【数据表MOS场效应3SK134BRF放大器。超高频电视调谐器N沟道硅双栅MOS场效应晶体管4引脚MI】,IC型号3SK134B,3SK134B PDF资料,3SK134B经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

3SK134B

RF放大器。超高频电视调谐器

N沟道硅双栅MOS场效应晶体管

4引脚MINI模具

特点

高功率增益：

低噪声系数：

= 23.0分贝TYP 。（ @ = 900兆赫）

NF = 2.4 dB典型值。（ @ = 900兆赫）

包装尺寸

（单位：毫米）

2.8

+0.2

– 0.3

0.4

+0.1

– 0.05

适合用作RF放大器UHF电视调谐器。

自动安装：

表面贴装封装：

浮雕式编带

4针微型模具（ EIAJ ： SC- 61 ）

2.9±0.2

0.95

1.5

+0.2

– 0.1

(1.8)

GATE1至源极电压

GATE2至源极电压

GATE1漏极电压

GATE2漏极电压

漏电流

总功耗

通道温度

储存温度

: R

≥

10 k

G1S

G2S

G1D

G2D

英镑

±8

(±10)

±8

(±10)

200

125

-55到+125

°C

1.1

+0.2

– 0.1

0.85

漏源极电压

DSX

0.6

+0.1

– 0.05

0.8

0.4

+0.1

– 0.05

0.16

+0.1

– 0.05

0-0.1

引脚连接

1.源

2.漏

3. GATE2

4. GATE1

注意事项：

避免高静态电压或电场，使该设备将无法从任何损坏，由于这些电压受苦

网络视场。

一号文件P10566EJ2V0DS00 （第2版）

（上一页第TD- 2398 ）

发布日期1995年P月

日本印刷

(1.9)

绝对最大额定值（T

= 25

0.4

+0.1

– 0.05

1993

3SK134B

电气特性（T

= 25

特征

漏源击穿电压

漏电流

GATE1到源截止电压

GATE2到源截止电压

GATE1反向电流

GATE2反向电流

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

功率增益

噪声系数

符号

DSX

G1S(off)

G2SS(off)

G1SS

G2SS

国际空间站

OSS

RSS

20.0

25.0

1.5

0.6

29.0

2.5

1.1

0.02

23.0

2.4

3.5

分钟。

0.4

8.0

–2.0

–0.7

±20

35.0

3.5

1.6

0.03

典型值。

马克斯。

单位

= 10 V, V

G2S

= 4 V，I

= 10毫安

F = 900兆赫

= 10 V, V

G2S

= 4 V，I

= 10毫安

F = 1 MHz的

测试条件

G1S

= V

G2S

= -2 V，I

= 10

= 10 V, V

G2S

= 4 V, V

G1S

= 0.5 V

= 10 V, V

G2S

= 4 V，I

= 10

= 10 V, V

G1S

= 4 V，I

= 10

= V

G2S

= 0, V

G1S

±8

= V

G1S

= 0, V

G2S

±8

= 10 V, V

G2S

= 4 V，I

= 10毫安

F = 1千赫

DSX

分类

秩

记号

DSX

（MA ）

U55/UEE

U55

0.4 5.0

U56/UEF

U56

3.0 8.0

3SK134B

典型特征（T

= 25 C)

总功耗对比

环境温度

400

自由的空气

300

G2S

= 4 V

G1S

= 1.2 V

1.1 V

1.0 V

0.9 V

0.8 V

漏电流与

漏源极电压

- 总功率耗散 - 毫瓦

200

- 漏电流 - 毫安

100

125

- 环境温度 - °C

漏极电流VS

GATE1至源极电压

- 漏极至源极电压 - V

正向转移导纳主场迎战

GATE1至源极电压

| - 正向转移导纳 - 质谱

= 10 V

G2S

= 5 V

= 10 V

F = 1千赫

G2S

= 5 V

- 漏电流 - 毫安

1.0

G1S

- GATE1至源极电压 - V

2.0

1.0

G1S

- GATE1至源极电压 - V

输入电容与

GATE2至源极电压

2.0

正向转移导纳主场迎战

漏电流

| - 正向转移导纳 - 质谱

5.0

国际空间站

- 输入电容 - pF的

= 10 V

F = 1千赫

G2S

= 4 V

= 10毫安

（在V

= 10 V

G2S

= 4 V)

4.0 F = 1 MHz的

3.0

2.0

1.0

–1.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

- 漏电流 - 毫安

G2S

- GATE2至源极电压 - V

3SK134B

输出电容与

GATE2至源极电压

2.0

= 10毫安

（在V

= 10 V

G2S

= 4 V)

F = 1 MHz的

功率增益和噪声系数对比

GATE2至源极电压

OSS

- 输出电容 - pF的

NF - 噪声系数 - 分贝

1.5

- 功率增益 - 分贝

1.0

= 10毫安

（在V

= 10 V

G2S

= 4 V)

F = 900兆赫

4.0

6.0

8.0

–10

0.5

–20

–1.0

1.0

2.0

3.0

4.0

–2.0

2.0

G2S

- GATE2至源极电压 - V

G2S

- GATE2至源极电压 - V

900兆赫的摹

和NF测试电路

G2S

(3 V)

1 000 pF的

47 k

1 000 pF的

10 pF的

输入

10 pF的

47 k

RFC

产量

10 pF的

1 000 pF的

, L

; 35

0.2 mm

G1S

(6 V)

3SK134B

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文档。

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版权或NEC公司或他人的其他知识产权。

而NEC公司一直在不断的努力，以增强其半导体器件的可靠性，

的缺陷的可能也不能完全消除。损坏或人身伤害的风险，最大限度地减少人员或

来自于NEC半导体器件的缺陷而产生的财产，客户必须采用足够的安全性

在其设计的措施，如冗余度，防火和防故障功能。

NEC公司的设备被分类成下列三个质量等级：

“标准”，“特别”和“特殊” 。在具体的质量等级只适用于设备的基础上研制

客户指定的“质量保证计划”的一个具体应用。推荐用途

一个设备的依赖于它的质量等级，如以下所示。客户必须检查每个质量等级

之前在特定的应用中使用它的设备。

标准：计算机，办公自动化设备，通信设备，测试和测量设备，

音频和视频设备，家用电子电器，机床，个人电子

设备和工业机器人

特别声明：运输设备（汽车，火车，船舶等），交通控制系统，防灾

系统，防止犯罪系统，安全设备和医疗设备（不包括专门设计的

生命支持）

具体有：飞机，航空航天设备，海底中继设备，原子能控制系统，生命

支持系统或用于生命支持等医疗设备

除非在NEC的数据表或数据手册另有规定NEC的设备在“标准”的质量等级。

如果用户打算使用的应用程序比标准质量等级规定的其他NEC的设备，

他们应该提前联系NEC销售代表。

抗放射性的设计中没有此产品实现。

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