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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符3型号页 > 首字符3的型号第171页 > 3LP01S-TL-E
订购数量: EN6681B
3LP01S
三洋半导体
数据表
3LP01S
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
超高速开关
2.5V驱动
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
条件
评级
--30
±10
--0.1
--0.4
0.15
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ,所以请搬运时要小心。
*
机器型号
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7013A-013
3LP01S-TL-E
0.4
0.3
产品&包装信息
: SMCP
JEITA , JEDEC
: SC - 75 , SOT- 416
最小包装数量: 3000个/卷。
0.4
0.2
1.6
0.8
包装类型: TL
记号
1
2
1.6
0.5 0.5
3
TL
LOT号
LOT号
XA
0-0.1
0.1分
1 :门
2 :源
3 :排水
三洋: SMCP
0.75
0.6
0.1
电气连接
3
1
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM / 41006PE MSIM TB- 00002191 / 12201 TSIM TA -2005 No.6681-1 / 7
3LP01S
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = --100mA , VGS = 0V
VDS = --10V ,V GS = --10V ,ID = --100mA
请参阅特定网络版测试电路。
条件
ID = --1mA , VGS = 0V
VDS = --30V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = --10V ,ID = --100μA
VDS = --10V ,ID = --50mA
ID = --50mA , VGS = --4V
ID = --30mA , VGS = --2.5V
ID = --1mA , VGS = --1.5V
VDS = --10V , F = 1MHz的
--0.4
80
110
8
11
27
7.5
5.7
1.8
24
55
120
130
1.43
0.18
0.25
--0.83
--1.2
10.4
15.4
54
评级
--30
--1
±10
-
-1.4
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
mS
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
VIN
D
G
3LP01S
P.G
50Ω
S
VDD = --15V
ID = --50mA
RL=300Ω
VOUT
0V
--4V
PW=10μs
D.C.≤1%
订购信息
设备
3LP01S-TL-E
SMCP
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅
No.6681-2/7
3LP01S
--0.10
--0.09
--0.08
ID - VDS
--4
.0V
--3.5V
--3
.0V
--2
V
.5
--0.20
--0.18
--0.16
ID - VGS
VDS = --10V
漏极电流ID -
--0.07
--0.06
--0.05
--0.04
--0.03
--0.02
--0.01
0
0
--0.2
漏极电流ID -
--6.0
V
--2.0V
TA
--25
°
C
25°C
--0.14
--0.12
--0.10
--0.08
--0.06
--0.04
--0.02
0
VGS = --1.5V
--0.4 --0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
75
°
C
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
漏极至源极电压VDS - V
30
IT00077
100
RDS ( ON) - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
IT00078
RDS ( ON) - ID
Ta=25°C
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
25
7
5
3
2
VGS = --4V
20
15
10
7
5
3
2
Ta=75°C
25°C
--50mA
10
ID = --30mA
--25°C
5
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
1.0
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
栅极 - 源极电压VGS - V
100
7
IT00079
1000
RDS ( ON) - ID
漏极电流ID -
IT00080
RDS ( ON) - ID
VGS = --2.5V
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
7
5
3
2
VGS = --1.5V
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
5
3
2
10
7
5
3
2
Ta=75°C
25°C
--25°C
100
7
5
3
2
Ta=75°C
--25°C
2
3
5
7
--1.0
25°C
1.0
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
10
--0.1
2
3
漏极电流ID -
18
IT00081
1.0
RDS ( ON) - TA
漏极电流ID - 毫安
IT00082
|
y
fs
|
- ID
16
14
12
10
8
6
4
2
--60
正向转移导纳,
|
YFS
|
-- S
7
5
3
2
VDS = --10V
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
30
= --
ID
mA
,
--
S=
VG
2.5
V
25°C
2
TA = -
5
°
C
A
50m
= --
ID
,
= --
V GS
4.0
V
0.1
7
5
3
2
75
°
C
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.01
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
环境温度,钽 -
°C
IT00083
漏极电流ID -
IT00084
No.6681-3/7
3LP01S
3
2
IS - VSD
VGS=0V
切换时间, SW时间 - NS
1000
7
5
3
2
SW时间 - ID
VDD = --15V
VGS = --4V
源出电流,是 - 个
--0.1
7
5
tf
TD (关闭)
100
7
5
3
2
3
tr
TD (上)
Ta=7
5
°
C
--0.01
--0.5
--25
°
C
2
25
°
C
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
IT00085
10
--0.01
2
3
5
7
二极管的正向电压, VSD - V
100
7
5
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
栅极 - 源极电压VGS - V
漏极电流ID -
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.1
IT00086
VGS - 的Qg
VDS = --10V
ID = --0.1A
西塞,科斯,的Crss - pF的
3
2
10
7
5
3
2
西塞
科斯
CRSS
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
IT00087
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
漏极至源极电压VDS - V
0.20
总栅极电荷QG - 数控
IT00088
PD - TA
允许功耗, PD - 含
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT02381
No.6681-4/7
3LP01S
压纹带包装特定网络阳离子
3LP01S-TL-E
No.6681-5/7
订购数量: EN6681C
3LP01S
P沟道小信号MOSFET
-30V , -0.1A , 10.4
Ω
,单SMCP
特点
http://onsemi.com
低导通电阻
超高速开关
2.5V驱动
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
条件
评级
--30
±10
--0.1
--0.4
0.15
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ,所以请搬运时要小心。
*
机器型号
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7013A-013
1.6
0.8
订购&包装信息
设备
3LP01S-TL-E
SMCP
SC-75,SOT-416
航运
3,000
件/卷
备忘录
无铅
3LP01S-TL-E
0.4
0.3
0.4
0.2
包装类型: TL
记号
1
2
1.6
0.5 0.5
3
LOT号
LOT号
XA
0-0.1
0.1分
1 :门
2 :源
3 :排水
SMCP
0.75
0.6
0.1
TL
电气连接
3
1
2
半导体元件工业有限责任公司, 2013
2013月,
62613 TKIM TC- 00002948 / 62712 TKIM / 41006PE MSIM TB- 00002191 / 12201 TSIM TA -2005 No.6681-1 / 6
3LP01S
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = --100mA , VGS = 0V
VDS = --10V ,V GS = --10V ,ID = --100mA
请参阅特定网络版测试电路。
条件
ID = --1mA , VGS = 0V
VDS = --30V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = --10V ,ID = --100μA
VDS = --10V ,ID = --50mA
ID = --50mA , VGS = --4V
ID = --30mA , VGS = --2.5V
ID = --1mA , VGS = --1.5V
VDS = --10V , F = 1MHz的
--0.4
80
110
8
11
27
7.5
5.7
1.8
24
55
120
130
1.43
0.18
0.25
--0.83
--1.2
10.4
15.4
54
评级
--30
--1
±10
-
-1.4
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
mS
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
VIN
D
G
3LP01S
P.G
50Ω
S
VDD = --15V
ID = --50mA
RL=300Ω
VOUT
0V
--4V
PW=10μs
D.C.≤1%
No.6681-2/6
3LP01S
--0.10
--0.09
--0.08
ID - VDS
--4
.0V
--3.5V
--3
.0V
--2
V
.5
--0.20
--0.18
--0.16
ID - VGS
VDS = --10V
漏极电流ID -
--0.07
--0.06
--0.05
--0.04
--0.03
--0.02
--0.01
0
0
--0.2
漏极电流ID -
--6.0
V
--2.0V
TA
--25
°
C
25°C
--0.14
--0.12
--0.10
--0.08
--0.06
--0.04
--0.02
0
VGS = --1.5V
--0.4 --0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
75
°
C
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
漏源极电压, VDS - V
30
IT00077
100
RDS ( ON) - VGS
门源电压, VGS - V
IT00078
RDS ( ON) - ID
Ta=25°C
静态漏源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
静态漏源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
25
7
5
3
2
VGS = --4V
20
15
10
7
5
3
2
Ta=75°C
25°C
--50mA
10
ID = --30mA
--25°C
5
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
1.0
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
门源电压, VGS - V
100
7
IT00079
1000
RDS ( ON) - ID
漏极电流ID -
IT00080
RDS ( ON) - ID
VGS = --2.5V
静态漏源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
7
5
3
2
VGS = --1.5V
静态漏源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
5
3
2
10
7
5
3
2
Ta=75°C
25°C
--25°C
100
7
5
3
2
Ta=75°C
--25°C
2
3
5
7
--1.0
25°C
1.0
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
10
--0.1
2
3
漏极电流ID -
18
IT00081
1.0
RDS ( ON) - TA
漏极电流ID - 毫安
IT00082
|
y
fs
|
- ID
16
14
12
10
8
6
4
2
--60
正向转移导纳,
|
YFS
|
-- S
7
5
3
2
VDS = --10V
静态漏源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
30
= --
ID
mA
,
--
S=
VG
2.5
V
25°C
2
TA = -
5
°
C
A
50m
= --
ID
,
= --
V GS
4.0
V
0.1
7
5
3
2
75
°
C
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.01
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
环境温度,钽 -
°C
IT00083
漏极电流ID -
IT00084
No.6681-3/6
3LP01S
3
2
IS - VSD
VGS=0V
切换时间, SW时间 - NS
1000
7
5
3
2
SW时间 - ID
VDD = --15V
VGS = --4V
源出电流,是 - 个
--0.1
7
5
tf
TD (关闭)
100
7
5
3
2
3
tr
TD (上)
Ta=7
5
°
C
--0.01
--0.5
--25
°
C
2
25
°
C
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
IT00085
10
--0.01
2
3
5
7
二极管的正向电压, VSD - V
100
7
5
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
门源电压, VGS - V
漏极电流ID -
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.1
IT00086
VGS - 的Qg
VDS = --10V
ID = --0.1A
西塞,科斯,的Crss - pF的
3
2
10
7
5
3
2
西塞
科斯
CRSS
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
IT00087
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
漏源极电压, VDS - V
0.20
总栅极电荷QG - 数控
IT00088
PD - TA
允许功耗, PD - 含
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT02381
No.6681-4/6
3LP01S
外形绘图
3LP01S-TL-E
质量(g )单位
0.003 mm
*仅供参考
盘图形示例
单位:mm
0.7
0.7
0.6
0.5
0.5
0.7
1.3
No.6681-5/6
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封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    3LP01S-TL-E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ:2322757237 复制

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
3LP01S-TL-E
ON/安森美
22+
12000
SMCP-3
原装现货超低价,可拆包
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