订购数量: EN6681B
3LP01S
三洋半导体
数据表
3LP01S
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
超高速开关
2.5V驱动
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
条件
评级
--30
±10
--0.1
--0.4
0.15
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ,所以请搬运时要小心。
*
机器型号
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7013A-013
3LP01S-TL-E
0.4
0.3
产品&包装信息
包
: SMCP
JEITA , JEDEC
: SC - 75 , SOT- 416
最小包装数量: 3000个/卷。
0.4
0.2
1.6
0.8
包装类型: TL
记号
1
2
1.6
0.5 0.5
3
TL
LOT号
LOT号
XA
0-0.1
0.1分
1 :门
2 :源
3 :排水
三洋: SMCP
0.75
0.6
0.1
电气连接
3
1
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM / 41006PE MSIM TB- 00002191 / 12201 TSIM TA -2005 No.6681-1 / 7
3LP01S
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = --100mA , VGS = 0V
VDS = --10V ,V GS = --10V ,ID = --100mA
请参阅特定网络版测试电路。
条件
ID = --1mA , VGS = 0V
VDS = --30V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = --10V ,ID = --100μA
VDS = --10V ,ID = --50mA
ID = --50mA , VGS = --4V
ID = --30mA , VGS = --2.5V
ID = --1mA , VGS = --1.5V
VDS = --10V , F = 1MHz的
--0.4
80
110
8
11
27
7.5
5.7
1.8
24
55
120
130
1.43
0.18
0.25
--0.83
--1.2
10.4
15.4
54
评级
民
--30
--1
±10
-
-1.4
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
mS
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
VIN
D
G
3LP01S
P.G
50Ω
S
VDD = --15V
ID = --50mA
RL=300Ω
VOUT
0V
--4V
PW=10μs
D.C.≤1%
订购信息
设备
3LP01S-TL-E
包
SMCP
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅
No.6681-2/7
订购数量: EN6681C
3LP01S
P沟道小信号MOSFET
-30V , -0.1A , 10.4
Ω
,单SMCP
特点
http://onsemi.com
低导通电阻
超高速开关
2.5V驱动
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
条件
评级
--30
±10
--0.1
--0.4
0.15
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ,所以请搬运时要小心。
*
机器型号
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7013A-013
1.6
0.8
订购&包装信息
设备
3LP01S-TL-E
包
SMCP
SC-75,SOT-416
航运
3,000
件/卷
备忘录
无铅
3LP01S-TL-E
0.4
0.3
0.4
0.2
包装类型: TL
记号
1
2
1.6
0.5 0.5
3
LOT号
LOT号
XA
0-0.1
0.1分
1 :门
2 :源
3 :排水
SMCP
0.75
0.6
0.1
TL
电气连接
3
1
2
半导体元件工业有限责任公司, 2013
2013月,
62613 TKIM TC- 00002948 / 62712 TKIM / 41006PE MSIM TB- 00002191 / 12201 TSIM TA -2005 No.6681-1 / 6
3LP01S
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = --100mA , VGS = 0V
VDS = --10V ,V GS = --10V ,ID = --100mA
请参阅特定网络版测试电路。
条件
ID = --1mA , VGS = 0V
VDS = --30V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = --10V ,ID = --100μA
VDS = --10V ,ID = --50mA
ID = --50mA , VGS = --4V
ID = --30mA , VGS = --2.5V
ID = --1mA , VGS = --1.5V
VDS = --10V , F = 1MHz的
--0.4
80
110
8
11
27
7.5
5.7
1.8
24
55
120
130
1.43
0.18
0.25
--0.83
--1.2
10.4
15.4
54
评级
民
--30
--1
±10
-
-1.4
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
mS
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
VIN
D
G
3LP01S
P.G
50Ω
S
VDD = --15V
ID = --50mA
RL=300Ω
VOUT
0V
--4V
PW=10μs
D.C.≤1%
No.6681-2/6