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新产品
3KASMC10通3KASMC43A
威世通用半导体
表面贴装汽车瞬态电压抑制器
高温稳定性和高可靠性的条件
特点
专利PAR
施工
提供单向只有极
3000瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
260℃峰值
浸焊260 ° C, 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变和
照明在芯片, MOSFET ,传感器单元的信号线
对于消费者来说,计算机,工业,汽车和
电信。
机械数据
案例:
DO- 214AB ( SMC)的
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准,高可靠性/
汽车级( AEC Q101标准)
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
HE3后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性:
颜色频带端为负极
ED *
t
TEN
Pa
*
专利号的
4,980,315
5,166,769
5,278,094
DO- 214AB ( SMC)的
主要特征
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
T
J
马克斯。
10 V至43 V
3000 W
6.0 W
200 A
185 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
(图3)的
峰值功率的脉冲电流与10/1000 μs的波形
(1)
(图1)的
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
(2)
在无限散热器在T功耗
L
= 75 ℃(图6)中
在100 A最大正向电压
(2)
工作结存储温度范围
注意事项:
(1)非重复性的电流脉冲,每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃,每图。 2
( 2 )测得的8.3ms单一正弦半波,或等效的方波,占空比= 4个脉冲每分钟最高
符号
P
PPM
I
PPM
I
FSM
P
D
V
F
T
J
, T
英镑
价值
3000
看下表
200
6.0
3.5
- 65 + 185
单位
W
A
A
W
V
°C
文档编号: 88480
修订: 21 - OCT- 08
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
3KASMC10通3KASMC43A
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
设备
记号
CODE
击穿
电压
V
BR (1)
在我
T
(V)
分钟。
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
TEST
当前
I
T
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10
10
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
40
40
43
43
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
R
(A)
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
T
J
= 150 °C
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
50
50
50
50
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
15
15
20
20
20
20
20
20
最大
PEAK
脉冲浪涌
当前
I
PPM (2)
(A)
160
177
149
165
136
151
126
140
116
129
112
123
104
115
98.4
109
93.2
103
83.8
92.6
76.1
84.5
69.8
77.1
64.4
71.3
60.0
66.1
56.1
62.0
50.8
56.3
46.7
51.6
42.0
46.5
39.1
43.2
最大
夹紧
电压
在我
PPM
V
C
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.0
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
设备
TYPE
3KASMC10
3KASMC10A
3KASMC11
3KASMC11A
3KASMC12
3KASMC12A
3KASMC13
3KASMC13A
3KASMC14
3KASMC14A
3KASMC15
3KASMC15A
3KASMC16
3KASMC16A
3KASMC17
3KASMC17A
3KASMC18
3KASMC18A
3KASMC20
3KASMC20A
3KASMC22
3KASMC22A
3KASMC24
3KASMC24A
3KASMC26
3KASMC26A
3KASMC28
3KASMC28A
3KASMC30
3KASMC30A
3KASMC33
3KASMC33A
3KASMC36
3KASMC36A
3KASMC40
3KASMC40A
3KASMC43
3KASMC43A
注意事项:
3AW
3AX
3AY
3AZ
3BD
3BE
3BF
3BG
3BH
3BK
3BL
3BM
3BN
3BP
3BQ
3BR
3BS
3BT
3BU
3BV
3BW
3BX
3BY
3BZ
3CD
3CE
3CF
3CG
3CH
3CK
3CL
3CM
3CN
3CP
3CQ
3CR
3CS
3CT
( 1 )脉冲测试:吨
p
50毫秒
(2 )浪涌每图的电流波形。 3 ,每个图降级。 2
( 3 )所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
www.vishay.com
2
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文档编号: 88480
修订: 21 - OCT- 08
新产品
3KASMC10通3KASMC43A
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
热阻,结到环境空气
(1)
热阻,结到信息
注意:
( 1 )安装在最小建议焊盘布局
符号
R
θJA
R
θJL
价值
77.5
18.3
单位
° C / W
订购信息
(例)
首选的P / N
3KASMC10AHE3/57T
(1)
3KASMC10AHE3/9AT
(1)
注意:
( 1 )汽车级AEC Q101标准
单位重量(g )
0.211
0.211
首选包装代码
57T
9AT
基地数量
850
3500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明)
100
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流, %I
RSM
t
r
= 10
s
PEAK
价值
I
PPM
P
PPM
- 峰值功率(kW)
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到第I 50%
PPM
10
100
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
10/1000
μs的波形
定义
by
R.E.A.
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
10000
t
d
- 脉冲
宽度
(s)
吨 - 时间(ms )
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图3.脉冲波形
峰值脉冲功率(P
PP
)或电流(I
PP
)
降额百分比, %
100
10 000
75
50
C
J
- 结电容(pF )
在测
零偏压
1000
在测
对峙
电压
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
100
10
20
30
40
50
25
0
0
50
100
150
200
T
J
- 初始温度( ℃)
V
WM
- 反向对峙
电压
(V)
图2.脉冲功率或电流与初始结温
图4.典型结电容
文档编号: 88480
修订: 21 - OCT- 08
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3
新产品
3KASMC10通3KASMC43A
威世通用半导体
200
6
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
峰值正向浪涌电流( A)
100
P
D
- 功耗( W)
5
60赫兹
电阻或
感性负载
4
3
2
1
0
50
10
1
5
10
50
100
0
25
50
75
100
125
150
175
200
环,在60赫兹的
T
L
- 焊接温度( ° C)
图5.最大非重复性/峰值正向浪涌电流
图6.功率降额曲线
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO- 214AB ( SMC)的
阴极带
0.185 (4.69)
马克斯。
贴装焊盘布局
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.246 (6.22)
0.220 (5.59)
0.126 (3.20)
分钟。
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
分钟。
0.320 REF 。
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
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4
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
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文档编号: 88480
修订: 21 - OCT- 08
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的,在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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1
3KASMC10通3KASMC43A
新产品
威世通用半导体
表面贴装汽车瞬态电压抑制器
高温稳定性&高可靠性的条件
特点
专利PAR
施工
PAT
d
NTE
e
*
提供单向只有极
3000瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
*
专利号的
4,980,315
5,166,769
5,278,094
DO- 214AB ( SMC)的
典型I
D
小于1.0 μA以上13 V额定电压
符合MSL等级1 ,符合per J - STD-020C标准, LF最大峰值
260℃
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变和
照明在芯片, MOSFET ,传感器单元的信号线
对于消费者来说,计算机,工业,汽车和
电信。
机械数据
案例:
DO- 214AB ( SMC)的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
HE3后缀为高可靠性级(AEC Q101
合格)
极性:
颜色频带端为负极
主要额定值及特点
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
T
j
马克斯。
10 V至43 V
3000 W
6.0 W
200 A
185 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
(图3)的
峰值功率的脉冲电流与10/1000 μs的波形
(1)
(图1)的
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波
(2)
符号
P
PPM
I
PPM
I
FSM
P
D
V
F
T
J
, T
英镑
价值
最低3000
看下表
200
6.0
3.5
- 65 + 185
单位
W
A
A
W
V
°C
在无限散热器在T功耗
L
= 75 ℃(图6)中
在100 A最大正向电压
(2)
工作结存储温度范围
注意:
(1)非重复性的电流脉冲,每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃,每图。 2
( 2 )测得的8.3ms单一正弦半波,或等效的方波,占空比= 4个脉冲每分钟最高
文档编号88480
29-Jun-06
www.vishay.com
1
3KASMC10通3KASMC43A
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
设备
记号
CODE
击穿
电压
V
(BR) (1)
在我
T
(V)
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
最大
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
TEST
当前
I
T
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10
10
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
40
40
43
43
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
R
(A)
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
T
J
= 150 °C
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
50
50
50
50
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
15
15
20
20
20
20
20
20
最大
PEAK
脉冲浪涌
当前
I
PPM (2)
(A)
160
177
149
165
136
151
126
140
116
129
112
123
104
115
98.4
109
93.2
103
83.8
92.6
76.1
84.5
69.8
77.1
64.4
71.3
60.0
66.1
56.1
62.0
50.8
56.3
46.7
51.6
42.0
46.5
39.1
43.2
最大
夹紧
电压
在我
PPM
V
C
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.0
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
设备
TYPE
3KASMC10
3KASMC10A
3KASMC11
3KASMC11A
3KASMC12
3KASMC12A
3KASMC13
3KASMC13A
3KASMC14
3KASMC14A
3KASMC15
3KASMC15A
3KASMC16
3KASMC16A
3KASMC17
3KASMC17A
3KASMC18
3KASMC18A
3KASMC20
3KASMC20A
3KASMC22
3KASMC22A
3KASMC24
3KASMC24A
3KASMC26
3KASMC26A
3KASMC28
3KASMC28A
3KASMC30
3KASMC30A
3KASMC33
3KASMC33A
3KASMC36
3KASMC36A
3KASMC40
3KASMC40A
3KASMC43
3KASMC43A
注意:
3AW
3AX
3AY
3AZ
3BD
3BE
3BF
3BG
3BH
3BK
3BL
3BM
3BN
3BP
3BQ
3BR
3BS
3BT
3BU
3BV
3BW
3BX
3BY
3BZ
3CD
3CE
3CF
3CG
3CH
3CK
3CL
3CM
3CN
3CP
3CQ
3CR
3CS
3CT
( 1 )脉冲测试:吨
p
50毫秒
(2 )浪涌每图的电流波形。 3 ,每个图降级。 2
( 3 )所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
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文档编号88480
29-Jun-06
3KASMC10通3KASMC43A
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
热阻结到环境空气
热阻结到引线
注意:
( 1 )安装在最小建议焊盘布局
(1)
符号
R
θJA
R
θJL
价值
77.5
18.3
单位
° C / W
订购信息
首选的P / N
3KASMC10AHE3/57T
3KASMC10AHE3/9AT
单位重量(g )
0.211
0.211
首选包装代码
57T
9AT
基地数量
850
3500
配送方式
7"口径塑料带卷&
13"直径的塑料胶带&卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明)
100
150
T
j
= 25 °C
脉冲
宽度
( Td)为
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到第I 50%
PPM
I
PPM
- 峰值脉冲电流, %I
RSM
TR = 10
微秒
PEAK
价值
I
PPM
P
PPM
- 峰值功率(kW)
10
100
价值
- I
PP
2
I
PPM
50
10/1000
微秒波形
定义
by
R.E.A.
1
td
0.1
0.1
0
1
10
100
1000
10000
0
1.0
2.0
3.0
4.0
TD - 脉冲
宽度
(s)
吨 - 时间(ms )
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图3.脉冲波形
峰值脉冲功率(P
PP
)或电流(I
PP
)
降额百分比( % )
100
10000
75
50
C
J
- 结电容(pF )
在测
零偏压
1000
在测
对峙
电压
T
j
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
100
10
20
30
40
50
25
0
0
50
100
150
200
T
J
- 初始温度( ℃)
V
wm
- 反向对峙
电压
(V)
图2.脉冲功率或电流与初始结
温度
图4.典型结电容
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3KASMC10通3KASMC43A
威世通用半导体
200
6
T
j
= T
j
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
5
60赫兹
电阻或
感性负载
峰值正向浪涌电流( A)
100
P
D
,功耗( W)
1
5
10
50
100
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
50
10
环,在60赫兹的
T
L
- 焊接温度( ° C)
图5.最大非重复性/峰值正向浪涌电流
图6.功率降额曲线
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO- 214AB ( SMC)的
贴装焊盘布局
阴极带
0.185 MAX 。
( 4.69 MAX 。 )
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.246 (6.22)
0.220 (5.59)
0.126 MIN 。
( 3.20 MIN 。 )
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060最小。
( 1.52分钟)
0.320 REF
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
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文档编号88480
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日前,Vishay
通告
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或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证,明示或暗示,由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
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或暗示的担保,以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途,适销性,或不侵犯任何专利,版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险,并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
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威世通用半导体
表面贴装
PAR
瞬态电压抑制器
高温稳定性和高可靠性的条件
特点
结钝化的优化设计
各向异性钝化整流技术
T
J
=适合高185℃的能力
可靠性和汽车需求
提供单向只有极
3000瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
DO- 214AB ( SMC)的
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关和灯光瞬间
上的IC ,MOSFET,传感器单元用于消费的信号线
计算机,工业,汽车和电信。
主要特征
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
T
J
马克斯。
10 V至43 V
3000 W
6.0 W
200 A
185 °C
机械数据
案例:
DO- 214AB ( SMC)的
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准,符合AEC - Q101标准
终端:
雾锡电镀引脚,焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
HE3后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性:
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
(图3)的
峰值功率的脉冲电流与10/1000 μs的波形
(1)
(图1)的
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
(2)
功耗
在无限的散热器,T
L
= 75 °C
(图6)的
在100 A最大正向电压
(2)
工作结存储温度范围
符号
P
PPM
I
PPM
I
FSM
P
D
V
F
T
J
, T
英镑
价值
3000
看下表
200
6.0
3.5
- 65 + 185
单位
W
A
A
W
V
°C
笔记
(1)
非重复电流脉冲,每个图3及以上的牛逼降额=每无花果25 ℃。 2 。
A
(2)
测量8.3ms单一正弦半波,或等效的方波,占空比= 4个脉冲每分钟最高
修订: 29 -JUL- 11
文档编号: 88480
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威世通用半导体
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(μA)
T
J
= 150 °C
50
50
50
50
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
15
15
20
20
20
20
20
20
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
设备类型
设备
记号
CODE
3AW
3AX
3AY
3AZ
3BD
3BE
3BF
3BG
3BH
3BK
3BL
3BM
3BN
3BP
3BQ
3BR
3BS
3BT
3BU
3BV
3BW
3BX
3BY
3BZ
3CD
3CE
3CF
3CG
3CH
3CK
3CL
3CM
3CN
3CP
3CQ
3CR
3CS
3CT
击穿
电压
V
BR
在我
T (1)
(V)
分钟。
3KASMC10
3KASMC10A
3KASMC11
3KASMC11A
3KASMC12
3KASMC12A
3KASMC13
3KASMC13A
3KASMC14
3KASMC14A
3KASMC15
3KASMC15A
3KASMC16
3KASMC16A
3KASMC17
3KASMC17A
3KASMC18
3KASMC18A
3KASMC20
3KASMC20A
3KASMC22
3KASMC22A
3KASMC24
3KASMC24A
3KASMC26
3KASMC26A
3KASMC28
3KASMC28A
3KASMC30
3KASMC30A
3KASMC33
3KASMC33A
3KASMC36
3KASMC36A
3KASMC40
3KASMC40A
3KASMC43
3KASMC43A
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
对峙
TEST
电流电压
V
WM
I
T
(MA )
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
40
40
43
43
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
R
(μA)
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
最大
峰值脉冲钳位
浪涌
电压
当前
I
PPM
I
PPM
(A)
(2)
V
C
(V)
160
177
149
165
136
151
126
140
116
129
112
123
104
115
98.4
109
93.2
103
83.8
92.6
76.1
84.5
69.8
77.1
64.4
71.3
60.0
66.1
56.1
62.0
50.8
56.3
46.7
51.6
42.0
46.5
39.1
43.2
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.0
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
笔记
(1)
脉冲测试:吨
50毫秒
p
(2)
浪涌每无花果电流波形。根据图3和减免。 2
(3)
所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
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3KASMC10通3KASMC43A
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威世通用半导体
符号
R
θJA
R
θJL
价值
77.5
18.3
单位
° C / W
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻,结到环境空气
(1)
典型热阻,结到引线
(1)
安装在最小建议焊盘布局
订购信息
(例)
首选的P / N
3KASMC10AHE3/57T
3KASMC10AHE3/9AT
(1)
(1)
(1)
单位重量(g )
0.211
0.211
首选包装代码
57T
9AT
基地数量
850
3500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
100
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流, %I
RSM
t
r
= 10 s
峰值
I
PPM
P
PPM
- 峰值功率(kW)
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到第I 50%
PPM
10
100
半值 - 我
PP
I
PPM
2
50
10/1000 s
波形
定义
by
R.E.A.
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
10 000
t
d
- 脉冲
宽度
(s)
吨 - 时间(ms )
图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线
图。 3 -
脉冲波形
峰值脉冲功率(P
PP
)或电流(I
PP
)
降额百分比, %
100
10 000
75
50
C
J
- 结电容(pF )
在测
零偏压
1000
在测
对峙电压
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
100
10
20
30
40
50
25
0
0
50
100
150
200
T
J
- 初始温度( ℃)
V
WM
- 反向关态电压( V)
图。 2 -
脉冲功率或电流与初始结温
图。 4 -
典型结电容
修订: 29 -JUL- 11
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3KASMC10通3KASMC43A
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威世通用半导体
6
60赫兹
电阻或
感性负载
200
峰值正向浪涌电流( A)
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单一正弦半波
100
P
D
- 功耗( W)
1
5
10
50
100
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
50
10
环,在60赫兹的
T
L
- 焊接温度( ° C)
图。 5 -
最大非重复性/峰值正向浪涌电流
图。 6 - 功率降额曲线
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO- 214AB ( SMC)的
阴极带
贴装焊盘布局
0.185 ( 4.69 )最大。
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.246 (6.22)
0.220 (5.59)
0.126 ( 3.20 )最低。
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
0.060 ( 1.52 )最低。
0.320 ( 8.13 ) REF 。
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放弃
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的要求,常常放置在日前,Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
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产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异,而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
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包括但不限于本文所述的保修。
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修订: 11 -MAR- 11
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3KASMC10通3KASMC43A
新产品
威世通用半导体
表面贴装汽车瞬态电压抑制器
高温稳定性&高可靠性的条件
特点
专利PAR
施工
PAT
d
NTE
e
*
提供单向只有极
3000瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
*
专利号的
4,980,315
5,166,769
5,278,094
DO- 214AB ( SMC)的
典型I
D
小于1.0 μA以上13 V额定电压
符合MSL等级1 ,符合per J - STD-020C标准, LF最大峰值
260℃
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变和
照明在芯片, MOSFET ,传感器单元的信号线
对于消费者来说,计算机,工业,汽车和
电信。
机械数据
案例:
DO- 214AB ( SMC)的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
HE3后缀为高可靠性级(AEC Q101
合格)
极性:
颜色频带端为负极
主要额定值及特点
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
T
j
马克斯。
10 V至43 V
3000 W
6.0 W
200 A
185 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
(图3)的
峰值功率的脉冲电流与10/1000 μs的波形
(1)
(图1)的
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波
(2)
符号
P
PPM
I
PPM
I
FSM
P
D
V
F
T
J
, T
英镑
价值
最低3000
看下表
200
6.0
3.5
- 65 + 185
单位
W
A
A
W
V
°C
在无限散热器在T功耗
L
= 75 ℃(图6)中
在100 A最大正向电压
(2)
工作结存储温度范围
注意:
(1)非重复性的电流脉冲,每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃,每图。 2
( 2 )测得的8.3ms单一正弦半波,或等效的方波,占空比= 4个脉冲每分钟最高
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29-Jun-06
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3KASMC10通3KASMC43A
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
设备
记号
CODE
击穿
电压
V
(BR) (1)
在我
T
(V)
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
最大
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
TEST
当前
I
T
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10
10
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
40
40
43
43
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
R
(A)
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
T
J
= 150 °C
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
50
50
50
50
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
15
15
20
20
20
20
20
20
最大
PEAK
脉冲浪涌
当前
I
PPM (2)
(A)
160
177
149
165
136
151
126
140
116
129
112
123
104
115
98.4
109
93.2
103
83.8
92.6
76.1
84.5
69.8
77.1
64.4
71.3
60.0
66.1
56.1
62.0
50.8
56.3
46.7
51.6
42.0
46.5
39.1
43.2
最大
夹紧
电压
在我
PPM
V
C
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.0
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
设备
TYPE
3KASMC10
3KASMC10A
3KASMC11
3KASMC11A
3KASMC12
3KASMC12A
3KASMC13
3KASMC13A
3KASMC14
3KASMC14A
3KASMC15
3KASMC15A
3KASMC16
3KASMC16A
3KASMC17
3KASMC17A
3KASMC18
3KASMC18A
3KASMC20
3KASMC20A
3KASMC22
3KASMC22A
3KASMC24
3KASMC24A
3KASMC26
3KASMC26A
3KASMC28
3KASMC28A
3KASMC30
3KASMC30A
3KASMC33
3KASMC33A
3KASMC36
3KASMC36A
3KASMC40
3KASMC40A
3KASMC43
3KASMC43A
注意:
3AW
3AX
3AY
3AZ
3BD
3BE
3BF
3BG
3BH
3BK
3BL
3BM
3BN
3BP
3BQ
3BR
3BS
3BT
3BU
3BV
3BW
3BX
3BY
3BZ
3CD
3CE
3CF
3CG
3CH
3CK
3CL
3CM
3CN
3CP
3CQ
3CR
3CS
3CT
( 1 )脉冲测试:吨
p
50毫秒
(2 )浪涌每图的电流波形。 3 ,每个图降级。 2
( 3 )所有的术语和符号与ANSI / IEEE C62.35一致
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3KASMC10通3KASMC43A
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
热阻结到环境空气
热阻结到引线
注意:
( 1 )安装在最小建议焊盘布局
(1)
符号
R
θJA
R
θJL
价值
77.5
18.3
单位
° C / W
订购信息
首选的P / N
3KASMC10AHE3/57T
3KASMC10AHE3/9AT
单位重量(g )
0.211
0.211
首选包装代码
57T
9AT
基地数量
850
3500
配送方式
7"口径塑料带卷&
13"直径的塑料胶带&卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明)
100
150
T
j
= 25 °C
脉冲
宽度
( Td)为
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到第I 50%
PPM
I
PPM
- 峰值脉冲电流, %I
RSM
TR = 10
微秒
PEAK
价值
I
PPM
P
PPM
- 峰值功率(kW)
10
100
价值
- I
PP
2
I
PPM
50
10/1000
微秒波形
定义
by
R.E.A.
1
td
0.1
0.1
0
1
10
100
1000
10000
0
1.0
2.0
3.0
4.0
TD - 脉冲
宽度
(s)
吨 - 时间(ms )
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图3.脉冲波形
峰值脉冲功率(P
PP
)或电流(I
PP
)
降额百分比( % )
100
10000
75
50
C
J
- 结电容(pF )
在测
零偏压
1000
在测
对峙
电压
T
j
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
100
10
20
30
40
50
25
0
0
50
100
150
200
T
J
- 初始温度( ℃)
V
wm
- 反向对峙
电压
(V)
图2.脉冲功率或电流与初始结
温度
图4.典型结电容
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3KASMC10通3KASMC43A
威世通用半导体
200
6
T
j
= T
j
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
5
60赫兹
电阻或
感性负载
峰值正向浪涌电流( A)
100
P
D
,功耗( W)
1
5
10
50
100
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
50
10
环,在60赫兹的
T
L
- 焊接温度( ° C)
图5.最大非重复性/峰值正向浪涌电流
图6.功率降额曲线
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO- 214AB ( SMC)的
贴装焊盘布局
阴极带
0.185 MAX 。
( 4.69 MAX 。 )
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.246 (6.22)
0.220 (5.59)
0.126 MIN 。
( 3.20 MIN 。 )
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060最小。
( 1.52分钟)
0.320 REF
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
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4
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修订: 08 -APR- 05
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    3KASMC30
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885514887 复制

电话:0755-83987779
联系人:洪小姐
地址:福田区中航路都会电子城2C020A室(本公司可以开13%增票,3%增票和普票)
3KASMC30
VISHAY
2023+PB
78000
SMC(DO-214AB
★专业经营贴片二,三极管,桥堆★现货库存低价抛售★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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√ 欧美㊣品
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:183166527 复制 点击这里给我发消息 QQ:3404987807 复制
电话:0755-83515980
联系人:陈先生
地址:深圳市福田区中航路都会大厦B座23X
3KASMC30
VISHAY/威世
21+
27732
DO-214AB(SMC)
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