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初步
16Mbit的SRAM CMOS
电子
512K ×32位高速CMOS静态RAM - 5.0V工作
特点
快速存取时间:
15或20ns的
单5.0 ± 0.5V电源
功耗
- 待机
80mA
- 工作
540毫安(最大)
TTL兼容的输入和输出
全静态操作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
模具控制: CS0 # , # CS1 ,CS2 #和
CS3 #片选
描述
该3DS16-325是16777216 - 位高速静态随机存取
内存被划分为4银行的16位262,144字。两
银行可以silmultaneously操作,给32位处理。
该3DS16-325使用32共同的输入和输出线,并具有
输出使能引脚,工作比地址的访问速度更快
时间读周期。
此外,它允许通过数据控制下限和上限字节访问
( UB # , LB # ) 。该器件采用3D PLUS以及制造
众所周知MCM -V patended技术,用于高速电路
应用程序。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该3DS16-325封装在
采用64引脚PQFP 。
3DS16-325
引脚配置
引脚说明
3DS16-325S ( TOP VIEW )
A0-A17
WE#
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
较低 - 控制字节
上 - 字节控制
数据输入/输出
5.0 V电源
无连接
CS2#
CS1#
CS3#
I/O17
I/O18
I/O19
I/O29
I/O30
I/O31
I/O32
CS0 # , CS1 #
# CS2 , CS3 #
OE #
64
55
54
Ao
A1
A2
A3
A4
CSO #
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE#
A5
A6
A7
A8
A9
1
PQFP64
22
23
33
32
A17
A16
A15
OE #
UB #
磅#
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A14
A13
A12
A11
A10
AO-17
WE
#
OE
#
UB
#
LB
#
CSO
#
I/O1-16
磅#
UB #
I / O1 - I / O32
VCC
VSS
NC
框图
AO-17
WE
#
OE
#
UB
#
LB
#
CS
#
I / O
AO-17
WE
#
OE
#
UB
#
LB
#
CS
#
I / O
AO-17
WE
#
OE
#
UB
#
LB
#
CS
#
I / O
AO-17
WE
#
OE
#
UB
#
LB
#
CS
#
I / O
256K ×16位
I/O24
I/O23
I/O22
I/O21
I/O20
I/O28
I/O27
I/O26
I/O25
NC
256K ×16位
CS2
#
256K ×16位
CS1
#
I/O17-32
256K ×16位
CS3
#
3D PLUS ,
641街埃莱娜·鲍彻 - ZI
F- 78532 BUC Cedex法国
电话: 33 ( 0 ) 1 30 83 26 50传真: 33 ( 0 ) 1 39 56 25 89
网址:http : // WWW 。 3d-plus.com
3DFP-0012
启: 2
2000年1月
第1/3页
初步
16Mbit的SRAM CMOS
电子
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
广告
工作温度
产业
T
A
-40到85
°C
H = HIGH
符号
V
IN
. V
OUT
V
cc
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
2.0
-65到150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
真值表
模式
未选择
未选择
D
OUT
关闭
CS #
X
H
L
L
L
L =低
WE#
X
X
H
H
L
X =不关心
OE #
X
X
H
L
X
I / O引脚
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
供应
当前
待机
待机
活跃
活跃
活跃
3SD16-325
应力大于下"Absolute最大Ratings"上市可能会造成永久性的
装置。这是一个额定值,设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
如果OE是低电平写入时,必须tWHZ数据之前观察
被提供给该装置。
直流输出特性
符号
V
OH
V
OL
参数
高压
低电压
条件
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ )
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
CC
4.5
0
2.2
-0.5
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
注:以上参数也保证在工业级温度范围。
电容* (T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
输入/输出电容
输入/电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
-
-
最大
16
28
单位
pF
pF
符号
T
RAC
T
WC
参数
读周期时间
写周期时间
VAL 。
15/20ns
15/20ns
*注:电容采样,而不是100 %测试。
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ,V
CC
= 5.0 ±0.5V ,除非另有规定)
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS # = V
IH
或OE # = V
IH
或WE # = V
IL
V
OUT
= V
SS
到V
CC
工作电流
I
CC
分钟。周期, 100 %占空比
CS = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
IL
, I
OUT
= 0毫安
15ns
20ns
待机电流
I
SB
I
SB1
分钟。周期, CS # = V
IH
F = 0MHz处, CS #
≥=
V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
0.2V
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
2.4
80
0.4
mA
V
V
540
mA
530
280
mA
测试条件
-8
-8
最大
8
8
单位
A
A
注:以上参数也保证在工业级温度范围。
3D PLUS ,
641街埃莱娜·鲍彻 - ZI
F- 78532 BUC Cedex法国
电话: 33 ( 0 ) 1 30 83 26 50传真: 33 ( 0 ) 1 39 56 25 89
网址:http : // WWW 。 3d-plus.com
3DFP-0012
启: 2
2000年1月
第2/3页
初步
16Mbit的SRAM CMOS
电子
机械制图
D
外形尺寸(mm )
D
1
A
D
D
1
E
E
1
典型。
E
E
1
PQFP
e
e
1
最大
3DS16-325
7.15
15.80
10.80
27.80
22.80
0.80
0.30
7.75
16.20
11.20
28.20
23.20
e
1
64地方
A
订购信息
请与3D PLUS大约可用配置的详细信息。
3DS16-325SC - 20 PQFP64
3DS16-325SI - 20 PQFP64
3DS16-325SC - 15 PQFP64
3DS16-325SI - 15 PQFP64
3D
S
16
-
32
5
(S)
( C / I)
-
15
存取时间
-15 NS
-20 NS
C:商业级温度范围( 0 ° C至+ 70 ° C)
I:工业级温度范围( - 40 ° C至+ 85°C )
S: PQFP64
5.0V供应
32位WORD
16兆位
SRAM
3D PLUS
产品标识
- 商标
- 产品型号
- 日期代码( WW , YY )
- 应要求提供序列号
3DS16-325S
5199
主要销售办事处
法国
3D PLUS
电话: 33 ( 0 ) 1 30 83 26 50
传真: 33 ( 0 ) 1 39 56 25 89
电子邮件: sales@3d-plus.com
分销商
3D PLUS公司有权随时更改或取消产品或规格,恕不另行通知。
C
3D PLUS , 1999
3D PLUS ,
641街埃莱娜·鲍彻 - ZI
F- 78532 BUC Cedex法国
电话: 33 ( 0 ) 1 30 83 26 50传真: 33 ( 0 ) 1 39 56 25 89
网址:http : // WWW 。 3d-plus.com
3DFP-0012
启: 2
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    3DS16-325SC-20
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
3DS16-325SC-20
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