N沟道增强
模式MOSFET开关
公司
3N170 / 3N171
特点
操作注意事项
MOS场效应晶体管具有非常高的输入
阻力，并且可以通过积累而损坏
过量静电荷。为了避免可能的设备损坏
而布线，测试，还是在实际操作中，按照
下面的过程介绍。
1.为了避免积聚静电荷，的引线
设备应与金属环保持短
除了正在测试或使用时。
2.避免不必要的处理。通过的情况下拿起设备
代替导线。
TO-72
低开关电压
快速开关时间
漏源电阻
低反向传输电容
低
引脚配置
3.不要插入或从与电路删除设备
电源瞬态电压可能会造成永久性的
损坏设备。
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
D
C，B
G
S
1003
漏极 - 栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±35V
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±35V
漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4mW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
订购信息
部分
3N170-71
X3N170-71
包
密封TO- 72
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
QQ：2880707522 复制
