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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符3型号页 > 首字符3的型号第32页 > 3EZ10
3EZ1 ... 3EZ200 （ 3 W ）
3EZ1 ... 3EZ200 （ 3 W ）
硅电源稳压二极管（非平面技术）
Silizium - Leistungs - 齐纳Dioden （ flchendiffundierte Dioden ）
版本2011-04-06
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
3
±0.05
3W
1...200 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中ammopack
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
62.5
±0.5
TYPE
0.8
±0.05
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热电阻交界处领导
Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht
23
6.3
±0.1
Grenz- UND Kennwerte
3EZ-series
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
3 W
1
)
60 W
-50...+150°C
-50...+175°C
< 38 K / W
1
)
＆ LT ; 15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte在5毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该3EZ1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白色带表示，具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管3EZ1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzten 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
3EZ1 ... 3EZ200 （ 3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
3EZ1
3
)
3EZ6.2
3EZ6.8
3EZ7.5
3EZ8.2
3EZ9.1
3EZ10
3EZ11
3EZ12
3EZ13
3EZ15
3EZ16
3EZ18
3EZ20
3EZ22
3EZ24
3EZ27
3EZ30
3EZ33
3EZ36
3EZ39
3EZ43
3EZ47
3EZ51
3EZ56
3EZ62
3EZ68
3EZ75
3EZ82
3EZ91
3EZ100
3EZ110
3EZ120
3EZ130
3EZ150
3EZ160
3EZ180
3EZ200
0.71
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[Ω]
0.5 （小于1）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （小于150）
60 （小于150）
80 （小于200）
80 （小于200）
90 （小于250）
100 （小于250）
110 （小于300）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/ °C]
–26…–16
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
–
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
2000
455
417
380
345
313
283
259
236
213
192
175
157
142
129
117
104
94
86
79
73
65
60
56
50
45
42
38
34
31
28
26
24
21
19
18
16
14
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
3EZ6.8~3EZ51
硅稳压二极管
电压
特点
薄型封装
内置应变救灾
低电感
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
高温焊接： 260℃ / 10秒码头
.300(7.6)
.230(5.8)
1.0(25.4)MIN.
6.8 51伏特
动力
3.0瓦
DO-15
单位：英寸（毫米）
.034(.86)
.028(.71)
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
机械数据
案例： JEDEC DO-15 ，模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
标准包装：52毫米胶带
重量： 0.014盎司， 0.0397克
.140(3.6)
1.0(25.4)MIN.
.104(2.6)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
对T峰值脉冲功率耗散
L
=50
O
C（注一）
减免上述50
O
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
工作结存储温度范围
符号
价值
3.0
单位
W的ATT
P
D
I
FSM
T
J
,T
英镑
15
-55到+ 150
安培
O
C
注意事项：
A.Mounted上5.0平方毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.Measured on8.3ms和单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
STAD-FEB.10.2009
1
PAGE 。 1
3EZ6.8~3EZ51
N}÷ M I纳升泽NE R诉 L T A G é
部分
数
无米。 V
3.0瓦齐纳
3EZ6.8
3EZ7.5
3EZ8.2
3EZ8.7
3EZ9.1
3EZ10
3EZ11
3EZ12
3EZ13
3EZ14
3EZ15
3EZ16
3EZ17
3EZ18
3EZ19
3EZ20
3EZ22
3EZ24
3EZ25
3EZ27
3EZ28
3EZ30
3EZ33
3EZ36
3EZ39
3EZ43
3EZ47
3EZ51
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
2
2
2
2
3
4
4
5
5
5
6
6
6
6
7
7
8
9
10
10
12
16
20
22
28
33
38
45
V
Z
@ I
ZT
M | N 。 V
M A X 。 V
Z
ZT
@ I
ZT
M A X I M ü米简é 林P E D A N权证
I
ZT
mA
Z
ZK
@ I
ZK
I
ZK
mA
最大反向
漏电流
I
R
@V
R
A
V
记号
颂歌
110
100
91
85
82
75
68
63
58
53
50
47
44
42
40
37
34
31
30
28
27
25
23
21
19
17
16
15
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
5
5
4
3
3
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
4
5
6
6.6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.4
12.2
13
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.3
22.5
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
3EZ6.8
3EZ7.5
3EZ8.2
3EZ8.7
3EZ9.1
3EZ10
3EZ11
3EZ12
3EZ13
3EZ14
3EZ15
3EZ16
3EZ17
3EZ18
3EZ19
3EZ20
3EZ22
3EZ24
3EZ25
3EZ27
3EZ28
3EZ30
3EZ33
3EZ36
3EZ39
3EZ43
3EZ47
3EZ51
STAD-FEB.10.2009
1
PAGE 。 2
3EZ6.8~3EZ51
5
500
P
D
，最大功率耗散（瓦）
P
PK
，峰值浪涌功率（瓦特）
4
250
100
100
50
25
15
10
5
0.1 0.20.3 0.5
3
RECTAN GULAR
非 - REPETIT IVE
T
J
=25
O
C状态
TOINTIA L PULSE
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
O
140
160
180
1
2 3
5
10 20 30 50
100
T，焊接温度（ C）
L
P.W.PULSE宽度（ ms）的
图1电源温度降额曲线
图2.最大浪涌电源
图3.典型的热RESPONSEL ，
应用指南：
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压是依赖于温度的，有必要determinejunction
为了计算其值根据任何一组的操作条件下的温度。下面的步骤建议：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
L
A
P
D
+ T
A
O
q
L
A
是导入到环境的热阻（℃ / W ）和Pd是功耗。对于价值
q
L
A
会变化，并取决于
O
在装置的安装方法。
q
L
A
一般是30-40 ℃/ W代表的各种片段和普遍使用和印刷扎点
电路板布线。
引线的温度，也可以使用热电偶放置在上述引线尽可能接近的连接点进行测量。
连接到所述连接点的热质量通常是足够大的，以便它不会显著响应热浪涌
在二极管作为脉冲操作的一次稳态条件下得以实现的结果而产生。使用的测定值
TL时，结点温度可以由下式确定：
T
J
= T
L
+
D
T
JL
D
T
JL
高于铅温度的增加结点温度，并且可以发现，从图3为功率脉冲串
或者从图10为直流电源。
D
T
JL
=
q
J
L
P
D
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，将P限制
D
和T的极端
J
(
D
T
J
）可以被估计。的电压变化，
V
Z
然后，可以得到：
D
V =
q
V
D
Z
T
J
q
V
Z
中，齐纳电压的温度系数，从图5和6中。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压会随时间而变化，并且也可以由齐纳电阻显著影响。
为了获得最佳的调节，保持目前的游览尽可能低。
图3中的数据不应被用于计算浪涌卡帕-相容性。浪涌限制是在图2中给出它们比将低
只考虑结温可以预料的，因为电流拥挤效应引起的温度是非常高的小
导致器件退化斑点应的图2的极限被超出。
STAD-FEB.10.2009
1
PAGE 。 3
3EZ6.8~3EZ51
O
V
Z
，结 - 铅热阻（ ℃/ W）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1/8
4/1
3/8
的主路径
CONEUCTION通过
阴极引线
1/2
5/8
3/4
7/8
1
L，引线长度到散热器（ INCH ）
q
图4. TYPLCAL热阻
STAD-FEB.10.2009
1
PAGE 。 4
3EZ 1 ... 3EZ 200 （ 3 W ）
硅电-Z-二极管
（非平面技术）的
Silizium - Leistungs -Z- Dioden
（ flchendiffundierte Dioden ）
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
尺寸/集体单位为毫米
3W
1…200 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
参见第16页
世赫页首16
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER
internationalen Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫
Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热电阻交界处领导
Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschludraht
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
3.0 W
1
)
60 W
– 50…+150
/
C
– 50…+175
/
C
＆ LT ; 40 K / W
1
)
＆ LT ; 15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
2
）测试与脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
3
）的1是一个二极管3EZ ，正向运行。作为阴极，通过一个环所指出的，要被连接到负极。
死3EZ 1 IST EINE在Durchla betriebene Einzelchip二极管。
死第三人以书房环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
216
28.02.2002
3EZ 1 ... 3EZ 200 （ 3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spanng 。
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
TEST
当前
Mestrom
I
ZTEST
[马]
达因。阻力
差异。 Widerst 。
I
ZTEST
/ 1千赫
r
zj
[
S
]
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
＆ QUOT ;
VZ
[10
-4
/
/
C]
Grenzwerte
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1
:
A
V
R
[V]
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50
/
C
I
ZMAX
[马]
3EZ 1
3
)
3EZ 6.2
3EZ 6.8
3EZ 7.5
3EZ 8.2
3EZ 9.1
3EZ 10
3EZ 11
3EZ 12
3EZ 13
3EZ 15
3EZ 16
3EZ 18
3EZ 20
3EZ 22
3EZ 24
3EZ 27
3EZ 30
3EZ 33
3EZ 36
3EZ 39
3EZ 43
3EZ 47
3EZ 51
3EZ 56
3EZ 62
3EZ 68
3EZ 75
3EZ 82
3EZ 91
3EZ 100
3EZ 110
3EZ 120
3EZ 130
3EZ 150
3EZ 160
3EZ 180
3EZ 200
0.71
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
0.82
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0.5 （小于1）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （小于30）的
20 （小于40）的
24 （小于40）的
24 （小于40）的
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （小于150）
60 （小于150）
80 （小于200）
80 （小于200）
90 （小于250）
100 （小于250）
110 （小于300）
120 （小于350）
150 （小于350）
–26…–16
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
–
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
2000
424
389
354
322
292
264
241
220
199
179
164
147
132
120
109
97
88
80
74
68
61
56
52
47
42
39
35
32
29
26
24
22
20
18
16
15
13
1
）注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首
28.02.2002
217
数据表
3EZ6.8~3EZ100
玻璃钝化结硅稳压二极管
3.0瓦
电压
动力
6.8到100伏
特点
薄型封装
1.0(25.4)MIN.
DO-15
单位：英寸（毫米）
内置应变救灾
玻璃钝化iunction
低电感
典型I
D
小于1.0μA 11V以上
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
.034(.86)
.028(.71)
.300(7.6)
环境物质指令的要求
.230(5.8)
高温焊接： 260℃ / 10秒码头
无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令
MECHANICALDATA
案例： JEDEC DO-15 ，模压塑料多钝化结
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
标准包装：52毫米胶带
重量：0.015盎司， 0.04克
1.0(25.4)MIN.
.140(3.6)
.104(2.6)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
P AR M等
a
e
否E
P瓦特AK P UL ê P嗷嗷ERD我SI航标上的TA = 50
O
C（ OT S A ）
s
S·P我
呃吨以上70
O
C
ae
P EAK对于AR UR式C urent8 。米每秒SI GL HAL SI E- AVE
宽深
g
r
3
否E
F N瓦特
superm构成R上T·D·L广告（E D E C M等OD ）
i
AE
J
h
每TNG Juncton和S T GE TEM每吨R R法兰
ai
i
oa
AUE
S YM BOL
瓦尔ê
u
3.
0
24.
0
15
- 5 t + 150
5 o
ü NIS
t
W ATS
t
米W /
O
C
A M PS
O
P
D
I
FSM
T
J
,
英镑
T
C
注意事项：
A.Mounted上5.0平方毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.Measured on8.3ms和单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
REV.0-JUN.9.2005
PAGE 。 1
N}÷ M I纳升泽NE R诉 L T A G é
产品型号
无米。 V
3.0瓦齐纳
3EZ6.8
3EZ7.5
3EZ8.2
3EZ8.7
3EZ9.1
3EZ10
3EZ11
3EZ12
3EZ13
3EZ14
3EZ15
3EZ16
3EZ17
3EZ18
3EZ19
3EZ20
3EZ22
3EZ24
3EZ25
3EZ27
3EZ28
3EZ30
3EZ33
3EZ36
3EZ39
3EZ43
3EZ47
3EZ51
3EZ56
3EZ60
3EZ62
3EZ68
3EZ75
3EZ82
3EZ87
3EZ91
3EZ100
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
27.0
28.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
47.0
51.0
56.0
60.0
62.0
68.0
75.0
82.0
87.0
91.0
100.0
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19.0
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
77.90
82.65
86.45
95.00
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21.0
23.1
25.2
26.55
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
63.0
65.1
71.4
78.75
86.1
91.35
95.55
105
2.0
2.0
2.0
2.0
3.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
7.0
7.0
8.0
9.0
10
10
12.0
16.0
20.0
22.0
28.0
33.0
38.0
45.0
50.0
53.0
55.0
70.0
85.0
95.0
100
115
160
V
Z
@ I
ZT
M | N 。 V
M A X 。 V
Z
ZT
@ I
ZT
HM s
M A X I M ü米简é 林P E D A N权证
I
ZT
mA
Z
ZK
@ I
ZK
HM s
I
ZK
mA
最大反向
漏电流
I
R
@V
R
A
V
记号
颂歌
110.0
100.0
91.0
85.0
82.0
75.0
68.0
63.0
58.0
53.0
50.0
47.0
44.0
42.0
40.0
37.0
34.0
31.0
30.0
28.0
27.0
25.0
23.0
21.0
19.0
17.0
16.0
15.0
13.0
12.5
12.0
11.0
10.0
9.1
8.5
8.2
7.5
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
3000
1.00
0.50
0.50
0.50
0.50
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
4.0
5.0
6.0
6.6
7.0
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.4
12.2
13.0
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.6
21.0
22.5
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.6
47.1
51.7
56.0
62.2
66.1
69.2
76.0
3EZ6.8
3EZ7.5
3EZ8.2
3EZ8.7
3EZ9.1
3EZ10
3EZ11
3EZ12
3EZ13
3EZ14
3EZ15
3EZ16
3EZ17
3EZ18
3EZ19
3EZ20
3EZ22
3EZ24
3EZ25
3EZ27
3EZ28
3EZ30
3EZ33
3EZ36
3EZ39
3EZ43
3EZ47
3EZ51
3EZ56
3EZ60
3EZ62
3EZ68
3EZ75
3EZ82
3EZ87
3EZ91
3EZ100
REV.0-JUN.9.2005
PAGE 。 2
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
应用指南：
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压是依赖于温度的，有必要determinejunction
为了计算其值根据任何一组的操作条件下的温度。下面的步骤建议：
铅的温度，T
L
，应当从确定：
T
L
=
q
LA P
D
+ T
A
O
q
L
A
是导入到环境的热阻（℃ / W ）和Pd是功耗。对于价值
q
L
A
会变化，并取决于
在装置的安装方法。
q
L
A
一般是30-40
O
对于各种片段的C / W，并在普通用途和用于印刷扎点
电路板布线。
引线的温度，也可以使用热电偶放置在上述引线尽可能接近到枕木画法测定
连接到所述连接点的热质量通常是足够大的，以便它不会显著响应热浪涌
在二极管作为脉冲操作的一次稳态条件下得以实现的结果而产生。使用的测定值
TL时，结点温度可以由下式确定：
T
J
= T
L
+
D
T
JL
D
T
JL
高于铅温度的增加结点温度，并且可以发现，从图2为功率脉冲驱动的列车
或者从图10为直流电源。
D
T
JL
=
q
J
L
P
D
对于最坏情况设计，预计使用我的限制
Z
，将P限制
D
和T的极端
J
(
D
T
J
）可以被估计。变化沃尔
V
Z
然后，可以得到：
D
V =
q
V
Z
D
T
J
q
V
Z
中，齐纳电压的温度系数，从图5和6中。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压会随时间而变化，并且也可以由齐纳RESIS显著影响
为了获得最佳的调节，保持目前的游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌卡帕-相容性。浪涌限制是在图3中给出它们比瓦特下
只考虑结温可以预料的，因为电流拥挤效应引起的温度是非常高的单位为s
导致器件退化斑点应图3的极限被超出。
REV.0-JUN.9.2005
PAGE 。 3
REV.0-JUN.9.2005
PAGE 。 4
3EZ 1 ... 3EZ 200 （ 3W ）
绝对最大额定值
符号条件
值
单位
轴向引线二极管
齐纳二极管芯片
3EZ 1 ... 3EZ 200 （ 3W ）
最大功率
耗散： 3 W
标称的Z-电压：1至200伏
特点
机械数据
1)
2)
3)
1
2006年10月4日SCT
由赛米控
3EZ 1 ... 3EZ 200 （ 3W ）
绝对最大额定值
符号条件
值
单位
轴向引线二极管
齐纳二极管芯片
3EZ 1 ... 3EZ 200 （ 3W ）
最大功率
耗散： 3 W
标称的Z-电压：1至200伏
特点
机械数据
1)
2)
3)
1
2004年2月4日SCT
由赛米控
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3D7608R-100K
3404.0008.24
3372-5302
3266Z-1-254RLF
337SAK063M
3DF0D23
3EEJ1
39-00-0130
338TTA050M
32420
3D7523G-1
381EL331M400K052
3-87579-3
30WQ10FNTR
3CN00462HN
39-00-0089
3-1579001-5
3333DX103Z2
302GD061-359CTV
3412.0119.24
供货商
型号
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数量
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操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    3EZ10
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市鹏顺兴科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    3EZ10
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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