UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
3N70A
700V ， 3A N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
3N70A
是高电压和高电流的功率
MOSFET设计成具有更好的特性，如快速
开关时间，低栅极电荷，低通态电阻和高
坚固耐用的雪崩特性。这种功率MOSFET通常是
在电源中的高速开关应用中使用，
PWM马达控制，高效率的直流 - 直流转换器和桥
电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
≤4.0
@V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的10 NC）
*低反向传输电容
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
3N70AL-TN3-R
3N70AG-TN3-R
包
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
带盘
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2011 Unisonic技术有限公司
1 7
QW-R502-620.A
3N70A
绝对最大额定值
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
700
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
3.0
A
连续漏电流
I
D
3.0
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
12
A
单脉冲（注3 ）
E
AS
200
mJ
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
7.5
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
功耗
P
D
50
W
°С
结温
T
J
+150
°С
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 64mH ，我
AS
= 2.4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤3.0A,
DI / dt≤200A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
等级
110
2.5
单位
° C / W
° C / W
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QW-R502-620.A
3N70A
电气特性
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250μA
功率MOSFET
最小典型最大单位
700
10
100
-100
0.6
2.0
2.8
350
50
5.5
10
30
20
30
10
2.7
4.9
4.0
4.0
450
65
32
40
70
100
70
13
V
μA
nA
nA
V/°С
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
C
V
DS
= 700 V, V
GS
= 0 V
前锋
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
击穿电压温度系数
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F =
输出电容
C
OSS
1MHz
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 30V ，我
D
= 1.0 A,
R
G
= 25Ω （注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 480V ，我
D
= 3.0A,
栅极 - 源电荷
Q
GS
V
GS
= 10V （注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
DD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.0 A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.0 A,
反向恢复时间
t
rr
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
1.4
3.0
12
210
1.2
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3 7
QW-R502-620.A
3N70A
测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
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QW-R502-620.A
3N70A
测试电路和波形（续）
R
L
V
DD
V
DS
V
GS
R
G
10%
t
D（上）
t
R
功率MOSFET
V
DS
90%
10V
脉冲Width≤1μs
值班Factor≤0.1 ％
D.U.T.
V
GS
t
D（关闭）
t
F
切换测试电路
开关波形
12V
50k
0.2μF
0.3μF
同一类型
作为D.U.T.
10V
Q
GS
Q
G
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
GD
V
GS
收费
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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