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3TA100GKxxNB
三相半桥
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
TYPE
3TA100GK03NB
3TA100GK04NB
V
RSM
V
400
500
V
RRM
V
300
400
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
FGM
V
RGM
的di / dt
T
VJ
T
VJM
T
英镑
Ms
Mt
重量
到散热片M6
端子M5
测试条件
单相半波， 180
o
导通，T
C
=114
o
C
1 / 2cycle ， 50赫兹/ 60赫兹，峰值，非重复性
最大额定值
100
157
3200/3500
51000
10
1
3
10
5
单位
A
A
A
2
s
W
A
V
A /美
o
I
G
=的200mA， TJ = 25
o
C，V
D
=1/2V
DRM
，二
G
/dt=1A/us
50
-30...+150
150
-30...+125
3 ~ 5
2.5 ~ 5
160
C
Nm
g
3TA100GKxxNB
三相半桥
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
/V
GT
V
GD
TGT
dv / dt的
I
H
R
thJC
测试条件
在V
DRM ，
单相半波， TJ = 150
o
C
通态电流310A ， TJ = 25
o
研究所。测量
Tj=25
o
C，我
T
= 1A ，V
D
=6V
Tj=150
o
C，V
D
=1/2V
DRM
I
T
= 100A ，我
G
=的200mA， TJ = 25
o
C，V
D
=1/2V
DRM
，二
G
/dt=1A/us
Tj=150
o
C，V
D
=2/3V
DRM
，指数波
Tj=25
o
C
结到外壳（1/3模块）
分钟。
典型值。
马克斯。
15
15
1.20
75
单位
mA
V
毫安/ V
V
0.25
10
500
70
0.3
o
us
V /美
mA
C / W
3TA100GKxxNB
三相半桥
3TA100GKxxNB
三相半桥
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
TYPE
3TA100GK03NB
3TA100GK04NB
V
RSM
V
400
500
V
RRM
V
300
400
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
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I
2
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P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
FGM
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RGM
的di / dt
T
VJ
T
VJM
T
英镑
Ms
Mt
重量
到散热片M6
端子M5
测试条件
单相半波， 180
o
导通，T
C
=114
o
C
1 / 2cycle ， 50赫兹/ 60赫兹，峰值，非重复性
最大额定值
100
157
3200/3500
51000
10
1
3
10
5
单位
A
A
A
2
s
W
A
V
A /美
o
I
G
=的200mA， TJ = 25
o
C，V
D
=1/2V
DRM
，二
G
/dt=1A/us
50
-30...+150
150
-30...+125
3 ~ 5
2.5 ~ 5
160
C
Nm
g
3TA100GKxxNB
三相半桥
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
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/V
GT
V
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TGT
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I
H
R
thJC
测试条件
在V
DRM ，
单相半波， TJ = 150
o
C
通态电流310A ， TJ = 25
o
研究所。测量
Tj=25
o
C，我
T
= 1A ，V
D
=6V
Tj=150
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D
=1/2V
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T
= 100A ，我
G
=的200mA， TJ = 25
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C，V
D
=1/2V
DRM
，二
G
/dt=1A/us
Tj=150
o
C，V
D
=2/3V
DRM
，指数波
Tj=25
o
C
结到外壳（1/3模块）
分钟。
典型值。
马克斯。
15
15
1.20
75
单位
mA
V
毫安/ V
V
0.25
10
500
70
0.3
o
us
V /美
mA
C / W
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3SK162
3AB-31
337SAK050M
340-03B-3600
333G25PP460R
355007
3386P-EY5-103T
3EZ16D5
38720-7413
381LR121M420J022
3EZ18D10
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410
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