产品speci fi cation
PE4126
产品说明
该PE4126是一款高线性度，无源四路MOSFET搅拌机
对于DCS 1800基站接收机具有高动态
在很宽的LO驱动器系列性能范围高达20 dBm的。
该混频器集成无源匹配网络，以提供
在RF和LO端口，消除了单端接口
需要外部的RF巴伦或匹配网络。该
PE4126被用于下变频使用优化
低端LO注入了DCS 1800基站应用，
并且也适合于在上转换应用中使用。
该PE4126制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
高线性四MOSFET混频器
对于DCS 1800基站
特点
集成的单端RF & LO
接口
高线性度： +32 dBm的IIP3 ，
1700年至1800年兆赫（ +17 dBm的LO ）
低转换损耗： 7.9分贝
（ +17 dBm的LO ）
高隔离度：典型的LO -IF在37分贝，
LO-RF在38分贝（ 1.8千兆赫）
专为低端LO注入
图2.封装类型
8引脚TSSOP
LO
RF
PE4126
IF
表1.交直流电气规格@ 25 ℃，
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
频率范围：
LO
RF
IF
1
转换损耗
2
隔离： LO -RF
1.7 GHz的
1.75 GHz的
1.8 GHz的
LO -IF
输入IP3
输入1 dB压缩
注意事项：
30
32
34
33
30
最低
1450
1700
--
典型
--
--
250
7.9
34
36
38
37
32
21
最大
1550
1800
--
8.3
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
的250兆赫1，一种IF频率是标称频率。 IF频率可以由用户只要将其指定为
RF和LO频率是规定的最大和最小范围内。
2.变频损耗包括损失，如果变压器（M / ACOM ETK4-2T - 额定损耗0.7分贝在250兆赫）
*测试条件下，除非另有说明： LO = 250 MHz的LO输入驱动= 17 dBm时， RF输入驱动= 3 dBm的。
文档编号70-0045-04
│
www.psemi.com
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第1页8
PE4126
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
表3.绝对最大额定值
符号
参数/条件
存储温度范围
工作温度
范围
LO输入功率
RF输入功率
ESD敏感器件
民
-65
-40
最大
150
85
20
16
250
单位
°C
°C
DBM
DBM
V
LO
GND
RF
1
2
3
8
7
6
5
GND
IF1
T
ST
T
OP
P
LO
IF2
GND
P
RF
V
ESD
GND
4
PE4126
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
LO
LO输入
描述
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
2
GND
接地连接的调音台。痕迹
应该是身体短而连接
马上到地平面的最好
性能。
RF输入
地面上。
地面上。
IF差分输出
IF差分输出
地面上。
3
4
5
6
7
8
RF
GND
GND
IF2
IF1
GND
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第2页8
文档编号70-0045-04
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4126
产品speci fi cation
评估套件
图4.评估板布局
百富勤规格101/0054
表4.材料清单
参考
T2
U1 （未标示）
R1
J1, J2, J3
值/说明
M / A COM ETK4-2T
PE4126搅拌机
0
SMA连接器
Pin1
应用支持
如果你有一个问题，您的评估套件，或者
你有申请的问题，请联系
应用支持：
电子邮件： help@psemi.com （最快响应）
电话： （ 858 ） 731-9400
图5.评估板原理图
LO
GND
RF
GND
IF1
IF2
GND
IF
GND
PE4126
T2 M / A - COM E系列射频4 ： 1变压器2.0 - 1000兆赫ETK4-2T
图6.评估板测试框图， 2-音频设置
4126
PA
3分贝
SIG
根
LO
EVAL
板
IF
3分贝
RF
3分贝
SPECTRUM
分析仪
SIG
根
6分贝
混合动力
T恤
6分贝
SIG
根
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PE4126
产品speci fi cation
典型性能数据
（ LO = 17 dBm时， RF = 3的dBm时， IF = 250 MHz）的
图7.转换损耗与频率的关系
图8.输入1dB压缩与频率的关系
0
30
-2
1dB压缩（ DBM）
25
转换损耗（dB ）
20
-40 C 25 C
15
85 C
-4
-6
-40 C 25 C
85 C
10
-8
5
-10
1700
1720
1740
1760
1780
1800
0
1700
1720
1740
1760
1780
1800
频率（MHz）
频率（MHz）
图9.输入IP3与频率的关系
图10.输出IP3与频率的关系
40
35
30
30
-40 C 25 C
IIP3 （ dBm的）
20
85 C
25
OIP3 （ dBm的）
20
-40 C 25 C 85 C
15
10
10
5
0
1700
1720
1740
1760
1780
1800
0
1700
1720
1740
1760
1780
1800
频率（MHz）
频率（MHz）
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4126
产品speci fi cation
典型性能数据
（ LO = 17 dBm时， RF = 3的dBm时， IF = 250 MHz）的
图11. LO- IF隔离与频率的关系
图12. LO-RF隔离与频率的关系
0
0
-10
LO- IF隔离度（dB ）
-10
-20
LO-RF隔离度（dB ）
-20
-30
25 C
85 C
-30
-40
-40 C
-50
1700
85 C
-40
25 C -40 C
1720
1740
1760
1780
1800
-50
1700
1720
1740
1760
1780
1800
频率（MHz）
频率（MHz）
图13. LO端口回波损耗@ 25°C
图14. RF端口回波损耗@ 25°C
0
0
-5
-5
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-10
-15
-15
-20
-25
1.3
1.35
1.4
1.45
频率（GHz ）
1.5
1.55
1.6
-20
1.6
1.65
1.7
1.75
频率（GHz ）
1.8
1.85
1.9
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PE4126
产品说明
该PE4126是一款高线性度，无源四路MOSFET搅拌机
对于DCS 1800基站接收机具有高动态
在很宽的LO驱动器系列性能范围高达20 dBm的。
该混频器集成无源匹配网络，以提供
在RF和LO端口，消除了单端接口
需要外部的RF巴伦或匹配网络。该
PE4126被用于下变频使用优化
低端LO注入了DCS 1800基站应用，
并且也适合于在上转换应用中使用。
该PE4126制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
高线性四MOSFET混频器
对于DCS 1800基站
特点
集成的单端RF & LO
接口
高线性度： +32 dBm的IIP3 ，
1700年至1800年兆赫（ +17 dBm的LO ）
低转换损耗： 7.9分贝
（ +17 dBm的LO ）
高隔离度：典型的LO -IF在37分贝，
LO-RF在38分贝（ 1.8千兆赫）
专为低端LO注入
图2.封装类型
8引脚TSSOP
LO
RF
PE4126
IF
表1.交直流电气规格@ 25 ℃，
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
频率范围：
LO
RF
IF
1
转换损耗
2
隔离： LO -RF
1.7 GHz的
1.75 GHz的
1.8 GHz的
LO -IF
输入IP3
输入1 dB压缩
注意事项：
30
32
34
33
30
最低
1450
1700
--
典型
--
--
250
7.9
34
36
38
37
32
21
最大
1550
1800
--
8.3
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
的250兆赫1，一种IF频率是标称频率。 IF频率可以由用户只要将其指定为
RF和LO频率是规定的最大和最小范围内。
2.变频损耗包括损失，如果变压器（M / ACOM ETK4-2T - 额定损耗0.7分贝在250兆赫）
*测试条件下，除非另有说明： LO = 250 MHz的LO输入驱动= 17 dBm时， RF输入驱动= 3 dBm的。
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图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
表3.绝对最大额定值
符号
参数/条件
存储温度范围
工作温度
范围
LO输入功率
RF输入功率
ESD敏感器件
民
-65
-40
最大
150
85
20
16
250
单位
°C
°C
DBM
DBM
V
LO
GND
RF
1
2
3
8
7
6
5
GND
IF1
T
ST
T
OP
P
LO
IF2
GND
P
RF
V
ESD
GND
4
PE4126
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
LO
LO输入
描述
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
2
GND
接地连接的调音台。痕迹
应该是身体短而连接
马上到地平面的最好
性能。
RF输入
地面上。
地面上。
IF差分输出
IF差分输出
地面上。
3
4
5
6
7
8
RF
GND
GND
IF2
IF1
GND
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4126
产品speci fi cation
评估套件
图4.评估板布局
百富勤规格101/0054
表4.材料清单
参考
T2
U1 （未标示）
R1
J1, J2, J3
值/说明
M / A COM ETK4-2T
PE4126搅拌机
0
SMA连接器
Pin1
应用支持
如果你有一个问题，您的评估套件，或者
你有申请的问题，请联系
应用支持：
电子邮件： help@psemi.com （最快响应）
电话： （ 858 ） 731-9400
图5.评估板原理图
LO
GND
RF
GND
IF1
IF2
GND
IF
GND
PE4126
T2 M / A - COM E系列射频4 ： 1变压器2.0 - 1000兆赫ETK4-2T
图6.评估板测试框图， 2-音频设置
4126
PA
3分贝
SIG
根
LO
EVAL
板
IF
3分贝
RF
3分贝
SPECTRUM
分析仪
SIG
根
6分贝
混合动力
T恤
6分贝
SIG
根
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产品speci fi cation
典型性能数据
（ LO = 17 dBm时， RF = 3的dBm时， IF = 250 MHz）的
图7.转换损耗与频率的关系
图8.输入1dB压缩与频率的关系
0
30
-2
1dB压缩（ DBM）
25
转换损耗（dB ）
20
-40 C 25 C
15
85 C
-4
-6
-40 C 25 C
85 C
10
-8
5
-10
1700
1720
1740
1760
1780
1800
0
1700
1720
1740
1760
1780
1800
频率（MHz）
频率（MHz）
图9.输入IP3与频率的关系
图10.输出IP3与频率的关系
40
35
30
30
-40 C 25 C
IIP3 （ dBm的）
20
85 C
25
OIP3 （ dBm的）
20
-40 C 25 C 85 C
15
10
10
5
0
1700
1720
1740
1760
1780
1800
0
1700
1720
1740
1760
1780
1800
频率（MHz）
频率（MHz）
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4126
产品speci fi cation
典型性能数据
（ LO = 17 dBm时， RF = 3的dBm时， IF = 250 MHz）的
图11. LO- IF隔离与频率的关系
图12. LO-RF隔离与频率的关系
0
0
-10
LO- IF隔离度（dB ）
-10
-20
LO-RF隔离度（dB ）
-20
-30
25 C
85 C
-30
-40
-40 C
-50
1700
85 C
-40
25 C -40 C
1720
1740
1760
1780
1800
-50
1700
1720
1740
1760
1780
1800
频率（MHz）
频率（MHz）
图13. LO端口回波损耗@ 25°C
图14. RF端口回波损耗@ 25°C
0
0
-5
-5
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-10
-15
-15
-20
-25
1.3
1.35
1.4
1.45
频率（GHz ）
1.5
1.55
1.6
-20
1.6
1.65
1.7
1.75
频率（GHz ）
1.8
1.85
1.9
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