【订购数量： ENA05513LP04MHP沟道MOSFET硅3LP04MH特点通用开关设备应用1.5】,IC型号3LP04MH,3LP04MH PDF资料,3LP04MH经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA0551

3LP04MH

P沟道MOSFET硅

3LP04MH

特点

通用开关设备

应用

1.5V驱动器。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷板（ 900毫米

!0.8mm)

条件

评级

-30

±10

--200

--800

0.6

150

--55到150

单位

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

条件

ID = -

-1mA ， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 8V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ， ID = - 100μA

VDS = - 10V ，ID = - 百毫安

ID = -

-100mA ， VGS = - 4V

ID = -

-50mA ， VGS = -

-2.5V

ID = -

-10mA ， VGS = -

-1.5V

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

评级

民

--30

--1

±10

--0.4

190

320

1.8

2.4

4.5

7.2

2.1

170

550

350

2.4

3.4

9.0

--1.4

典型值

最大

单位

标记： QD

接下页。

描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品

能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，

该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致

严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表

最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，

应用程序。

三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任

AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）

本文描述或包含的产品。

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

N0806PE SY IM TC- 00000230号A0551-1 / 4

3LP04MH

从接下页。

参数

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

QGS

QGD

VSD

条件

VDS = - 10V ， VGS = -

-4V ，ID = - 200毫安

VDS = - 10V ， VGS = -

-4V ，ID = - 200毫安

VDS = - 10V ， VGS = -

-4V ，ID = - 200毫安

IS = - 的200mA， VGS = 0V

评级

民

典型值

0.58

0.17

0.12

--0.89

--1.2

最大

单位

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7019A-003

2.0

0.25

0.15

开关时间测试电路

VIN

--4V

VIN

ID = --100mA

RL=150

VOUT

VDD = --15V

2.1

1.6

0至0.02

PW=10s

D.C.≤1%

0.25

0.65

0.3

P.G

3LP04MH

0.85

0.07

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

三洋： MCPH3

Rg=5k

--200

ID - VDS

--5.0

--4.0

--2

--300

ID - VGS

VDS = --10V

--160

--250

漏极电流ID - 毫安

TA = -

-2

--180

.0V

--2

--200

--120

--100

--6.0

--150

--8.0

--80

--60

--40

--20

VGS =

--1.5

--100

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

IT11699

漏极至源极电压VDS - V

IT11698

RDS （ ON） - VGS

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - TA

Ta=25

°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） -

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） -

--25

--50

ID = --100mA

--50mA

--10mA

I D = -

= --1.5

A，V GS

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

= --2.5

A，V GS

50m

I D = -

--60

--4.0V

V S =

00毫安，G

I D = --1

--40

--20

100

120

--140

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

IT11700

环境温度，钽 -

°C

IT11701

第A0551-2 / 4

3LP04MH

1000

fs - ID

VDS = --10V

正向转移导纳，

fs - 质谱

--1000

--100

IS - VSD

VGS=0V

100

--2

--0.2

--0.4

--0.6

--10

--1.0

5 7 --10

5 7 --100

漏极电流ID - 毫安

5 7--1000

IT11702

100

--0.8

--25

源出电流， IS - 毫安

--1.0

--1.2

--1.4

SW时间 - ID

西塞，科斯，的Crss - VDS

f=1MHz

二极管的正向电压， VSD - V

IT11703

VDS = --15V

VGS = --4V

切换时间， SW时间 - NS

1000

西塞

西塞，科斯，的Crss - pF的

TD （关闭）

科斯

100

--10

TD （上）

CRSS

1.0

--100

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT11705

漏极电流ID - 毫安

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

IT11704

VGS - 的Qg

漏极至源极电压VDS - V

ASO

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS = --10V

ID = --200mA

--1.0

--0.1

IDP = --800mA

≤10s

漏极电流ID -

ID = --200mA

ATI

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

)

0.7

IT11706

--0.01

--0.1

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

!0.8mm)

7 --1.0

7 --10

总栅极电荷QG - 数控

0.7

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

IT11707

允许功耗， PD - 含

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

100

120

)

160

140

环境温度，钽 -

°C

IT11708

第A0551-3 / 4

3LP04MH

注意使用情况：由于3LP04MH是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备

高电荷的物体。

任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，

并且不保证的性能，特性和功能的产品说明

如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能

在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装

在客户的产品或设备。

三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何

和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障

可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或

火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标

从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于

保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。

倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）

或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规，控制，

产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口

按照上述规律。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或任何方式，包括电子

或机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，

或以其他方式，没有三洋半导体有限公司的事先书面许可，

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"

为三洋半导体产品，你打算使用。

本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是

为保证批量生产。三洋半导体相信本文资料是准确的

并对其使用在任何违反可靠，但不保证作出或暗示的保证

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更改，恕不另行通知。

PS第A0551-4 / 4