3EZ6.2D5系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA，对于所有类型）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
I
ZM
I
R
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
击穿电压
正向电流
正向电压@ I
F
最大直流稳压电流
浪涌电流@ T
A
= 25°C
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA，对于所有类型）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
设备
记号
V
Z
（伏）
民
喃
最大
@ I
ZT
mA
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
Z
ZK
@ I
ZK
W
mA
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
伏
I
ZM
mA
I
R
（注4 ）
mA
3EZ6.2D5RLG
3EZ6.2D
5.89
6.2
6.51
121
1.5
700
1
5
3
435
3.1
3EZ13D5G
3EZ13D
12.35
13
13.65
58
4.5
700
0.25
0.5
9.9
208
1.54
3EZ16D5RLG
3EZ16D
15.2
16
16.8
47
5.5
700
0.25
0.5
12.2
169
1.25
3EZ18D5RLG
3EZ18D
17.1
18
18.9
42
6.0
750
0.25
0.5
13.7
150
1.11
1.
耐性与TYPE号指定
公差代号 - 器件容差
±5%
通过一个“5”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在40毫秒的测量
±10
毫秒， 3/8“从二极管身体。和环境温度
25 ° C（ + 10°C ， 2° C）
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
4.
浪涌电流（I
R
）不重复
在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波电流或
1/120秒的持续时间相等的正弦波脉冲叠加在测试电流，我
ZT
，根据JEDEC标准。然而，实际的设备
能力是在一般数据手册Surmetic 30岁的图3描述。
的“G ”后缀表示这些都是无铅封装。
5
P
D
，稳定状态功率
功耗（瓦）
L = 1/8″
4
L = 3/8″
3
L =导线长度
到散热器
2
L = 1″
1
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
L
，焊接温度（ ° C）
180
200
图1.电源温度降额曲线
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2
3EZ6.2D5系列
θ
JL （T ， D）瞬态热阻
结到铅（
°
C / W ）
30
20
10
7
5
3
2
D =0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
D=0
0.0005
0.001
0.002
0.005
注意：下面0.1秒，热
响应曲线适用
对任何引线长度（L ） 。
0.01
0.02
0.05
T，时间（秒）
0.1
0.2
P
PK
t
2
占空比D = T
1
/t
2
t
1
1
0.7
0.5
单脉冲
DT
JL
=
q
JL
（T ） P
PK
重复脉冲
DT
JL
=
q
JL
（T ， D） P
PK
0.5
1
2
5
10
0.3
0.0001 0.0002
图2.典型的热响应L，引线长度= 3/8英寸
1K
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
500
300
200
100
50
30
20
10
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
5
10
PW ，脉冲宽度（毫秒）
20 30 50
100
矩形
不重复
波形
T
J
= 25°C PRIOR
TO初始脉冲
3
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0005
0.0003
T
A
= 125°C
IR ，反向漏电流（ μ ADC） @ VR
指定在ELEC 。 CHAR 。表
T
A
= 125°C
1
2
5
10
20
50 100
标称V
Z
（伏）
200
400
1000
图3.最大浪涌电源
图4.典型的反向漏
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的，以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度，并且可以发现，从图2为一列
功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
LA
是引入到环境的热阻（ ° C / W）和
P
D
是功耗。对于价值
q
LA
将各不相同，
取决于设备的安装方法。
q
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
，结温
可通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，限制
P的
D
和T的极端
J
（ DT
J
）可以被估计。
改变电压，V
Z
然后，可以得到：
DV
=
q
VZ
DT
J
q
VZ
中，齐纳电压的温度系数，是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲工作时，齐纳电压
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度，因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
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3
3EZ6.2D5系列
包装尺寸
轴向引线
CASE 59-01
ISSUE ü
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
JEDEC DO- 41外形应适用
4.极性表示由阴极频带。
5.铅直径不可控WITHIN F
DIMENSION 。
K
F
D
A
极性检测指示灯
根据系统需要可选
（见样式）
F
K
暗淡
A
B
D
F
K
英寸
民
最大
0.161 0.205
0.079 0.106
0.028 0.034
--- 0.050
1.000
---
MILLIMETERS
民
最大
4.10
5.20
2.00
2.70
0.71
0.86
---
1.27
25.40
---
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安森美半导体
和
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