订购数量: EN6546B
3LN01SS
三洋半导体
数据表
3LN01SS
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
超高速开关
2.5V驱动
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
条件
评级
30
±10
0.15
0.6
0.15
150
-
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ,所以请搬运时要小心。
*
机器型号
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7029A-003
1.4
0.3
0.25
3
0至0.02
0.1
产品&包装信息
包
:自由进动
JEITA , JEDEC
: SC- 81
最小包装数量: 8000个/卷。
3LN01SS-TL-E
3LN01SS-TL-H
包装类型: TL
记号
1.4
0.8
LOT号
LOT号
0.3
1
2
YA
0.45
0.6
0.2
TL
电气连接
1
2
0.07
1 :门
2 :源
3 :排水
三洋: SSFP
1
3
0.07
3
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM / 32406PE MSIM TB- 00002158 / 52200 TSIM TA- 1986 No.6546-1 / 7
3LN01SS
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 150毫安, VGS = 0V
VDS = 10V , VGS = 10V , ID = 150毫安
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 10V , F = 1MHz的
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 30V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = 10V , ID = 100μA
VDS = 10V ,ID = 80毫安
ID = 80毫安, VGS = 4V
ID = 40毫安, VGS = 2.5V
ID = 10毫安, VGS = 1.5V
评级
民
30
1
±10
0.4
0.15
0.22
2.9
3.7
6.4
7.0
5.9
2.3
19
65
155
120
1.58
0.26
0.31
0.87
1.2
3.7
5.2
12.8
1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
VIN
D
G
3LN01SS
P.G
50Ω
S
VDD=15V
ID=80mA
RL=187.5Ω
VOUT
4V
0V
PW=10μs
D.C.≤1%
订购信息
设备
3LN01SS-TL-E
3LN01SS-TL-H
包
自由进动
自由进动
航运
8,000pcs./reel
8,000pcs./reel
备忘录
无铅
无铅和无卤素
No.6546-2/7
3LN01SS
压纹带包装特定网络阳离子
3LN01SS - TL -E , 3LN01SS - TL -H
No.6546-5/7