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集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4043B
微星
四R / S与三态锁存器
输出
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
描述
该HEF4043B是一个四R / S具有三态锁存器
具有共同的输出的输出使能输入端（EO） 。每
锁存器具有高电平有效的输入设置（S
0
向S
3
），活性
高电平复位输入（R
0
与R
3
）和一个高电平有效的三态
输出（O
0
与O
3
).
当EO为高电平时，锁存器输出的状态（O
n
）可
从功能表中确定。当EO是
低时，锁存器的输出是在高阻抗
OFF状态。 EO不影响锁存器的状态。
HEF4043B
微星
图2钢钉图。
高阻关断状态功能可以让普通
校车的输出。
HEF4043BP （ N） ：
HEF4043BD （F ） ：
HEF4043BT （D）：
16引脚DIL ;塑料（ SOT38-1 ）
16引脚DIL ;陶瓷（陶瓷浸渍） （ SOT74 ）
16引脚SO ;塑料（ SOT109-1 ）
（ ） ：封装标识北美
钉扎
EO
S
0
向S
3
R
0
与R
3
O
0
与O
3
常见的输出使能输入
集输入（高电平有效）
复位输入（高电平有效）
三态缓冲锁存器输出
功能表
输入
EO
L
H
H
H
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =非物质状态
Z =高阻抗状态
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
S
n
X
L
H
L
R
n
X
H
X
L
产量
O
n
Z
L
H
LATCHED
图1的功能框图。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
HEF4043B
微星
图4逻辑图（ 1锁存器） 。
图3的逻辑图。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
R
n
→
O
n
前高后低
S
n
→
O
n
从低到高
输出转换
时
前高后低
从低到高
三态传输延迟
输出禁用时间
EO
→
O
n
高
5
10
15
5
低
输出使能时间
EO
→
O
n
高
5
10
15
5
低
最小的S
n
脉冲宽度; HIGH
最低
n
脉冲宽度; HIGH
10
15
5
10
15
5
10
15
t
WRH
t
WSH
30
20
16
30
20
16
t
PZL
t
PZH
25
15
10
40
20
15
15
10
8
15
10
8
50
30
25
80
45
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
PLZ
t
PHZ
45
20
10
50
20
10
90
35
25
100
40
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
90
35
25
65
25
15
60
30
20
60
30
20
180
70
50
135
50
35
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
HEF4043B
微星
典型的外推
公式
63纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
7纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
又见波形
Fig.5
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
HEF4043B
微星
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1100 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
4400 f
i
+
∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
11 400 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
图5波形显示的最低S
n
和R
n
脉冲宽度。
应用信息
应用为HEF4043B的一个例子是：
四比特的存储与输出使能
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4043B
微星
四R / S与三态锁存器
输出
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
描述
该HEF4043B是一个四R / S具有三态锁存器
具有共同的输出的输出使能输入端（EO） 。每
锁存器具有高电平有效的输入设置（S
0
向S
3
），活性
高电平复位输入（R
0
与R
3
）和一个高电平有效的三态
输出（O
0
与O
3
).
当EO为高电平时，锁存器输出的状态（O
n
）可
从功能表中确定。当EO是
低时，锁存器的输出是在高阻抗
OFF状态。 EO不影响锁存器的状态。
HEF4043B
微星
图2钢钉图。
高阻关断状态功能可以让普通
校车的输出。
HEF4043BP （ N） ：
HEF4043BD （F ） ：
HEF4043BT （D）：
16引脚DIL ;塑料（ SOT38-1 ）
16引脚DIL ;陶瓷（陶瓷浸渍） （ SOT74 ）
16引脚SO ;塑料（ SOT109-1 ）
（ ） ：封装标识北美
钉扎
EO
S
0
向S
3
R
0
与R
3
O
0
与O
3
常见的输出使能输入
集输入（高电平有效）
复位输入（高电平有效）
三态缓冲锁存器输出
功能表
输入
EO
L
H
H
H
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =非物质状态
Z =高阻抗状态
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
S
n
X
L
H
L
R
n
X
H
X
L
产量
O
n
Z
L
H
LATCHED
图1的功能框图。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
HEF4043B
微星
图4逻辑图（ 1锁存器） 。
图3的逻辑图。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
R
n
→
O
n
前高后低
S
n
→
O
n
从低到高
输出转换
时
前高后低
从低到高
三态传输延迟
输出禁用时间
EO
→
O
n
高
5
10
15
5
低
输出使能时间
EO
→
O
n
高
5
10
15
5
低
最小的S
n
脉冲宽度; HIGH
最低
n
脉冲宽度; HIGH
10
15
5
10
15
5
10
15
t
WRH
t
WSH
30
20
16
30
20
16
t
PZL
t
PZH
25
15
10
40
20
15
15
10
8
15
10
8
50
30
25
80
45
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
PLZ
t
PHZ
45
20
10
50
20
10
90
35
25
100
40
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
90
35
25
65
25
15
60
30
20
60
30
20
180
70
50
135
50
35
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
HEF4043B
微星
典型的外推
公式
63纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
7纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
又见波形
Fig.5
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
HEF4043B
微星
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1100 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
4400 f
i
+
∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
11 400 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
图5波形显示的最低S
n
和R
n
脉冲宽度。
应用信息
应用为HEF4043B的一个例子是：
四比特的存储与输出使能
1995年1月
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49063
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47565-002LF
4610X-101-472
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45984-1313
4705
4540EX103K3
46556-2547
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    联系人：杨小姐
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    4043B
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