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3SK317
硅N沟道双栅MOS FET
超高频/甚高频射频放大器
REJ03G1247-0200
（上一个： ADE- 208-778 ）
Rev.2.00
2005年8月10日
特点
低噪音的特点;
（ NF = 1.0 dB典型值，在f = 200兆赫）
高功率增益特性;
（ PG = 27.6分贝（典型值） ，在f = 200兆赫）
概要
瑞萨封装代码： PTSP0004ZA -A
（包名称： CMPAK - 4 ）
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注意：
标记为“ ZR- ” 。
Rev.2.00
2005年8月10日，
第1页6
3SK317
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
14
±8
±8
25
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
GATE1至源极击穿电压
GATE2至源极击穿电压
GATE1到源截止电流
GATE2到源截止电流
GATE1到源截止电压
GATE2到源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数
功率增益
噪声系数
噪声系数
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
I
G1SS
I
G2SS
V
G1S(off)
V
G2S(off)
I
DS （ OP ）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
PG
NF
PG
NF
NF
民
14
±8
±8
—
—
0
0
4
20
2.4
0.8
—
24
—
12
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.2
0.3
8
25
3.1
1.1
0.021
27.6
1.0
15.6
3
2.7
最大
—
—
—
±100
±100
1
1
14
—
3.5
1.4
0.04
—
1.5
—
4
3.5
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
测试条件
I
D
= 200
A
, V
G1S
= V
G2S
= –3 V
I
G1
=
±10 A,
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
=
±10 A,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
=
±6
V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
=
±6
V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 10 V, V
G2S
= 3 V,
I
D
= 100
A
V
DS
= 10 V, V
G1S
= 3 V,
I
D
= 100
A
V
DS
= 6 V, V
G1S
= 0.75 V,
V
G2S
= 3 V
V
DS
= 6 V, V
G2S
= 3 V
I
D
= 10 mA时， F = 1千赫
V
DS
= 6 V, V
G2S
= 3 V,
I
D
= 10 mA时， F = 1兆赫
V
DS
= 6 V, V
G2S
= 3 V,
I
D
= 10 mA时， F = 200 MHz的
V
DS
= 6 V, V
G2S
= 3 V,
I
D
= 10 mA时， F = 900兆赫
V
DS
= 6 V, V
G2S
= 3 V
I
D
= 10 mA时， F = 60 MHz的
Rev.2.00
2005年8月10日，
第2 6
3SK317
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
信道功率耗散P沟道（MW ）
200
20
典型的输出特性
1.2 V
V
G2S
= 3 V
脉冲测试
1.0 V
I
D
（MA ）
漏电流
150
16
12
100
0.8 V
8
0.6 V
4
V
G1S
= 0.4 V
0
50
100
150
200
0
2
4
6
8
10
50
周围温度Ta
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流与GATE1源电压
20
3.0 V
2.5 V
2.0 V
1.5 V
12
1.0 V
V
DS
= 6 V
脉冲测试
漏电流与GATE2源电压
20
3.0 V
2.5 V
16
2.0 V V
DS
= 6 V
脉冲测试
1.5 V
1.0 V
I
D
（MA ）
16
I
D
（MA ）
漏电流
12
漏电流
8
8
4
V
G2S
= 0.5 V
0
1
2
3
4
5
4
V
G1S
= 0.5 V
0
1
2
3
4
5
GATE1至源极电压
V
G1S
(V)
GATE2至源极电压
V
G2S
(V)
正向转移导纳主场迎战
GATE1至源极电压
正向转移导纳
|y
fs
|
（女士）
30
功率增益与漏电流
50
V
DS
= 6 V
V
G2S
= 3 V
F = 200 MHz的
功率增益PG （分贝）
V
DS
= 6 V
F = 1千赫
24
3V
40
18
2V
12
1.5 V
1V
V
G2S
= 0.5 V
0
0.4
0.8
1.2
2.5 V
30
20
6
10
1.6
V
G1S
(V)
2
0
4
8
12
16
20
GATE1至源极电压
漏电流
I
D
（MA ）
Rev.2.00
2005年8月10日，
第3页6
3SK317
噪声系数与漏电流
5
V
DS
= 6 V
V
G2S
= 3 V
F = 200 MHz的
功率增益与漏源极电压
50
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 200 MHz的
NF（ dB）的
功率增益PG （分贝）
20
4
40
3
30
噪声系数
2
20
1
10
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
漏电流I
D
（MA ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
噪声系数与漏源极电压
5
20
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 200 MHz的
功率增益与漏电流
NF（ dB）的
3
功率增益PG （分贝）
4
16
12
噪声系数
2
8
V
DS
= 6 V
V
G2S
= 3 V
F = 900兆赫
1
4
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流I
D
（MA ）
噪声系数与漏电流
5
功率增益与漏源极电压
20
NF（ dB）的
功率增益PG （分贝）
4
16
3
12
噪声系数
2
V
DS
= 6 V
V
G2S
= 3 V
F = 900兆赫
4
8
12
16
20
8
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 900兆赫
2
4
6
8
10
1
4
0
0
漏电流I
D
（MA ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
Rev.2.00
2005年8月10日，
第4 6
3SK317
噪声系数与漏源极电压
10
5
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 900兆赫
噪声系数与漏电流
V
DS
= 6 V
V
G2S
= 3 V
F = 60MHz的
NF（ dB）的
8
NF（ dB）的
噪声系数
4
6
3
噪声系数
4
2
2
1
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流
I
D
（MA ）
噪声系数与漏源极电压
5
NF（ dB）的
4
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 60MHz的
3
噪声系数
2
1
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
Rev.2.00
2005年8月10日，
分页： 5 6
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