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> 3STR1630
3STR1630
低电压高性能NPN功率晶体管
特点
■
■
■
■
极低的集电极 - 发射极饱和电压
高电流增益特性
开关速度快
小型SOT- 23塑料封装
ECOPACK
用于表面安装2级
电路
3
2
1
SOT-23
应用
■
■
■
闪光灯和LED驱动器
电机和继电器驱动器
DC- DC转换器
图1 。
内部原理图
描述
这个装置是一个NPN晶体管。制造
使用低电压平面技术用
双金属工艺。
表1中。
设备简介
记号
1630
包
SOT-23
填料
磁带和卷轴
订货编号
3STR1630
2011年6月
文档ID 16600牧师3
1/10
www.st.com
10
电气额定值
3STR1630
1
电气额定值
表2中。
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
J
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
P
& LT ; 5毫秒)
总功耗在T
AMB
= 25 °C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
30
5
6
12
0.5
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
表3中。
符号
R
thJA(1)
热数据
参数
热阻结到环境最大
价值
250
单位
° C / W
1.装置安装在1平方厘米的PCB面积。
2/10
文档ID 16600牧师3
3STR1630
电气特性
2
电气特性
T
例
= 25°C除非另有规定。
表4 。
符号
I
CBO
I
EBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(I
E
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
集电极 - 基
击穿电压
(I
E
= 0)
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
发射极 - 基极击穿
电压(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
测试条件
V
CB
= 30 V
V
EB
= 4 V
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
0.1
单位
A
A
V
( BR ) CBO
I
C
= 100 A
30
V
V
( BR ) CEO
(1)
I
C
= 10毫安
30
V
V
( BR ) EBO
I
E
= 100 A
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
C
= 5 A
I
C
= 2 A
I
C
= 5 A
I
C
= 50毫安
I
C
= 0.5 A
I
C
= 2 A
I
C
= 5 A
I
C
= 0.1 A
V
CB
= 40 V,
I
B
= 100毫安
I
B
= 40毫安
I
B
= 500毫安
I
B
= 40毫安
I
B
= 500毫安
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 10 V
F = 1 MHz的
5
60
140
240
830
1000
210
180
170
90
190
300
1100
V
mV
mV
mV
mV
mV
V
CE (饱和)(1)
V
BE (饱和)(1)
h
FE (1)
直流电流增益
560
260
90
100
15
兆赫
pF
f
t
C
CBO
跃迁频率
集电极 - 基
电容(我
E
= 0)
阻性负载
开启时间
打开-O FF时间
t
on
t
关闭
I
C
= 2.5 A
V
CC
= 12 V
I
B1
= - I
B2
= 125毫安
V
BE (OFF)的
= - 5 V
90
450
ns
ns
1.脉冲测试:脉冲持续时间
≤
300微秒,占空比
≤
2%
文档ID 16600牧师3
3/10
电气特性
3STR1630
2.1
电特性(曲线)
图2中。
直流电流增益(V
CE
=1 V)
网络连接gure 3 。
直流电流增益(V
CE
=2 V)
图4中。
集电极 - 发射极饱和
电压(V
CESAT
@ h
FE
=10)
图5中。
集电极 - 发射极饱和
电压(V
CESAT
@ h
FE
=50)
图6 。
基射极饱和
电压(V
BESAT
@ h
FE
=10)
图7 。
基射极饱和
电压(V
BESAT
@ h
FE
=50)
4/10
文档ID 16600牧师3
3STR1630
电气特性
网络连接gure 8 。
阻性负载开关时间如图9所示。
(上)
阻性负载开关时间
(关闭)
图10.电容曲线
图11.输出曲线
文档ID 16600牧师3
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3STR1630
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35.9205
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封装
单价/备注
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QQ:2880707522
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QQ:2369405325
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电话:0755-82780082
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3STR1630
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