03
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