产品speci fi cation
PE4235
产品说明
在PE4235射频开关被设计为覆盖一个宽范围的
应用程序从接近直流到4000兆赫。此单电源
反射式开关集成主板上的CMOS控制逻辑
通过一个简单的单销CMOS或TTL控制输入驱动。
采用标称+ 3伏电源， 1 dB压缩
可以实现点15 dBm的。该PE4235也表现出
更好的超过40分贝，在1000 MHz的出众的隔离，是
在一个小的3x3毫米DFN封装。
该PE4235制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
RFC
单刀双掷的UltraCMOS 射频开关
DC - 4000 MHz的
特点
单3.0伏电源
低插入损耗0.40分贝
1000兆赫， 0.45分贝在2000兆赫
高隔离40分贝，在1000兆赫，
30分贝在2000兆赫
典型的1 dB压缩点
+15 dBm的
单针CMOS或TTL逻辑控制
采用6引线DFN封装
图2.封装类型
6引线DFN
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
（ ZS = ZL = 50
)
参数
工作频率
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 5 dBm的
13.5
32.5
1
条件
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 25 dB的隔离， 2 GHz的
最低
DC
典型
0.40
0.45
最大
4000
0.50
0.60
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
39
29
36
28
20
17
40
30
37
29
22
19
200
90
2.5
15
36
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到
高或高到低在50
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
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PE4235
产品speci fi cation
图3.引脚配置
RF2
GND
RF1
1
2
3
裸露焊
垫 - 短路
到引脚2
（底部）
表4.绝对最大额定值
符号
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
除了CTRL引脚
CTRL引脚上的电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率（ 50
)
静电放电电压（人体
模型）
-65
-40
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+ 0.3
5
150
85
19
200
单位
V
V
V
°C
°C
DBM
V
6
5
4
RFC
CTRL
V
DD
V
I
V
CTRL
T
ST
V
DD
T
OP
P
IN
V
ESD
表2.引脚说明
针
号
1
2
针
名字
RF2
GND
RF2端口。
1
描述
3
4
5
RF1
V
DD
CTRL
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到所述
接地平面。该引脚连接到
裸露焊盘也必须
被焊接到接地平面，以取得最佳
性能。
RF1端口。
1
标称3V的电源连接。
CMOS或TTL逻辑电平：
高= RFC到RF1信号通路
低= RFC到RF2信号通路
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
控制逻辑输入
该控制逻辑输入引脚（ CTRL ）通常
由一个3伏的CMOS逻辑电平信号来驱动。为
灵活性，具有5伏的支持系统
控制逻辑驱动器，控制逻辑输入具有
被设计为处理标准的5伏的TTL
控制信号。这TTL控制信号输入必须
不超过5伏或损坏开关可以
结果。
表5.控制逻辑真值表
控制电压
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
6
RFC
常见的RF端口的交换机。
1
注：1 。
所有RF引脚必须DC封锁与外部串联
电容或为0V举行
DC
.
表3.直流电气规格
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
0.7xV
DD
0.3xV
DD
民
2.7
典型值
3.0
250
最大
3.3
500
单位
V
CTRL = CMOS或TTL高
CTRL = CMOS或TTL低
nA
V
V
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表4规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
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│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4235
产品speci fi cation
典型性能数据@ -40 ° C至85°C （除非另有说明）
图4.插入损耗 - RFC到RF1
图5.输入1dB压缩点和IIP3
0
IIP3
-0.25
-40 C
40
-40 C
40
1dB压缩点（ DBM）
25 C
插入损耗（dB ）
-0.5
25 C
85 C
IIP3 （ dBm的）
30
85 C
20
30
-0.75
20
-1
10
25 C
-40 C
1dB压缩
10
-1.25
-1.5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
图6.插入损耗 - RFC到RF2
图7.隔离 - RFC到RF1
吨= 25°C
0
-40
8C
0
-0.25
-20
插入损耗（dB ）
-0.5
25
8C
85
8C
隔离度（dB ）
-40
-0.75
-60
-1
-1.25
-80
-1.5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
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PE4235
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25°C
图8.隔离 - RFC到RF2
图9.隔离 - RF1到RF2 ， RF2为RF1
0
0
-20
-20
RF2
隔离度（dB ）
-60
隔离度（dB ）
-40
-40
-60
RF1
-80
-80
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
图10.回波损耗 - RFC
图11.回波损耗 - RF1 ， RF2
0
0
-10
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-10
RF2
-20
-20
RF1
-30
-30
-40
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-40
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4235
产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4235单刀双掷开关。射频常见的端口
通过50连接
传输线的
左上SMA连接器， J1 。端口1和端口2顷
经过50连
传输线顶端
2 SMA连接器的右侧板，
J2和J3 。 A到传输线连接
SMA连接器J4和J5 。该传输线
可以用来估计在PCB的损失在
环境条件进行评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。底部
层提供接地的RF传输线。
传输线是用一个专
共面波导与地平面模型使用
迹宽度为0.0476 “ ，追溯了0.030的差距” ，
介质厚度0.028 “ ，金属厚度
0.0021 “和
ε
r
4.4 。
J6提供了一种装置，用于控制直流和数字
输入到设备中。从左下角脚开始，
第二销向右（ J6-3 ）是连接到
装置CTRL输入。第四针向右（ J6-7 ）
连接到所述设备V
DD
输入。去耦
电容（ 100pF的）被设置在两个CTRL并
V
DD
痕迹。它是顾客向责任
确定适当的电源去耦为他们设计
应用程序。删除从这些组件
评估板还没有被证明会降低RF
性能。
图12.评估板布局
百富勤规格101/0085
图13.评估板电路图
百富勤规格102/0108
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PE4235
产品说明
在PE4235射频开关被设计为覆盖一个宽范围的
应用程序从接近直流到4000兆赫。此单电源
反射式开关集成主板上的CMOS控制逻辑
通过一个简单的单销CMOS或TTL控制输入驱动。
采用标称+ 3伏电源， 1 dB压缩
可以实现点15 dBm的。该PE4235也表现出
更好的超过40分贝，在1000 MHz的出众的隔离，是
在一个小的3x3毫米DFN封装。
该PE4235制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
RFC
单刀双掷的UltraCMOS 射频开关
DC - 4000 MHz的
特点
单3.0伏电源
低插入损耗0.40分贝
1000兆赫， 0.45分贝在2000兆赫
高隔离40分贝，在1000兆赫，
30分贝在2000兆赫
典型的1 dB压缩点
+15 dBm的
单针CMOS或TTL逻辑控制
采用6引线DFN封装
图2.封装类型
6引线DFN
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
（ ZS = ZL = 50
)
参数
工作频率
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 5 dBm的
13.5
32.5
1
条件
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 25 dB的隔离， 2 GHz的
最低
DC
典型
0.40
0.45
最大
4000
0.50
0.60
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
39
29
36
28
20
17
40
30
37
29
22
19
200
90
2.5
15
36
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到
高或高到低在50
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
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图3.引脚配置
RF2
GND
RF1
1
2
3
裸露焊
垫 - 短路
到引脚2
（底部）
表4.绝对最大额定值
符号
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
除了CTRL引脚
CTRL引脚上的电压
存储温度范围
工作温度
范围
输入功率（ 50
)
静电放电电压（人体
模型）
-65
-40
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+ 0.3
5
150
85
19
200
单位
V
V
V
°C
°C
DBM
V
6
5
4
RFC
CTRL
V
DD
V
I
V
CTRL
T
ST
V
DD
T
OP
P
IN
V
ESD
表2.引脚说明
针
号
1
2
针
名字
RF2
GND
RF2端口。
1
描述
3
4
5
RF1
V
DD
CTRL
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到所述
接地平面。该引脚连接到
裸露焊盘也必须
被焊接到接地平面，以取得最佳
性能。
RF1端口。
1
标称3V的电源连接。
CMOS或TTL逻辑电平：
高= RFC到RF1信号通路
低= RFC到RF2信号通路
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
控制逻辑输入
该控制逻辑输入引脚（ CTRL ）通常
由一个3伏的CMOS逻辑电平信号来驱动。为
灵活性，具有5伏的支持系统
控制逻辑驱动器，控制逻辑输入具有
被设计为处理标准的5伏的TTL
控制信号。这TTL控制信号输入必须
不超过5伏或损坏开关可以
结果。
表5.控制逻辑真值表
控制电压
信道
RFC到RF1
RFC到RF2
6
RFC
常见的RF端口的交换机。
1
注：1 。
所有RF引脚必须DC封锁与外部串联
电容或为0V举行
DC
.
表3.直流电气规格
参数
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3V, V
CNTL
= 3V)
控制电压高
控制电压低
0.7xV
DD
0.3xV
DD
民
2.7
典型值
3.0
250
最大
3.3
500
单位
V
CTRL = CMOS或TTL高
CTRL = CMOS或TTL低
nA
V
V
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表4规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
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PE4235
产品speci fi cation
典型性能数据@ -40 ° C至85°C （除非另有说明）
图4.插入损耗 - RFC到RF1
图5.输入1dB压缩点和IIP3
0
IIP3
-0.25
-40 C
40
-40 C
40
1dB压缩点（ DBM）
25 C
插入损耗（dB ）
-0.5
25 C
85 C
IIP3 （ dBm的）
30
85 C
20
30
-0.75
20
-1
10
25 C
-40 C
1dB压缩
10
-1.25
-1.5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
图6.插入损耗 - RFC到RF2
图7.隔离 - RFC到RF1
吨= 25°C
0
-40
8C
0
-0.25
-20
插入损耗（dB ）
-0.5
25
8C
85
8C
隔离度（dB ）
-40
-0.75
-60
-1
-1.25
-80
-1.5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
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典型性能数据@ 25°C
图8.隔离 - RFC到RF2
图9.隔离 - RF1到RF2 ， RF2为RF1
0
0
-20
-20
RF2
隔离度（dB ）
-60
隔离度（dB ）
-40
-40
-60
RF1
-80
-80
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
图10.回波损耗 - RFC
图11.回波损耗 - RF1 ， RF2
0
0
-10
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-10
RF2
-20
-20
RF1
-30
-30
-40
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-40
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
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产品speci fi cation
评估套件
SPDT开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4235单刀双掷开关。射频常见的端口
通过50连接
传输线的
左上SMA连接器， J1 。端口1和端口2顷
经过50连
传输线顶端
2 SMA连接器的右侧板，
J2和J3 。 A到传输线连接
SMA连接器J4和J5 。该传输线
可以用来估计在PCB的损失在
环境条件进行评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。底部
层提供接地的RF传输线。
传输线是用一个专
共面波导与地平面模型使用
迹宽度为0.0476 “ ，追溯了0.030的差距” ，
介质厚度0.028 “ ，金属厚度
0.0021 “和
ε
r
4.4 。
J6提供了一种装置，用于控制直流和数字
输入到设备中。从左下角脚开始，
第二销向右（ J6-3 ）是连接到
装置CTRL输入。第四针向右（ J6-7 ）
连接到所述设备V
DD
输入。去耦
电容（ 100pF的）被设置在两个CTRL并
V
DD
痕迹。它是顾客向责任
确定适当的电源去耦为他们设计
应用程序。删除从这些组件
评估板还没有被证明会降低RF
性能。
图12.评估板布局
百富勤规格101/0085
图13.评估板电路图
百富勤规格102/0108
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