3SK292
东芝场效应晶体管
硅N沟道双栅MOS型
3SK292
电视调谐器，甚高频射频放大器的应用
优越的交叉调制性能。
低反向传输电容：C
RSS
= 20 FF（典型值）。
低噪声系数： NF = 1.4分贝（典型值）。
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
1号门 - 源极电压
2号门 - 源极电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
12.5
±8
±8
30
150
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
JEDEC
―
温度/电流/电压和在显著变化
JEITA
―
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
东芝
2-3J1A
工作温度/电流/电压等）内的
重0.013克（典型值）
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ），并
个别可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率等）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
1号门漏电流
2号门漏电流
漏源电压
漏电流
栅1 - 源截止电压
门2 - 源截止电压
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数
符号
I
G1SS
I
G2SS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
V
G1S （OFF）的
V
G2S （OFF）的
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
G
ps
NF
测试条件
V
DS
=
0, V
G1S
= ±6
V, V
G2S
=
0
V
DS
=
0, V
G1S
=
0, V
G2S
= ±6
V
V
G1S
= 0.5
V, V
G2S
= 0.5
V,
I
D
=
100
μA
V
DS
=
6 V, V
G1S
=
0, V
G2S
=
4.5 V
V
DS
=
6 V, V
G2S
=
4.5 V，I
D
=
100
μA
V
DS
=
6 V, V
G2S
=
4.0 V，I
D
=
100
μA
V
DS
=
6 V, V
G2S
=
4.5 V，I
D
=
10毫安，
f
=
1千赫
V
DS
=
6 V, V
G2S
=
4.5 V，I
D
=
10毫安，
f
=
1兆赫
V
DS
=
6 V, V
G2S
=
4.5 V，I
D
=
10毫安，
f
=
500兆赫（图1）
民
12.5
0.3
0.5
19.5
23.5
典型值。
0.9
1.0
23.5
2.5
20
26.0
1.4
最大
±50
±50
0.1
1.3
1.5
3.1
40
2.5
单位
nA
nA
V
mA
V
V
mS
pF
fF
dB
dB
1
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3SK292
L1~L4:
φ0.8
毫米镀银铜线
C：空气微调TTA25A200A （村田制作所，株式会社）
RFC 1 ：
φ0.35
毫米VEW 3I.D. 7牛逼
RFC 2 ：
φ0.35
毫米VEW 3I.D. 10吨
图1个G
ps
/ NF测试电路
记号
2
2007-11-01
3SK292
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
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兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
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5
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