3EZ6.2D5系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA，对于所有类型）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
I
ZM
I
R
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
击穿电压
正向电流
正向电压@ I
F
最大直流稳压电流
浪涌电流@ T
A
= 25°C
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA，对于所有类型）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
设备
记号
V
Z
（伏）
民
喃
最大
@ I
ZT
mA
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
Z
ZK
@ I
ZK
W
mA
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
伏
I
ZM
mA
I
R
（注4 ）
mA
3EZ6.2D5RLG
3EZ6.2D
5.89
6.2
6.51
121
1.5
700
1
5
3
435
3.1
3EZ13D5G
3EZ13D
12.35
13
13.65
58
4.5
700
0.25
0.5
9.9
208
1.54
3EZ16D5RLG
3EZ16D
15.2
16
16.8
47
5.5
700
0.25
0.5
12.2
169
1.25
3EZ18D5RLG
3EZ18D
17.1
18
18.9
42
6.0
750
0.25
0.5
13.7
150
1.11
1.
耐性与TYPE号指定
公差代号 - 器件容差
±5%
通过一个“5”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在40毫秒的测量
±10
毫秒， 3/8“从二极管身体。和环境温度
25 ° C（ + 10°C ， 2° C）
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
4.
浪涌电流（I
R
）不重复
在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波电流或
1/120秒的持续时间相等的正弦波脉冲叠加在测试电流，我
ZT
，根据JEDEC标准。然而，实际的设备
能力是在一般数据手册Surmetic 30岁的图3描述。
的“G ”后缀表示这些都是无铅封装。
5
P
D
，稳定状态功率
功耗（瓦）
L = 1/8″
4
L = 3/8″
3
L =导线长度
到散热器
2
L = 1″
1
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
L
，焊接温度（ ° C）
180
200
图1.电源温度降额曲线
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2
3EZ6.2D5系列
θ
JL （T ， D）瞬态热阻
结到铅（
°
C / W ）
30
20
10
7
5
3
2
D =0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
D=0
0.0005
0.001
0.002
0.005
注意：下面0.1秒，热
响应曲线适用
对任何引线长度（L ） 。
0.01
0.02
0.05
T，时间（秒）
0.1
0.2
P
PK
t
2
占空比D = T
1
/t
2
t
1
1
0.7
0.5
单脉冲
DT
JL
=
q
JL
（T ） P
PK
重复脉冲
DT
JL
=
q
JL
（T ， D） P
PK
0.5
1
2
5
10
0.3
0.0001 0.0002
图2.典型的热响应L，引线长度= 3/8英寸
1K
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
500
300
200
100
50
30
20
10
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
5
10
PW ，脉冲宽度（毫秒）
20 30 50
100
矩形
不重复
波形
T
J
= 25°C PRIOR
TO初始脉冲
3
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0005
0.0003
T
A
= 125°C
IR ，反向漏电流（ μ ADC） @ VR
指定在ELEC 。 CHAR 。表
T
A
= 125°C
1
2
5
10
20
50 100
标称V
Z
（伏）
200
400
1000
图3.最大浪涌电源
图4.典型的反向漏
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的，以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度，并且可以发现，从图2为一列
功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
LA
是引入到环境的热阻（ ° C / W）和
P
D
是功耗。对于价值
q
LA
将各不相同，
取决于设备的安装方法。
q
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
，结温
可通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，限制
P的
D
和T的极端
J
（ DT
J
）可以被估计。
改变电压，V
Z
然后，可以得到：
DV
=
q
VZ
DT
J
q
VZ
中，齐纳电压的温度系数，是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲工作时，齐纳电压
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度，因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
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3
3EZ6.2D5系列
包装尺寸
轴向引线
CASE 59-01
ISSUE ü
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
JEDEC DO- 41外形应适用
4.极性表示由阴极频带。
5.铅直径不可控WITHIN F
DIMENSION 。
K
F
D
A
极性检测指示灯
根据系统需要可选
（见样式）
F
K
暗淡
A
B
D
F
K
英寸
民
最大
0.161 0.205
0.079 0.106
0.028 0.034
--- 0.050
1.000
---
MILLIMETERS
民
最大
4.10
5.20
2.00
2.70
0.71
0.86
---
1.27
25.40
---
Surmetic是半导体元件工业， LLC的商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话： 303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真： 303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件： orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
3EZ6.2D5/D
3EZ4.3D5系列
3瓦DO- 41 SurmeticE 30
齐纳稳压器
这是限制和完整系列的第3瓦齐纳二极管
这反映了出众的能力，优秀的经营特色
的硅 - 氧化物钝化结。这在轴向引线全部
传递模压塑料封装，提供保护，在所有常见的
环境条件。
规格特点：
http://onsemi.com
阴极
阳极
w
齐纳电压范围
4.3 V至330 V
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
98瓦@ 1 ms的浪涌额定值
最大限度的保证多达六个电气参数
套餐比传统的1瓦大包
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
轴向引线
CASE 59
塑料
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
标记图
L
3EZx
xxD5
YYWW
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的：
230_C ， 1/16“从10秒的情况下
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
最大额定值
等级
马克斯。稳态功耗
@ T
L
= 75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
稳定状态下的功耗
@ T
A
= 50°C
减免上述50℃
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
3
24
P
D
1
6.67
T
J
, T
英镑
65
to
+200
单位
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
L
=大会地点
3EZxxxD5 =器件代码
=
（见表下一页）
YY
=年
WW
=工作周
订购信息
设备
3EZxxxD5
3EZxxxD5RL*
3EZxxxD5RR1
{
3EZxxxD5RR2
}
包
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
2000单位/箱
6000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
极性带
up
与阴极率先第一
}
极性带
下
与阴极率先第一
* 3EZ8.2D5和3EZ220D5不可用
6000 /磁带&卷轴
in
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第4版
1
出版订单号：
3EZ4.3D5/D
3EZ4.3D5系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA，对于所有类型）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
3EZ4.3D5
3EZ6.2D5
3EZ8.2D5*
3EZ10D5
3EZ13D5
3EZ15D5
3EZ16D5
3EZ18D5
3EZ24D5
3EZ36D5
3EZ39D5
3EZ220D5*
3EZ240D5
3EZ330D5
设备
记号
3EZ4.3D5
3EZ6.2D5
3EZ8.2D5*
3EZ10D5
3EZ13D5
3EZ15D5
3EZ16D5
3EZ18D5
3EZ24D5
3EZ36D5
3EZ39D5
3EZ220D5*
3EZ240D5
3EZ330D5
V
Z
（伏）
民
4.09
5.89
7.79
9.50
12.35
14.25
15.2
17.1
22.8
34.2
37.05
209
228
313.5
喃
4.3
6.2
8.2
10
13
15
16
18
24
36
39
220
240
330
最大
4.52
6.51
8.61
10.5
13.65
15.75
16.8
18.9
25.2
37.8
40.95
231
252
346.5
@ I
ZT
mA
174
121
91
75
58
50
47
42
31
21
19
3.4
3.1
2.3
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
4.5
1.5
2.3
3.5
4.5
5.5
5.5
6.0
9.0
22
28
1600
1700
2200
Z
ZK
@ I
ZK
W
400
700
700
700
700
700
700
750
750
1000
1000
9000
9000
9000
mA
1
1
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
30
5
5
3
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1
1
伏
1
3
6
7.6
9.9
11.4
12.2
13.7
18.2
27.4
29.7
167
182
251
I
ZM
mA
590
435
330
270
208
180
169
150
112
75
69
12
11
8
I
R
（注4 ）
mA
4.1
3.1
2.44
2.0
1.54
1.33
1.25
1.11
0.83
0.56
0.51
0.09
0.09
0.06
1.
耐性与TYPE号指定
指定公差
设备宽容
±5%
通过一个“5”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在40毫秒的测量
±10
毫秒， 3/8“从二极管身体。和环境温度
25 ° C（ + 10°C ，
2°C)
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
4.
浪涌电流（I
R
）不重复
在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波电流或
1/120秒的持续时间相等的正弦波脉冲叠加在测试电流，我
ZT
，根据JEDEC标准。然而，实际的设备
能力是在一般数据手册Surmetic 30岁的图3描述。
*不适在6000 /磁带&卷轴。
5
P
D
，稳定状态功率
功耗（瓦）
L = 1/8″
4
3
L = 3/8″
L =导线长度
到散热器
2
1
L = 1″
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
L
，焊接温度（ ° C）
180
200
图1.电源温度降额曲线
http://onsemi.com
3
3EZ4.3D5系列
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的，以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度，并且可以发现，从图2为一列
功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
LA
是引入到环境的热阻（ ° C / W）和
P
D
是功耗。对于价值
q
LA
将各不相同，
取决于设备的安装方法。
q
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
，结温
可通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，限制
P的
D
和T的极端
J
（ DT
J
）可以被估计。
改变电压，V
Z
然后，可以得到：
DV
=
q
VZ
DT
J
q
VZ
中，齐纳电压的温度系数，是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度，因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
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5
3EZ4.3D5系列
3瓦DO- 41 SurmeticE 30
齐纳稳压器
这是限制和完整系列的第3瓦齐纳二极管
这反映了出众的能力，优秀的经营特色
的硅 - 氧化物钝化结。这在轴向引线全部
传递模压塑料封装，提供保护，在所有常见的
环境条件。
规格特点：
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阴极
阳极
w
齐纳电压范围
4.3 V至330 V
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
98瓦@ 1 ms的浪涌额定值
最大限度的保证多达六个电气参数
套餐比传统的1瓦大包
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
轴向引线
CASE 59
塑料
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
标记图
L
3EZx
xxD5
YYWW
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的：
230_C ， 1/16“从10秒的情况下
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
最大额定值
等级
马克斯。稳态功耗
@ T
L
= 75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
稳定状态下的功耗
@ T
A
= 50°C
减免上述50℃
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
3
24
P
D
1
6.67
T
J
, T
英镑
65
to
+200
单位
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
L
=大会地点
3EZxxxD5 =器件代码
=
（见表下一页）
YY
=年
WW
=工作周
订购信息
设备
3EZxxxD5
3EZxxxD5RL*
3EZxxxD5RR1
{
3EZxxxD5RR2
}
包
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
2000单位/箱
6000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
极性带
up
与阴极率先第一
}
极性带
下
与阴极率先第一
* 3EZ8.2D5和3EZ220D5不可用
6000 /磁带&卷轴
in
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第4版
1
出版订单号：
3EZ4.3D5/D
3EZ4.3D5系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA，对于所有类型）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
3EZ4.3D5
3EZ6.2D5
3EZ8.2D5*
3EZ10D5
3EZ13D5
3EZ15D5
3EZ16D5
3EZ18D5
3EZ24D5
3EZ36D5
3EZ39D5
3EZ220D5*
3EZ240D5
3EZ330D5
设备
记号
3EZ4.3D5
3EZ6.2D5
3EZ8.2D5*
3EZ10D5
3EZ13D5
3EZ15D5
3EZ16D5
3EZ18D5
3EZ24D5
3EZ36D5
3EZ39D5
3EZ220D5*
3EZ240D5
3EZ330D5
V
Z
（伏）
民
4.09
5.89
7.79
9.50
12.35
14.25
15.2
17.1
22.8
34.2
37.05
209
228
313.5
喃
4.3
6.2
8.2
10
13
15
16
18
24
36
39
220
240
330
最大
4.52
6.51
8.61
10.5
13.65
15.75
16.8
18.9
25.2
37.8
40.95
231
252
346.5
@ I
ZT
mA
174
121
91
75
58
50
47
42
31
21
19
3.4
3.1
2.3
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
4.5
1.5
2.3
3.5
4.5
5.5
5.5
6.0
9.0
22
28
1600
1700
2200
Z
ZK
@ I
ZK
W
400
700
700
700
700
700
700
750
750
1000
1000
9000
9000
9000
mA
1
1
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
30
5
5
3
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1
1
伏
1
3
6
7.6
9.9
11.4
12.2
13.7
18.2
27.4
29.7
167
182
251
I
ZM
mA
590
435
330
270
208
180
169
150
112
75
69
12
11
8
I
R
（注4 ）
mA
4.1
3.1
2.44
2.0
1.54
1.33
1.25
1.11
0.83
0.56
0.51
0.09
0.09
0.06
1.
耐性与TYPE号指定
指定公差
设备宽容
±5%
通过一个“5”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在40毫秒的测量
±10
毫秒， 3/8“从二极管身体。和环境温度
25 ° C（ + 10°C ，
2°C)
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
4.
浪涌电流（I
R
）不重复
在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波电流或
1/120秒的持续时间相等的正弦波脉冲叠加在测试电流，我
ZT
，根据JEDEC标准。然而，实际的设备
能力是在一般数据手册Surmetic 30岁的图3描述。
*不适在6000 /磁带&卷轴。
5
P
D
，稳定状态功率
功耗（瓦）
L = 1/8″
4
3
L = 3/8″
L =导线长度
到散热器
2
1
L = 1″
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
L
，焊接温度（ ° C）
180
200
图1.电源温度降额曲线
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3
3EZ4.3D5系列
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的，以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度，并且可以发现，从图2为一列
功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
LA
是引入到环境的热阻（ ° C / W）和
P
D
是功耗。对于价值
q
LA
将各不相同，
取决于设备的安装方法。
q
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
，结温
可通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，限制
P的
D
和T的极端
J
（ DT
J
）可以被估计。
改变电压，V
Z
然后，可以得到：
DV
=
q
VZ
DT
J
q
VZ
中，齐纳电压的温度系数，是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度，因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
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5
3EZ系列
V
Z
： 3.9 - 400伏
P
D
： 3瓦
产品特点：
*
*
*
*
完整的电压范围3.9到400伏
高反向峰值功耗
高可靠性
低漏电流
硅稳压二极管
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
机械数据
*案例： DO- 41模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.339克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 75
°C
(Note1)
最大正向电压在我
F
= 200毫安
最大热阻结到环境空气（注2 ）
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
RΘJA
T
J
Ts
价值
3.0
1.5
60
- 55 + 175
- 55 + 175
单位
W
V
K / W
°C
°C
注意：
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度下，以10mm的情况下的距离。
图。 1功耗温度降额曲线
P
D
，最大耗散
（瓦特）
5
4
3
2
L = 1"
1
0
0
40
80
120
160
200
L = 8"分之3
L =导线长度
到散热器
L = 8"分之1
T
L,
焊接温度（
°
C)
第1页3
启示录01 ： 2004年1月10日
3EZ系列
V
Z
： 3.9 - 400伏
P
D
： 3瓦
产品特点：
*完整的电压范围3.9到400伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
硅稳压二极管
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据
*案例： DO- 41模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.339克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
等级25
°
C环境温度，除非otherw ISE规定
等级
在T DC功耗
L
= 75
°
C（注1）
最大正向电压在我
F
= 200毫安
最大热阻结到环境空气（注2 ）
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
R
θ
JA
T
J
Ts
价值
3.0
1.5
60
- 55 + 175
- 55 + 175
单位
瓦
伏
K / W
°
C
°
C
注意：
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度下，以10mm的情况下的距离。
图。 1功耗温度降额曲线
P
D
，最大耗散
（瓦特）
5
L =导线长度
4
3
2
L = 1"
1
0
0
40
L = 8"分之1
L = 8"分之3
到散热器
80
120
160
200
T
L,
焊接温度（
°
C)
更新： 2000年9月9日
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
3EZ5.1D5
THRU
3EZ75D5
3 W玻璃钝化
结硅
稳压二极管
5.1-75
伏
DO-15
特点
低廓包
玻璃钝化结
出色的钳位能力
无铅涂层/符合RoHS （注C） （ "P"后缀
指定标准。参见订购信息）
卤素
免费可应要求提供加后缀" ， HF"
机械数据
重量：0.015盎司， 0.04克
标记：阴极频带和型号
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
D
最大额定值@ 25
o
C除非另有说明
峰值脉冲功率
耗散（注一）
o
减免上述75℃
A
P
D
3
24
15
瓦
毫瓦/
o
C
D
阴极
标志
B
峰值正向浪涌
电流8.3ms单
正弦半波
I
FSM
叠加在额定
负荷（ JEDEC的方法）
（注二）
操作和
T
J
, T
英镑
存储
温度范围
安培
C
-55
o
C到
+150
o
C
尺寸
注意事项：
A.安装在5.0毫米
2
（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.在8.3ms经单半正弦波或同等测量
方波，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
C.
高温焊料豁免适用，见欧盟指令附件7 。
英寸
暗淡
民
A
B
C
D
0.230
0.104
0.02
6
1.000
最大
0.300
0.140
0.034
-----
民
5.80
2.60
0.7
0
25.40
MM
记
最大
7.60
3.60
0.86
-----
www.mccsemi.com
修改：
B
1 5
2013/01/01
MCC
3EZ5.1D5
THRU
3EZ75D5
电气特性（T
A
=25
C
除非另有说明）V
F
= 1.2 V MAX，我
F
= 200 mA，对于所有类型
0
TM
微型商业组件
型号
（注1 ）
公称
齐纳电压
V
z
@
I
ZT
VoLTE的
TEST
当前
I
ZT
mA
最大齐纳阻抗（注3 ）
Z
ZT
@ I
ZT
欧
Z
Zk
@ I
ZK
欧
I
ZK
mA
漏电流
I
R
微安最大
V
R
伏
最大齐纳
当前
I
ZM
mA
（注2 ）
3EZ5.1D5
3EZ5.6D5
3EZ6.2D5
3EZ6.8D5
3EZ7.5D5
3EZ8.2D5
3EZ9.1D5
3EZ10D5
3EZ11D5
3EZ12D5
3EZ13D5
3EZ14D5
3EZ15D5
3EZ16D5
3EZ17D5
3EZ18D5
3EZ19D5
3EZ20D5
3EZ22D5
3EZ24D5
3EZ27D5
3EZ28D5
3EZ30D5
3EZ33D5
3EZ36D5
3EZ39D5
3EZ43D5
3EZ47D5
3EZ51D5
3EZ56D5
3EZ62D5
3EZ68D5
3EZ75D5
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
147
134
121
110
100
91
82
75
68
63
58
53
50
47
44
42
40
37
34
31
28
27
25
23
21
19
17
16
15
13
12
11
10
3.5
2.5
1.5
2.0
2.0
2.3
2.5
3.5
4
4.5
4.5
5
5.5
5.5
6
6
7
7
8
9
10
12
16
20
22
28
33
38
45
50
55
70
85
550
600
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
5
5
5
5
5
3
3
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
7.6
8.4
9.4
9.9
10.6
11.4
12.2
13
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
20.6
21
22.5
25.1
27.4
29.7
32.7
35.6
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
520
480
435
393
360
330
297
270
225
246
208
193
180
169
159
150
142
135
123
112
100
96
90
82
75
69
63
57
53
48
44
40
36
注意事项：
1.公差 - 后缀表示5％容差的任何其他公差将被认为是一种特殊的设备。
2.齐纳电压（ VZ）的测量 - 当在40毫秒计量保证齐纳电压
从所述二极管主体，和25的环境温度下
3.ZENER阻抗（ ZZ）推导 - 齐纳阻抗从60周期的交流电压衍生
这导致当具有一个交流电流的有效值falue等于直流齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）是
叠加在我
ZT
还是我
ZK
）是
.
修订： B
www.mccsemi.com
2 5
2013/01/01
MCC
额定值和特性曲线
3EZ5.1D5 THRU 3EZ75D5
TM
微型商业组件
100
100
IZ ，齐纳电流（毫安）
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1
2 3
4
5
6 7
8
9 10
IZ ，齐纳电流（毫安）
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20 30 40
50 60
70 80 90
100
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图。 7 - VZ = 3.9 THRU 10伏
图。 8 - VZ = 12 THRU 82伏
100
IZ ，齐纳电流（毫安）
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
100
120
140
160
180
200
.. JL ，结LEAD热
电阻（ ../W ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
的主路径
传导是通过
阴极引线
1/8
1/4
3/8
1/2
5/8
3/4
7/8
1
VZ ，齐纳电压（伏）
L，引线长度到散热器（ INCH ）
图。 9 - VZ = 100 THRU 200伏
图。 10典型热阻
www.mccsemi.com
修改：
B
4 5
2013/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
型号-AP
型号-BP
注：添加" - HF"后缀为无卤素，如。型号-TP -HF
填料
Tape&Reel ：
4Kpcs/Reel
弹药包装：
3Kpcs/Ammo
箱
BULK ：
25Kpcs/Carton
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修改：
B
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2013/01/01
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