【集成电路数据表对于一个完整的数据资料，也请下载：该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑系列规格】,IC型号4049B,4049B PDF资料,4049B经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4049B

缓冲器

HEX反相缓冲器

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

HEX反相缓冲器

描述

该HEF4049B提供了六个反相缓冲器高

适用于驱动TTL或高电流输出能力

的容性负载。由于投入超过电压

缓冲区的电源电压允许，缓冲器还可以

用于转换的逻辑电平高达15V的标准

TTL电平。他们保证扇出为普通双极

逻辑单元示于下表中。

HEF4049B

缓冲器

HEF4049BP （ N）： 16引脚DIL ;塑料（ SOT38-1 ）

HEF4049BD （ F）：在16引脚DIL ;陶瓷（陶瓷浸渍）（ SOT74 ）

HEF4049BT （D）： 16引线SO ;塑料（ SOT109-1 ）

（）：封装标识北美

保证扇出共同的逻辑系列

从动元件

标准TTL

74 LS

74 L

保证

扇出

图3的逻辑图（ 1栅极）。

应用信息

为HEF4049B应用的一些实例是：

LOCMOS到DTL / TTL转换器

高灌电流驱动2 TTL负载

图1的功能框图。

高到低逻辑电平转换

输入保护

Fig.4

输入保护电路，使输入

超过V的电压

图2钢钉图。

系列数据，我

极限类缓冲区

见家庭音响特定阳离子

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

HEX反相缓冲器

DC特性

= 0 V; V

= V

或V

HEF

符号

分钟。

输出（汇）

目前的低

输出（源）

目前的高

输出（源）

目前的高

2,5

1,7

1,4

4,75

0,4

0,5

1,5

4,6

9,5

13,5

3,5

12,0

24,0

0,52

1,3

3,6

AMB

(°C)

马克斯。

+25

分钟。

2,9

10,0

20,0

0,44

1,1

3,0

马克斯。

HEF4049B

缓冲器

+85

MN 。

2,3

8,0

16,0

0,36

0,9

2,4

1,1

马克斯。

HEC

符号

分钟。

AMB

(°C)

马克斯。

+25

分钟。

2,9

10,0

20,0

0,44

1,1

3,0

马克斯。

+125

分钟。

1,9

6,7

13,0

0,36

0,9

2,4

马克斯。

输出（汇）

目前的低

输出（源）

目前的高

4,75

0,4

0,5

1,5

4,6

9,5

13,5

3,6

12,5

25,0

0,52

1,3

3,6

传播延迟

→

前高后低

从低到高

输出转换

时

前高后低

从低到高

符号

典型值。

马克斯。

100

120

典型的外推

公式

26纳秒

（ 0.18纳秒/ PF ）C

11纳秒

（ 0,08 NS / PF ）C

9 NS

（ 0,05 NS / PF ）C

23纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

14纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

12纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

3纳秒

（ 0.35纳秒/ PF ）C

3纳秒

（ 0,14 NS / PF ）C

2纳秒

（ 0,09 NS / PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

PHL

PLH

THL

TLH

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

HEX反相缓冲器

HEF4049B

缓冲器

动态功耗

每消耗

包（P）的

典型公式P（ μW ）

2 500 f

+ ∑

)

DD2

11 000 f

+ ∑

)

DD2

35 000 f

+ ∑

)

DD2

哪里

=输入频率。（兆赫）

=输出频率。（兆赫）

=负载电容（PF ）

∑

） =产出的总和

- 电源电压（ V）

1995年1月

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4049B

缓冲器

HEX反相缓冲器

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

HEX反相缓冲器

描述

该HEF4049B提供了六个反相缓冲器高

适用于驱动TTL或高电流输出能力

的容性负载。由于投入超过电压

缓冲区的电源电压允许，缓冲器还可以

用于转换的逻辑电平高达15V的标准

TTL电平。他们保证扇出为普通双极

逻辑单元示于下表中。

HEF4049B

缓冲器

HEF4049BP （ N）： 16引脚DIL ;塑料（ SOT38-1 ）

HEF4049BD （ F）：在16引脚DIL ;陶瓷（陶瓷浸渍）（ SOT74 ）

HEF4049BT （D）： 16引线SO ;塑料（ SOT109-1 ）

（）：封装标识北美

保证扇出共同的逻辑系列

从动元件

标准TTL

74 LS

74 L

保证

扇出

图3的逻辑图（ 1栅极）。

应用信息

为HEF4049B应用的一些实例是：

LOCMOS到DTL / TTL转换器

高灌电流驱动2 TTL负载

图1的功能框图。

高到低逻辑电平转换

输入保护

Fig.4

输入保护电路，使输入

超过V的电压

图2钢钉图。

系列数据，我

极限类缓冲区

见家庭音响特定阳离子

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

HEX反相缓冲器

DC特性

= 0 V; V

= V

或V

HEF

符号

分钟。

输出（汇）

目前的低

输出（源）

目前的高

输出（源）

目前的高

2,5

1,7

1,4

4,75

0,4

0,5

1,5

4,6

9,5

13,5

3,5

12,0

24,0

0,52

1,3

3,6

AMB

(°C)

马克斯。

+25

分钟。

2,9

10,0

20,0

0,44

1,1

3,0

马克斯。

HEF4049B

缓冲器

+85

MN 。

2,3

8,0

16,0

0,36

0,9

2,4

1,1

马克斯。

HEC

符号

分钟。

AMB

(°C)

马克斯。

+25

分钟。

2,9

10,0

20,0

0,44

1,1

3,0

马克斯。

+125

分钟。

1,9

6,7

13,0

0,36

0,9

2,4

马克斯。

输出（汇）

目前的低

输出（源）

目前的高

4,75

0,4

0,5

1,5

4,6

9,5

13,5

3,6

12,5

25,0

0,52

1,3

3,6

传播延迟

→

前高后低

从低到高

输出转换

时

前高后低

从低到高

符号

典型值。

马克斯。

100

120

典型的外推

公式

26纳秒

（ 0.18纳秒/ PF ）C

11纳秒

（ 0,08 NS / PF ）C

9 NS

（ 0,05 NS / PF ）C

23纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

14纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

12纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

3纳秒

（ 0.35纳秒/ PF ）C

3纳秒

（ 0,14 NS / PF ）C

2纳秒

（ 0,09 NS / PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

PHL

PLH

THL

TLH

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

HEX反相缓冲器

HEF4049B

缓冲器

动态功耗

每消耗

包（P）的

典型公式P（ μW ）

2 500 f

+ ∑

)

DD2

11 000 f

+ ∑

)

DD2

35 000 f

+ ∑

)

DD2

哪里

=输入频率。（兆赫）

=输出频率。（兆赫）

=负载电容（PF ）

∑

） =产出的总和

- 电源电压（ V）

1995年1月