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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符3型号页 > 首字符3的型号第130页 > 3EZ6.2
3EZ 1 ... 3EZ 200 （ 3 W ）
硅电-Z-二极管
（非平面技术）的
Silizium - Leistungs -Z- Dioden
（ flchendiffundierte Dioden ）
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
尺寸/集体单位为毫米
3W
1…200 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
参见第16页
世赫页首16
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER
internationalen Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫
Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热电阻交界处领导
Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschludraht
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
3.0 W
1
)
60 W
– 50…+150
/
C
– 50…+175
/
C
＆ LT ; 40 K / W
1
)
＆ LT ; 15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
2
）测试与脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
3
）的1是一个二极管3EZ ，正向运行。作为阴极，通过一个环所指出的，要被连接到负极。
死3EZ 1 IST EINE在Durchla betriebene Einzelchip二极管。
死第三人以书房环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
216
28.02.2002
3EZ 1 ... 3EZ 200 （ 3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spanng 。
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
TEST
当前
Mestrom
I
ZTEST
[马]
达因。阻力
差异。 Widerst 。
I
ZTEST
/ 1千赫
r
zj
[
S
]
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
＆ QUOT ;
VZ
[10
-4
/
/
C]
Grenzwerte
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1
:
A
V
R
[V]
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50
/
C
I
ZMAX
[马]
3EZ 1
3
)
3EZ 6.2
3EZ 6.8
3EZ 7.5
3EZ 8.2
3EZ 9.1
3EZ 10
3EZ 11
3EZ 12
3EZ 13
3EZ 15
3EZ 16
3EZ 18
3EZ 20
3EZ 22
3EZ 24
3EZ 27
3EZ 30
3EZ 33
3EZ 36
3EZ 39
3EZ 43
3EZ 47
3EZ 51
3EZ 56
3EZ 62
3EZ 68
3EZ 75
3EZ 82
3EZ 91
3EZ 100
3EZ 110
3EZ 120
3EZ 130
3EZ 150
3EZ 160
3EZ 180
3EZ 200
0.71
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
0.82
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0.5 （小于1）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （小于30）的
20 （小于40）的
24 （小于40）的
24 （小于40）的
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （小于150）
60 （小于150）
80 （小于200）
80 （小于200）
90 （小于250）
100 （小于250）
110 （小于300）
120 （小于350）
150 （小于350）
–26…–16
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
–
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
2000
424
389
354
322
292
264
241
220
199
179
164
147
132
120
109
97
88
80
74
68
61
56
52
47
42
39
35
32
29
26
24
22
20
18
16
15
13
1
）注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首
28.02.2002
217
3EZ1 ... 3EZ200 （ 3 W ）
3EZ1 ... 3EZ200 （ 3 W ）
硅电源稳压二极管（非平面技术）
Silizium - Leistungs - 齐纳Dioden （ flchendiffundierte Dioden ）
版本2011-04-06
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
3
±0.05
3W
1...200 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中ammopack
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
62.5
±0.5
TYPE
0.8
±0.05
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热电阻交界处领导
Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht
23
6.3
±0.1
Grenz- UND Kennwerte
3EZ-series
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
3 W
1
)
60 W
-50...+150°C
-50...+175°C
< 38 K / W
1
)
＆ LT ; 15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte在5毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该3EZ1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白色带表示，具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管3EZ1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzten 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
3EZ1 ... 3EZ200 （ 3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
3EZ1
3
)
3EZ6.2
3EZ6.8
3EZ7.5
3EZ8.2
3EZ9.1
3EZ10
3EZ11
3EZ12
3EZ13
3EZ15
3EZ16
3EZ18
3EZ20
3EZ22
3EZ24
3EZ27
3EZ30
3EZ33
3EZ36
3EZ39
3EZ43
3EZ47
3EZ51
3EZ56
3EZ62
3EZ68
3EZ75
3EZ82
3EZ91
3EZ100
3EZ110
3EZ120
3EZ130
3EZ150
3EZ160
3EZ180
3EZ200
0.71
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[Ω]
0.5 （小于1）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （小于150）
60 （小于150）
80 （小于200）
80 （小于200）
90 （小于250）
100 （小于250）
110 （小于300）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/ °C]
–26…–16
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
–
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
2000
455
417
380
345
313
283
259
236
213
192
175
157
142
129
117
104
94
86
79
73
65
60
56
50
45
42
38
34
31
28
26
24
21
19
18
16
14
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
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推荐型号
3D100-24D15
395211015
3-435640-3
3561
39374-0802
36501J10NJTDG
381EL121M400K012
31512
3821315000
39-01-4090
35WXA680M125X16
3296X-1-201ALF
34039
307-312-20
3951500044
3P3213000
382000
3094R-681KS
32208537
3SAM6141L
供货商
型号
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    3EZ6.2
    -
    -
    -
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更多配单专家
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
3EZ6.2
Diotec Semiconductor
24+
24902
DO-204AC（DO-15）
全新原装现货，原厂代理。
深圳市世品佳电子有限公司
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电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
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