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40822
MOS场效应晶体管
描述：
该
ASI 40822
是一个N沟道双核
门耗尽型晶体管，
整体式门保护二极管，
在使用射频，中频放大器和混频器
应用高达150兆赫。
封装形式TO- 72
最大额定值
I
D
V
D
P
DISS
T
J
T
英镑
50毫安
24 V
330毫瓦@ T
A
= 25
O
C
-65
O
C至+175
O
C
-65℃到+175
O
O
1 =排水
3 =门＃ 1
2 =门＃ 2
4 =源，案例和底
特征
符号
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
I
G1SSF
I
G1SSR
I
G2SSF
I
G2SSR
I
DS
V
(BR)G1
V
(BR)G2
g
fs
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
G
PS
NF
V
DS
= 15 V
V
DS
= 15 V
T
A
= 25 C
O
无
测试条件
V
G2S
= 4.0 V
V
G1S
= 0 V
I
D
= 50
A
I
D
= 50
A
最低
典型
-2.0
-2.0
最大
-4.0
-4.0
50
50
50
50
单位
V
V
A
A
A
A
mA
V
V
μmho
V
G1S
= 6.0 V
V
G2S
= 6.0 V
V
DS
= 15 V
I
G1
=
±100 A
I
G2
=
±100 A
V
DS
= 15 V
F = 1.0千赫
V
DS
= 15 V
F = 1.0 MHz的
V
DS
= 15 V
= 200兆赫
V
G2S
= V
DS
= 0 V
V
G1S
= V
DS
= 0 V
V
G1S
= 0 V
V
G2S
= 4.0 V
5.0
15
9.0
9.0
V
G2S
= 4.0 V
V
G2S
= 4.0 V
V
G2S
= 4.0 V
I
D
= 10毫安
I
D
= 10毫安
I
D
= 10毫安
f
0.005
6.5
2.0
19
24
2.0
12000
V
G1S
= -6.0 V V
G2S
= V
DS
= 0 V
V
G2S
= -6.0 V V
G1S
= V
DS
= 0 V
30
0.03
9.5
pF
dB
3.5
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
规格若有变更，恕不
REV 。一
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