产品speci fi cation
PE4122
产品说明
该PE4122是一款高线性度，无源四路MOSFET搅拌机
对于PCS & 3G基站接收机，具有高动态
在很宽的LO驱动器系列性能范围高达+20
dBm的。该混频器集成无源匹配网络
提供单端接口， RF和LO端口，
省去了外部的RF巴伦或匹配
网络。该PE4122的频率优化
降频使用低端LO注入了PCS & 3G
基地站的应用，并且也适合于使用
上转换的应用程序。
该PE4122制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
的UltraCMOS 高线性四
MOSFET混音器对于PCS & 3G基站
特点
集成的单端RF & LO
接口
高线性度： IIP3 >+ 30 dBm时，
1.8 - 2.0 GHz的（ +17 dBm的LO ）
低转换损耗： 7.4分贝
（ +17 dBm的LO ）
高隔离度：典型的LO -IF在38分贝，
LO-RF在34分贝
专为低端LO注入
图2.封装类型
8引脚TSSOP
LO
RF
PE4122
IF
表1.交直流电气规格@ 25 ℃，
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
频率范围：
LO
RF
IF
1
转换损耗
2
隔离：
LO-RF
LO -IF
输入IP3
1.8 GHz的
1.9 GHz的
2.0 GHz的
输入1 dB压缩
注意事项：
28
34
28
31
28
最低
1540
1800
--
典型
--
--
260
7.4
34
38
30
33
30
20
最大
1740
2000
--
7.8
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
的260兆赫1，一种IF频率是标称频率。 IF频率可以由用户只要将其指定为RF和LO频率
是规定的最大和最小范围内。
2.变频损耗包括中频变压器（M / A COM ETK4-2T ，标称损失0.7分贝在260兆赫）的损失。
*测试条件下，除非另有说明： LO = 260 MHz的LO输入驱动= 17 dBm时， RF输入驱动= 0 dBm的。
文档编号70-0041-04
│
www.psemi.com
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第1页8
PE4122
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
LO
GND
RF
1
2
3
8
7
6
5
GND
IF1
IF2
GND
表3.绝对最大额定值
符号
T
ST
T
OP
P
LO
P
RF
V
ESD
参数/条件
存储温度范围
工作温度
范围
LO输入功率
RF输入功率
ESD敏感器件
民
-65
-40
最大
150
85
20
16
250
单位
°C
°C
DBM
DBM
V
GND
4
PE4122
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
LO
LO输入
描述
2
GND
接地连接的调音台。痕迹
应该是身体短而连接
马上到地平面的最好
性能。
RF输入
地面上。
地面上。
IF差分输出
IF差分输出
地面上。
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
3
4
5
6
7
8
RF
GND
GND
IF2
IF1
GND
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第2页8
文档编号70-0041-04
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4122
产品speci fi cation
评估套件
图4.评估板布局
百富勤规格101/0054
表4.材料清单
参考
T2
U1 （未标示）
R1
J1, J2, J3
值/说明
M / A COM ETK4-2T
PE4122搅拌机
0
SMA连接器
Pin1
应用支持
如果你有一个问题，您的评估套件，或者
你有申请的问题，请联系
应用支持：
电子邮件： help@psemi.com （最快响应）
电话： （ 858 ） 731-9400
图5.评估板原理图
LO
GND
RF
GND
IF1
IF2
GND
IF
GND
PE4122
T2 M / A - COM E系列射频4 ： 1变压器2.0 - 1000兆赫ETK4-2T
图6.评估板测试框图， 2-音频设置
4122
PA
3分贝
SIG
根
LO
EVAL
板
IF
3分贝
RF
3分贝
SPECTRUM
分析仪
SIG
根
6分贝
混合动力
T恤
6分贝
SIG
根
文档编号70-0041-04
│
www.psemi.com
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第3页8
PE4122
产品speci fi cation
典型性能数据
（ LO = 17 dBm时， RF = 0 dBm时， IF = 260兆赫）
图7.转换损耗与频率的关系
图8.输入1dB压缩与频率的关系
0
30
85 C
25
-2
1dB压缩（ DBM）
转换损耗（dB ）
20
-4
15
25 C -40 C
-6
10
-8
5
85 C
-10
1800
25 C
-40 C
1900
频率（MHz）
1950
2000
1850
0
1800
1850
1900
频率（MHz）
1950
2000
图9.输入IP3与频率的关系
图10.输出IP3与频率的关系
40
85 C
35
30
25
IIP3 （ dBm的）
20
15
10
5
0
1800
30
25
20
OIP3 （ dBm的）
-40 C
25 C
-40 C
15
25 C
85 C
10
5
1850
1900
频率（MHz）
1950
2000
0
1800
1850
1900
频率（MHz）
1950
2000
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第4页8
文档编号70-0041-04
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4122
产品speci fi cation
典型性能数据
（ LO = 17 dBm时， RF = 0 dBm时， IF = 260兆赫）
图11. LO- IF隔离与温度的关系
图12. LO-RF隔离与温度的关系
0
0
-10
-10
LO-RF隔离度（dB ）
LO- IF隔离度（dB ）
-20
-20
-30
-30
-40
-50
-40 C 25 C
-60
1800
1850
85 C
1950
2000
-40
-40 C 25 C 85 C
-50
1800
1900
频率（MHz）
1850
1900
频率（MHz）
1950
2000
图13. LO端口回波损耗@ 25°C
图14. RF端口回波损耗@ 25°C
0
-5
0
-5
-10
回波损耗（分贝）
-15
-20
-25
-30
-35
-40
1.5
-25
1.7
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
1.55
1.6
1.65
频率（GHz ）
1.7
1.75
1.8
1.75
1.8
1.85
1.9
1.95
2
2.05
2.1
频率（GHz ）
文档编号70-0041-04
│
www.psemi.com
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第5页8
产品speci fi cation
PE4122
产品说明
该PE4122是一款高线性度，无源四路MOSFET搅拌机
对于PCS & 3G基站接收机，具有高动态
在很宽的LO驱动器系列性能范围高达+20
dBm的。该混频器集成无源匹配网络
提供单端接口， RF和LO端口，
省去了外部的RF巴伦或匹配
网络。该PE4122的频率优化
降频使用低端LO注入了PCS & 3G
基地站的应用，并且也适合于使用
上转换的应用程序。
该PE4122制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
的UltraCMOS 高线性四
MOSFET混音器对于PCS & 3G基站
特点
集成的单端RF & LO
接口
高线性度： IIP3 >+ 30 dBm时，
1.8 - 2.0 GHz的（ +17 dBm的LO ）
低转换损耗： 7.4分贝
（ +17 dBm的LO ）
高隔离度：典型的LO -IF在38分贝，
LO-RF在34分贝
专为低端LO注入
图2.封装类型
8引脚TSSOP
LO
RF
PE4122
IF
表1.交直流电气规格@ 25 ℃，
(Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
频率范围：
LO
RF
IF
1
转换损耗
2
隔离：
LO-RF
LO -IF
输入IP3
1.8 GHz的
1.9 GHz的
2.0 GHz的
输入1 dB压缩
注意事项：
28
34
28
31
28
最低
1540
1800
--
典型
--
--
260
7.4
34
38
30
33
30
20
最大
1740
2000
--
7.8
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
的260兆赫1，一种IF频率是标称频率。 IF频率可以由用户只要将其指定为RF和LO频率
是规定的最大和最小范围内。
2.变频损耗包括中频变压器（M / A COM ETK4-2T ，标称损失0.7分贝在260兆赫）的损失。
*测试条件下，除非另有说明： LO = 260 MHz的LO输入驱动= 17 dBm时， RF输入驱动= 0 dBm的。
文档编号70-0041-04
│
www.psemi.com
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第1页8
PE4122
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
LO
GND
RF
1
2
3
8
7
6
5
GND
IF1
IF2
GND
表3.绝对最大额定值
符号
T
ST
T
OP
P
LO
P
RF
V
ESD
参数/条件
存储温度范围
工作温度
范围
LO输入功率
RF输入功率
ESD敏感器件
民
-65
-40
最大
150
85
20
16
250
单位
°C
°C
DBM
DBM
V
GND
4
PE4122
表2.引脚说明
针
号
1
针
名字
LO
LO输入
描述
2
GND
接地连接的调音台。痕迹
应该是身体短而连接
马上到地平面的最好
性能。
RF输入
地面上。
地面上。
IF差分输出
IF差分输出
地面上。
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
3
4
5
6
7
8
RF
GND
GND
IF2
IF1
GND
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第2页8
文档编号70-0041-04
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4122
产品speci fi cation
评估套件
图4.评估板布局
百富勤规格101/0054
表4.材料清单
参考
T2
U1 （未标示）
R1
J1, J2, J3
值/说明
M / A COM ETK4-2T
PE4122搅拌机
0
SMA连接器
Pin1
应用支持
如果你有一个问题，您的评估套件，或者
你有申请的问题，请联系
应用支持：
电子邮件： help@psemi.com （最快响应）
电话： （ 858 ） 731-9400
图5.评估板原理图
LO
GND
RF
GND
IF1
IF2
GND
IF
GND
PE4122
T2 M / A - COM E系列射频4 ： 1变压器2.0 - 1000兆赫ETK4-2T
图6.评估板测试框图， 2-音频设置
4122
PA
3分贝
SIG
根
LO
EVAL
板
IF
3分贝
RF
3分贝
SPECTRUM
分析仪
SIG
根
6分贝
混合动力
T恤
6分贝
SIG
根
文档编号70-0041-04
│
www.psemi.com
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第3页8
PE4122
产品speci fi cation
典型性能数据
（ LO = 17 dBm时， RF = 0 dBm时， IF = 260兆赫）
图7.转换损耗与频率的关系
图8.输入1dB压缩与频率的关系
0
30
85 C
25
-2
1dB压缩（ DBM）
转换损耗（dB ）
20
-4
15
25 C -40 C
-6
10
-8
5
85 C
-10
1800
25 C
-40 C
1900
频率（MHz）
1950
2000
1850
0
1800
1850
1900
频率（MHz）
1950
2000
图9.输入IP3与频率的关系
图10.输出IP3与频率的关系
40
85 C
35
30
25
IIP3 （ dBm的）
20
15
10
5
0
1800
30
25
20
OIP3 （ dBm的）
-40 C
25 C
-40 C
15
25 C
85 C
10
5
1850
1900
频率（MHz）
1950
2000
0
1800
1850
1900
频率（MHz）
1950
2000
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第4页8
文档编号70-0041-04
│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4122
产品speci fi cation
典型性能数据
（ LO = 17 dBm时， RF = 0 dBm时， IF = 260兆赫）
图11. LO- IF隔离与温度的关系
图12. LO-RF隔离与温度的关系
0
0
-10
-10
LO-RF隔离度（dB ）
LO- IF隔离度（dB ）
-20
-20
-30
-30
-40
-50
-40 C 25 C
-60
1800
1850
85 C
1950
2000
-40
-40 C 25 C 85 C
-50
1800
1900
频率（MHz）
1850
1900
频率（MHz）
1950
2000
图13. LO端口回波损耗@ 25°C
图14. RF端口回波损耗@ 25°C
0
-5
0
-5
-10
回波损耗（分贝）
-15
-20
-25
-30
-35
-40
1.5
-25
1.7
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
1.55
1.6
1.65
频率（GHz ）
1.7
1.75
1.8
1.75
1.8
1.85
1.9
1.95
2
2.05
2.1
频率（GHz ）
文档编号70-0041-04
│
www.psemi.com
2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第5页8
QQ：2881677436 复制
