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数据表
MOS场效应
3SK254
RF放大器CATV调谐器
N沟道硅双栅MOS场效应晶体管
4引脚超小模具
特点
低V
DD
利用
驱动电池
:
(V
DS
= 3.5 V)
NF1 = 2.0 dB典型值。 （ F = 470兆赫）
NF2 = 0.8 dB典型值。 （ F = 55兆赫）
高功率增益：
G
PS
= 19.0分贝TYP 。 （ F = 470兆赫）
浮雕式编带
4引脚超小模具
适合用作RF放大器在CATV调谐器。
2.0±0.2
1.25
包装尺寸
（单位：毫米）
2.1±0.2
0.3
+0.1
–0.05
0.3
+0.1
–0.05
3
4
低噪声系数：
1.25±0.1
2
自动安装：
小包装
:
0.65
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
GATE1漏极电压
GATE2漏极电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
*1:
R
L
≥
10 k
*2:
自由的空气
V
DSX
V
G1S
V
G2S
V
G1D
V
G2D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
18
±8
*1
±8
*1
18
18
25
130
*2
125
-55到+125
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
0.9±0.1
0.60
0.4
+0.1
–0.05
1
引脚连接
1.
2.
3.
4.
来源
漏
Gate2
Gate1
注意事项：
避免高静态电压或电场，使该设备将无法从任何损坏，由于这些电压受苦
或网络连接的视场。
一号文件P10585EJ2V0DS00 （第2版）
（上一页第TD- 2307 ）
发布日期1995年P月
日本印刷
0-0.1
0.15
+0.1
–0.05
0.3
+0.1
–0.05
0.3
(1.3)
1993
3SK254
电气特性（T
A
= 25
°
C)
特征
漏源击穿电压
漏电流
GATE1到源截止电压
GATE2到源截止电压
GATE1反向电流
GATE2反向电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数1
噪声系数2
符号
BV
DSX
I
DSX
V
G1S(off)
V
G2S(off)
I
G1SS
I
G2SS
|y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
ps
NF1
NF2
16
14
2.4
0.9
18
2.9
1.2
0.01
19
2.0
0.8
分钟。
18
0.1
–1.0
0
0
0.5
5.0
+1.0
1.0
±20
±20
23
3.4
1.5
0.03
22
3.0
2.3
典型值。
马克斯。
单位
V
mA
V
V
nA
nA
mS
pF
pF
pF
dB
dB
dB
V
DS
= 3.5 V, V
G2S
= 3 V，I
D
= 7毫安
F = 470 MHz的
V
DS
= 3.5 V, V
G2S
= 3 V，I
D
= 7毫安
F = 55 MHz的
V
DS
= 3.5 V, V
G2S
= 3 V，I
D
= 7毫安
F = 1 MHz的
测试条件
V
G1S
= V
G2S
= -2 V，I
D
= 10
A
V
DS
= 3.5 V, V
G2S
= 3 V, V
G1S
= 0.5 V
V
DS
= 3.5 V, V
G2S
= 3 V，I
D
= 10
A
V
DS
= 3.5 V, V
G1S
= 3 V，I
D
= 10
A
V
DS
= 0, V
G2S
= 0, V
G1S
=
±6
V
V
DS
= 0, V
G1S
= 0, V
G2S
=
±6
V
V
DS
= 3.5 V, V
G2S
= 3 V，I
D
= 7毫安
F = 1千赫
I
DSX
分类
秩
记号
I
DSX
（MA ）
U1E
U1E
为0.1 0.5
2
3SK254
典型特征（T
A
= 25 C)
总功耗对比
环境温度
25
漏电流与
漏源极电压
V
G2S
= 3 V
V
G1S
= 1.6 V
P
D
- 总功率耗散 - 毫瓦
I
D
- 漏电流 - 毫安
200
20
1.4 V
15
1.2 V
1.0 V
0.8 V
5
0.6 V
130毫瓦
100
10
0
25
50
75
100
125
0
5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
GATE1至源极电压
10
T
a
- 环境温度 - °C
漏电流与
GATE1至源极电压
V
DS
= 3.5 V
V
G2S
= 3.5 V
3.0 V
2.5 V
2.0 V
15
|y
fs
| - 正向转移导纳 - 质谱
25
40
V
DS
= 3.5 V
F = 1千赫
32
V
G2S
= 3.5 V
I
D
- 漏电流 - 毫安
20
24
10
1.5 V
16
2.0 V
8
1.0 V
0
0.5
1.0
1.5 V
1.5
3.0 V
2.5 V
5
1.0 V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
2.0
2.5
V
G1S
- GATE1至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
V
G1S
- GATE1至源极电压 - V
输入电容与
GATE2至源极电压
5.0
I
D
= 7毫安
（在V
DS
= 3.5 V,
V
G2S
= 3 V)
F = 1 MHz的
|y
fs
| - 正向转移导纳 - 质谱
40
C
国际空间站
- 输入电容 - pF的
V
DS
= 3.5 V
F = 1千赫
32
V
G2S
= 3.5 V
3.0 V
16
2.5 V
4.0
24
3.0
2.0
8
1.0 V
0
4
1.5 V
8
12
2.0 V
16
20
1.0
0
–1.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
I
D
- 漏电流 - 毫安
V
G2S
- GATE2至源极电压 - V
3
3SK254
输出电容与
GATE2至源极电压
2.5
10
I
D
= 7毫安
（在V
DS
= 3.5 V,
V
G2S
= 3.0 V)
F = 1 MHz的
20
I
D
= 7毫安
（在V
DS
= 3.5 V,
V
G2S
= 3.0 V)
F = 470 MHz的
G
PS
功率增益和噪声系数对比
GATE2至源极电压
C
OSS
- 输出电容 - pF的
NF - 噪声系数 - 分贝
G
PS
- 功率增益 - 分贝
2.0
10
1.5
5
0
1.0
–10
NF
–20
0.5
0
–1.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
–1.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
G2S
- GATE2至源极电压 - V
V
G2S
- GATE2至源极电压 - V
4
3SK254
G
PS
和NF测试电路在f = 470 MHz的
V
G2S
1 000 pF的
22 k
1 000 pF的
铁氧体磁珠
L
2
L
1
1 000 pF的
22 k
L
3
1 000 pF的
1 000 pF的
15 pF的
15 pF的
1 000 pF的
40 pF输出
50
输入40 pF的
50
V
G1S
V
DS
L
1
:
φ
1.2毫米U.E.W
φ
5毫米1T
L
2
:
φ
1.2毫米U.E.W
φ
5毫米1T
L
3
： REC 2.2
H
NF测试电路在f = 55 MHz的
V
G2S
V
DS
RFC
2.2 k
1 500 pF的
1 000 pF的
输入
50
3.3
k
27 pF的
47
k
47 k
1 000 pF的
27 pF的
产量
3.3 k
50
铁氧体磁珠
1 500 pF的
V
G1S
5
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推荐型号
3530EN103Z9
361R101M100EG2
3201-1315-02
380LQ471M400K042
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39-28-8060
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380LQ122M200K022
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