3SK165A
砷化镓N沟道双栅场效应管MES
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描述
该3SK165A是N沟道双栅极的GaAs
MES FET的UHF频段低噪声放大。这
场效应管是适合于广泛的应用范围
包括移动电话，无绳电话。
特点
低电压操作
噪音低：在800MHz的NF = 1.2分贝（典型值）。
高增益：嘎= 20分贝（典型值）为800MHz
高稳定性
应用
UHF频带放大器，混频器和振荡器
结构
砷化镓N沟道双栅极金属半导体场效应晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
漏源极电压
V
DSX
8
1号门至源极电压
V
G1S
–6
2号门至源极电压
V
G2S
–6
漏电流
I
D
80
允许功耗
P
D
150
通道温度
总胆固醇
150
储存温度
TSTG
-55到+150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
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任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E96Y12-PS
3SK165A
I
D
与V
G2S
50
(V
DS
= 5V)
40
50
(V
DS
= 5V)
通用汽车与V
G1S
GM - 正向转移导纳[毫秒]
40
V
G2S
= 1.5V
I
D
- 漏极电流[mA ]
30
20
V
G1S
= 0V
–0.2V
–0.4V
–0.6V
–0.8V
–1.0V
–1.2V
–1.4V
30
20
1.0V
0.5V
0V
–0.5V
–1.0V
–1.5
–1.0
–0.5
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0
10
10
0
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
V
G2S
- 门2至源极电压[V]
0
0
–2.0
NF与V
G1S
6
(V
DS
= 5V ， F = 800MHz的）
5
V
G2S
= 0.5V
25
30
嘎与V
G1S
(V
DS
= 5V ， F = 800MHz的）
NF - 噪声系数（分贝）
V
G2S
= 1.5V
嘎 - 增益（分贝）
4
20
1.0V
15
0.5V
10
3
1.0V
1.5V
2
1
5
0
–2.0 –1.8 –1.6 –1.4–1.2 –1.0–0.8 –0.6 –0.4–0.2 0 0.2
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0
–2.0–1.8 –1.6 –1.4–1.2–1.0–0.8 –0.6 –0.4–0.2 0 0.2
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
NF ，嘎与我
D
3.0
(V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V ， F = 800MHz的）
2.5
25
Ga
30
3.0
NF ，嘎与F
40
(V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V ，我
D
= 10毫安）
NFmin - 最小噪声系数（分贝）
2.5
35
NF - 噪声系数（分贝）
嘎 - 增益（分贝）
Ga
1.5
NF
1.0
15
1.5
25
10
1.0
NFmin
20
0.5
5
0.5
15
0
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22
I
D
- 漏极电流[mA ]
0
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
的F - 频率[ GHz的]
10
–3–
嘎 - 增益（分贝）
2.0
20
2.0
30
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