【3SK298硅N沟道双栅MOS FETREJ03G0817-0300（上ADE- 208-390A 】,IC型号3SK298ZP-TL-E,3SK298ZP-TL-E PDF资料,3SK298ZP-TL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

3SK298

硅N沟道双栅MOS FET

REJ03G0817-0300

（上ADE- 208-390A ）

Rev.3.00

Aug.10.2005

应用

超高频/甚高频射频放大器

特点

低噪声系数。

NF = 1.0 dB典型值。在f = 200 MHz的

能够低电压操作

概要

瑞萨封装代码： PTSP0004ZA -A

（包名称： CMPAK - 4 ）

1.源

2. GATE1

3. GATE2

4.漏

注意：

标记为“ ZP- ”

注意事项：

这个装置是非常敏感的静电放电。

建议处理该晶体管时采取适当的注意事项。

Rev.3.00 2005年8月10日第1页8

3SK298

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

1号门至源极电压

2号门至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

符号

G1S

G2S

PCH

总胆固醇

TSTG

评级

±8

100

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

1号门至源极击穿电压

2号门至源极击穿电压

1号门切断电流

2号门切断电流

漏电流

1号门源截止电压

2门源截止电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

功率增益

噪声系数

功率增益

噪声系数

符号

（ BR ） DSX

(BR)G1SS

（ BR ） G2SS

G1SS

G2SS

DS （ ON）

G1S(off)

G2S(off)

西塞

科斯

CRSS

民

±8

—

0.5

2.4

0.8

—

典型值

—

2.9

1.0

0.023

1.0

3.2

2.8

最大

—

±100

+1.0

—

3.4

1.4

0.04

—

1.8

—

4.5

3.5

单位

测试条件

= 200

, V

G1S

= –3 V,

G2S

= –3 V

= ±10

G2S

= V

= 0

= ±10

G1S

= V

= 0

G1S

= ±6 V, V

G2S

= V

= 0

G2S

= ±6 V, V

G1S

= V

= 0

= 6 V, V

G1S

= 0.75 V,

G2S

= 3 V

= 10 V, V

G2S

= 3 V,

= 100

= 10 V, V

G1S

= 3 V,

= 100 A

= 6 V, V

G2S

= 3 V,

= 10 mA时， F = 1千赫

= 6 V, V

G2S

= 3 V,

= 10 mA时， F = 1兆赫

= 6 V, V

G2S

= 3 V,

= 10 mA时， F = 200 MHz的

= 6 V, V

G2S

= 3 V,

= 10 mA时， F = 900兆赫

= 6 V, V

G2S

= 3 V,

= 10 mA时， F = 60 MHz的

Rev.3.00 2005年8月10日第2页8

3SK298

最大信道功率

耗散曲线

P沟（ mW）的

200

G2S

= 3 V

1.4 V

脉冲测试

典型的输出特性

（MA ）

1.2 V

150

信道功率耗散

1.0 V

漏电流

100

0.8 V

0.6 V

G1S

= 0.4 V

100

150

200

环境温度

的Ta （℃）

漏极至源极电压V

(V)

漏电流与GATE1源电压

3.0 V

2.0 V

1.5 V

= 6 V

漏电流与GATE2源电压

3.0 V

= 6 V

2.0 V

2.5 V

1.5 V

1.0 V

脉冲测试

（MA ）

2.5 V

（MA ）

漏电流

脉冲测试

1.0 V

漏电流

G2S

= 0.5 V

G1S

= 0.5 V

GATE1至源极电压

G1S

(V)

GATE2至源极电压

G2S

(V)

（女士）

正向转移导纳主场迎战

GATE1至源极电压

= 6 V

F = 1千赫

G2S

= 3.0 V

2.5 V

2.0 V

1.5 V

1.0 V

0.5 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

功率增益与漏电流

（ dB）的

功率增益

正向转移导纳

= 6 V

G2S

= 3 V

F = 200 MHz的

GATE1至源极电压

G1S

(V)

漏电流

（MA ）

Rev.3.00 2005年8月10日第3页8

3SK298

噪声系数与漏电流

3.0

= 6 V

G2S

= 3 V

F = 200 MHz的

功率增益与漏源极电压

NF（ dB）的

PG（ dB）的

功率增益

2.4

噪声系数

1.8

1.2

G2S

= 3 V

= 10毫安

F = 200 MHz的

0.6

漏电流

（MA ）

漏源极电压

(V)

噪声系数与漏源极电压

2.0

功率增益与漏电流

NF（ dB）的

PG（ dB）的

功率增益

G2S

= 3 V

= 10毫安

F = 200 MHz的

1.6

1.2

噪声系数

0.8

= 6 V

G2S

= 3 V

F = 900兆赫

0.4

漏源极电压

(V)

漏电流

（MA ）

噪声系数与漏电流

= 6 V

G2S

= 3 V

F = 900兆赫

功率增益与漏源极电压

PG（ dB）的

功率增益

NF（ dB）的

噪声系数

G2S

= 3 V

= 10毫安

F = 900兆赫

漏电流

（MA ）

漏源极电压

(V)

Rev.3.00 2005年8月10日第4页8

3SK298

噪声系数与漏源极电压

NF（ dB）的

噪声系数

G2S

= 3 V

= 10毫安

F = 900兆赫

漏源极电压

(V)

Rev.3.00 2005年8月10日第5页8

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23000

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RNS

2024+

9675

SOT-343

优势现货，全新原装进口

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22000

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21000

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