3SK295
硅N沟道双栅MOS FET
REJ03G0814-0300
（上ADE- 208-387A ）
Rev.3.00
2005年8月10日
应用
超高频射频放大器
特点
低噪声系数。
NF = 2.0 dB典型值。在f = 900 MHz的
能够低电压操作
概要
瑞萨封装代码： PLSP0004ZA -A
（包名称： MPAK - 4 ）
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注意：
标记为“ ZQ- ”
注意事项：
这个装置是非常敏感的静电放电。
建议处理该晶体管时采取适当的注意事项。
Rev.3.00 08月2005年10月，页6 1
3SK295
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
1号门至源极电压
2号门至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
12
±8
±8
25
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
1号门至源极击穿电压
2号门至源极击穿电压
1号门切断电流
2号门切断电流
漏电流
1号门源截止电压
2门源截止电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数
符号
V
（ BR ） DSX
V
(BR)G1SS
V
（ BR ） G2SS
I
G1SS
I
G2SS
I
DS （ ON）
V
G1S(off)
V
G2S(off)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
PG
NF
民
12
±8
±8
—
—
0.5
–0.5
0
16
1.2
0.6
—
16
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
20.8
1.5
0.9
0.01
19.5
2.0
最大
—
—
—
±100
±100
10
+0.5
+1.0
—
2.2
1.2
0.03
—
3
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
mS
pF
pF
pF
dB
dB
测试条件
I
D
= 200 μA ，V
G1S
= –3 V,
V
G2S
= –3 V
I
G1
=
±10 A,
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
=
±10 A,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
=
±6
V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
=
±6
V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 6 V, V
G1S
= 0.5 V,
V
G2S
= 3 V
V
DS
= 10 V, V
G2S
= 3 V,
I
D
= 100
A
V
DS
= 10 V, V
G1S
= 3 V,
I
D
= 100
A
V
DS
= 6 V, V
G2S
= 3 V,
I
D
= 10 mA时， F = 1千赫
V
DS
= 6 V, V
G2S
= 3 V,
I
D
= 10 mA时， F = 1兆赫
V
DS
= 4 V, V
G2S
= 3 V,
I
D
= 10 mA时， F = 900兆赫
Rev.3.00 08月2005年10月， 6个2页
3SK295
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
P沟（ mW）的
200
20
V
G2S
= 3 V
1.2 V
典型的输出特性
脉冲测试
（MA ）
16
1.0 V
150
信道功率耗散
I
D
100
12
0.8 V
8
0.6 V
4
V
G1S
= 0.4 V
2
4
6
8
10
50
漏电流
50
100
150
200
0
0
环境温度
的Ta （℃）
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流与GATE1源电压
20
3.0 V
2.0 V
V
DS
= 6 V
漏电流与GATE2源电压
20
2.0 V
1.5 V
V
DS
= 6 V
脉冲测试
（MA ）
16
2.5 V
1.5 V
（MA ）
脉冲测试
16
1.0 V
12
I
D
12
漏电流
漏电流
I
D
1.0 V
8
8
V
G1S
= 0.5 V
4
V
G2S
= 0.5 V
0
1
2
3
4
5
4
0
1
2
3
4
5
GATE1至源极电压V
G1S
(V)
GATE2至源极电压V
G2S
(V)
正向转移导纳主场迎战
GATE1至源极电压
正向转移导纳
| YFS | （MS ）
30
V
DS
= 6 V
F = 1千赫
V
G2S
= 3.0 V
18
2.5 V
2.0 V
1.5 V
6
0.5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
1
1.0 V
25
功率增益与漏电流
PG（ dB）的
功率增益
24
20
15
12
10
V
DS
= 4 V
V
G2S
= 3 V
F = 900兆赫
2
5
10
20
5
GATE1至源极电压V
G1S
(V)
漏电流
I
D
（MA ）
Rev.3.00 08月2005年10月， 6个3页
3SK295
噪声系数与漏电流
5
V
DS
= 4 V
V
G2S
= 3 V
F = 900兆赫
功率增益与漏源极电压
25
4
PG（ dB）的
功率增益
NF（ dB）的
20
3
15
噪声系数
2
10
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 900兆赫
2
4
6
8
10
1
0
1
5
2
5
10
20
0
漏电流
I
D
（MA ）
漏源极电压
V
DS
(V)
噪声系数与漏源极电压
5
NF（ dB）的
噪声系数
4
3
2
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 900兆赫
2
4
6
8
10
1
0
漏源极电压
V
DS
(V)
Rev.3.00 08月2005年10月， 6个4页
3SK295
S11参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
.2
4
5
10
0
.2
.4
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
10
–10
–.2
–5
–4
–3
–.4
–.6
–.8
–1.5
–2
–120°
–90°
–60°
–1
180°
0°
150°
30°
1
1.5
2
120°
S21参数与频率的关系
90°
规模： 0.5 / DIV 。
60°
–150°
–30°
条件： V
DS
= 4 V, V
G2S
= 3 V
I
D
= 10 mA时，莫宁= 50
100至1000 MHz （ 50 MHz的步骤）
条件： V
DS
= 4 V, V
G2S
= 3 V
I
D
= 10 mA时，莫宁= 50
100至1000 MHz （ 50 MHz的步骤）
S12参数与频率的关系
90°
120°
S22参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
1
1.5
2
规模： 0.002 / DIV 。
60°
150°
30°
.2
4
5
10
180°
0°
0
.2
.4
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
10
–10
–.2
–150°
–30°
–.4
–120°
–90°
–60°
–.6
–.8
–1.5
–5
–4
–3
–2
–1
条件： V
DS
= 4 V, V
G2S
= 3 V
I
D
= 10 mA时，莫宁= 50
100至1000 MHz （ 50 MHz的步骤）
条件： V
DS
= 4 V, V
G2S
= 3 V
I
D
= 10 mA时，莫宁= 50
100至1000 MHz （ 50 MHz的步骤）
Rev.3.00 08月2005年10月， 6个5页
3SK295
硅N沟道双栅MOS FET
ADE-208-387
1日。版
应用
超高频射频放大器
特点
低噪声系数。
NF = 2.0 dB典型值。在f = 900 MHz的
能够低电压操作
概要
MPAK-4
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
QQ：2880707522 复制
